в этих условиях по существу является задачей устранения паразитных емкостных связей.

На рис. 1.7,а показано влияние элемента / на элемент 2 вследствие наличия взаимной емкости связи Cjs. Если источником Е на элементе / будет создано напряжение Ui, то ЭДС, наводимая на элемент 2, примерно составит U2-U1C12IC2, где Cg -емкость элемента 2 относительно земли, причем Ci2<CC"2.

а) ff)

Рис. 1.7. Схема ослабления емкостной связи.

При цилиндрической форме элементов ЭДС, наводимая на элемент 2, согласно [15] определяется из фор мулы

ьь

1п {Ah/D)

(1.15)

Это соотношение при соответствующем выборе входящих в него величин (рис. 1.7,а) все же остается значительным. Для ббльшего ослабления связи между элементами устанавливают плоский электростатический экран (рис. 1.7,6). Такой экран полностью не исключает взаимной связи между элементами, поскольку они останутся слабо связанными за счет силовых линий, огибающих экранирующую поверхность.

Ориентировочно эффективность экранирования такого экрана можно оценить по формуле

5о=С/2 / U2=Ci2l C\2rMaaia2, (1.16)

где Гэ -радиус экрана.

Эффективность экранирования в данргом случае определяется главным образом возможностями проникновения поля помех за экран в результате дифракции и рас-

сеяния. Эти явления будут наиболее ощутимыми, когда a2~ai. Поэтому при соизмеримых Gi и Яг эффективность экранирования оказывается низкой, а при ai=a2 - минимальной. Для повышения эффективности экранирования необходимо выполнить одно из условий a2>ai или ai><2, выбор которого определяется назначением экрана и особенностями конструкции экранируемого объекта или источника помех.

Как видно, ослабление связи между элементами зависит от естественного затухания за счет разноса элементов (1.15) и затухания, вносимого экраном. Поэтому целесообразно характеризовать общее затухание коэффициентом связи

Чем меньше ксв, тем меньше взаимное воздействие элементов и тем больше нх развязка.

Магнитостатическое экранирование. Экранирующее действие магнитостатических экранов основано на замыкании магнитного поля в толще экрана вследствие ее большей магнитопроводности по сравнению с окружающим пространством. Такой экран одинаково пригоден для защиты от воздействия внешнего магнитного поля, и для защиты внешнего пространства от влияния магнитного поля, созданного источником внутри экрана. Если, например, внести в однородное магнитное поле кольцо из мягкого железа, то оно как бы втягивает в себя силовые линии и магнитное поле внутри кольца резко уменьшается (рис. 1.8,6).

Изменение направления магнитного потока на границе двух сред с различными магнитными проницаемостя-ми [Xri и [Хг2 определяется выражением

tgai/tga2=ixr2/fxrb (1-18)

где углы ai и ог показаны на рис. 1.8,а.

Если магнитная проницаемость одной среды бесконечно велика, т. е. [Xr2/fXri-то угол щ стремится к 90°. Таким образом, поток выходит из поверхности с бесконечно большой магнитной проницаемостью под прямым углом. Хотя сред с бесконечной проницаемостью не существует, тем не менее практически считают, что магнитные силовые линии нормальны к поверхности ферромагнитных тел.

3* 35

Рассмотрим магнитостатический экран (рис. 1.9), представляющий собой куб, внешняя сторона которого равна а. Если толщина экрана d, то внутренний размер стороны будет а-2d. Чтобы граничная магнитная силовая линия не попала во внутреннюю часть экрана, необходимо выполнить условие \.ga2=dj {а~й). Тогда из (1.18) находим

1 + ((j-ri/lrs) tg «1

«. 0<a,<7j/2. (1.18)

Из (1.18) следует, что наибольший практический интерес представляет случай, когда (Hri/fxr2)tgai<Cl, и, следовательно,

d=(fxria/p.r2)tgai и с?<а.

При (ixri/fx,2)tgai=l получается d-al2, что ограничивает размеры внутренней полости экрана.

Рнс. 1.8. Принцип >магнитостатического экранирования.

Таким образом, чтобы обеспечить значительное ослабление магнитного поля, экран должен быть изготовлен из материала с большой относительной магнитной проницаемостью при большой толщине стенок. При этом чем больше магнитная проницаемость материала экрана, тем меньшую толщину его стенок можно допустить.