|
| |
  |
Главная Охранные системы радиоэлектронные схемы Знание основных свойств полупроводниковых приборов, ознакомление с их конструкцией и элементами технологии изготовления, а также методикой измерения параметров совершенно необходимо для грамотного проектирования радиоэлектронных схем. К сожалению, нужные для этого сведения можно получить, лишь обратившись к большому количеству книг и статей. К тому же во многих пз них детально рассматриваются лишь процессы, происходящие в самих приборах, мало внимания уделяется вопросам их практического использования. Цель настоящего тома - дать в сжатом виде изложение по возможности всех тех необходимых сведений о полупроводниковых диодах, которые наиболее часто требуются разработчикам радиоэлектронной аппаратуры. В первых трех главах рассказывается об основных свойствах полупроводников и электронно-дырочных переходов, вольтамперных характеристиках диодов и электрических шумах в них. В следующих главах даются сведения о диодах различных классов. Кратко описан принцип их действия, конструкция и технология изготовления. Приводятся системы электрических параметров диодов каждого класса, методика их измерения, а также сведения об эксплуатационных свойствах диодов. Специальная глава посвящена изложению общих правил применения диодов в радиоэлектронных схемах. В каждой главе имеется список основной литературы по данному вопросу. Книга написана коллективом авторов: гл. 1 - написал Н. Н. Горюнов; гл. 2-написали Ю. С. Акимов, А. Б. Гитцевич, А. Ф. Строганов; гл. 3 -И. И. Абкевич, М. Д. Дмитриев; гл. 4 - А. А. Чернышев, Б. А. Шувалов; п. 5 - И. И. Горюнов, В. М. Дроневич, Л. А. Петров, А. И. Курносов; гл. 6 - И. И. Горюнов, Ю. Р. Носов; гл. 7 Ю. И. Сидоров; гл. 8 - Ю. Р. Носов; гл. 9 - В. А. Кузьмин, Я. Д Нисневич; гл- 10 - М. Д. Дмитриев, В- В. Лившиц; гл. 11 - В. Л- Аронов, В. М. Вальд-Перлов, А. А. Визель; гл. 12 - Л. С. Либерман, В. А. Шпирт; гл. 13 - А. Б. Гитцевич, А. А. Зайцев, Л. А. Логунов, С. Г. Мадоян, А. П. Шибанов; гл. 14 -И. И. Круглов, И. В. Рыжиков; гл. 15 - Д. И. Романов, А. А. Чернышев, Б. А. Шувалов. ПРИНЯТЫЕ ОБОЗНАЧЕНИЯ q - величина заряда электрона; гпп гпр - эффективная масса электрона, дырки; щ, р; - концентрация электронов и дырок в собственном полупроводнике в условиях термодинамического равновесия; Пп, Пр, р„,рр - концентрация электронов и дырок в полупроводнике п- и р-типов соответственно; N, Л/J,-эффективные хыотпости состояний в зоне проводимости и валентной зоне, приведенные к краям этих зон, примыкающим к запрещенной зоне; iVa - концентрация акцепторов; Nn - концентрация доноров; 0 - суммарная проводимость полупроводника; 0j - суммарная проводимость собственного полупроводника; а„, Ор - проводимость полупроводника п- и р-типа; р - удельное сопротивление полупроводника, плотность заряда; Рр Рп - удельное сопротивление полупроводника р- и п-типа; р, подвижность электронов и дырок; D„, D, - коэффициент диффузии электронов й дырок; b = р„/Рр - отношение подвижностей электронов и дырок; Lp -средняя длина диффузии дырок в «-области; L„ -средняя длина диффузии электронов в р-области; [ 0 ] 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 27 28 29 30 31 32 33 34 35 36 37 38 39 40 41 42 43 44 45 46 47 48 49 50 51 52 53 54 55 56 57 58 59 60 61 62 63 64 65 66 67 68 69 70 71 72 73 74 75 76 77 78 79 80 81 82 83 84 85 86 87 88 89 90 91 92 93 94 95 96 97 98 99 |