Главная » Периодика » Безопасность

0123 ... 99

радиоэлектронные схемы

Знание основных свойств полупроводниковых приборов, ознакомление с их конструкцией и элементами технологии изготовления, а также методикой измерения параметров совершенно необходимо для грамотного проектирования радиоэлектронных схем.

К сожалению, нужные для этого сведения можно получить, лишь обратившись к большому количеству книг и статей. К тому же во многих пз них детально рассматриваются лишь процессы, происходящие в самих приборах, мало внимания уделяется вопросам их практического использования.

Цель настоящего тома - дать в сжатом виде изложение по возможности всех тех необходимых сведений о полупроводниковых диодах, которые наиболее часто требуются разработчикам радиоэлектронной аппаратуры.

В первых трех главах рассказывается об основных свойствах полупроводников и электронно-дырочных переходов, вольтамперных характеристиках диодов и электрических шумах в них.

В следующих главах даются сведения о диодах различных классов. Кратко описан принцип их действия, конструкция и технология изготовления. Приводятся системы электрических параметров диодов каждого класса, методика их измерения, а также сведения об эксплуатационных свойствах диодов.

Специальная глава посвящена изложению общих правил применения диодов в радиоэлектронных схемах.

В каждой главе имеется список основной литературы по данному вопросу. Книга написана коллективом авторов: гл. 1 - написал Н. Н. Горюнов; гл. 2-написали Ю. С. Акимов, А. Б. Гитцевич, А. Ф. Строганов; гл. 3 -И. И. Абкевич, М. Д. Дмитриев; гл. 4 - А. А. Чернышев, Б. А. Шувалов; п. 5 - И. И. Горюнов, В. М. Дроневич, Л. А. Петров, А. И. Курносов; гл. 6 - И. И. Горюнов, Ю. Р. Носов;

гл. 7 Ю. И. Сидоров; гл. 8 - Ю. Р. Носов; гл. 9 - В. А. Кузьмин, Я. Д Нисневич; гл- 10 - М. Д. Дмитриев, В- В. Лившиц; гл. 11 - В. Л- Аронов, В. М. Вальд-Перлов, А. А. Визель; гл. 12 - Л. С. Либерман, В. А. Шпирт; гл. 13 - А. Б. Гитцевич, А. А. Зайцев, Л. А. Логунов, С. Г. Мадоян, А. П. Шибанов; гл. 14 -И. И. Круглов, И. В. Рыжиков; гл. 15 - Д. И. Романов, А. А. Чернышев, Б. А. Шувалов.

ПРИНЯТЫЕ ОБОЗНАЧЕНИЯ

q - величина заряда электрона;

гпп гпр - эффективная масса электрона, дырки; щ, р; - концентрация электронов и дырок в собственном полупроводнике в условиях термодинамического равновесия; Пп, Пр, р„,рр - концентрация электронов и дырок в полупроводнике п- и р-типов соответственно;

N, Л/J,-эффективные хыотпости состояний в зоне проводимости и валентной зоне, приведенные к краям этих зон, примыкающим к запрещенной зоне; iVa - концентрация акцепторов; Nn - концентрация доноров; 0 - суммарная проводимость полупроводника;

0j - суммарная проводимость собственного полупроводника; а„, Ор - проводимость полупроводника п- и р-типа;

р - удельное сопротивление полупроводника, плотность заряда; Рр Рп - удельное сопротивление полупроводника р- и п-типа; р, подвижность электронов и дырок; D„, D, - коэффициент диффузии электронов й дырок;

b = р„/Рр - отношение подвижностей электронов и дырок;

Lp -средняя длина диффузии дырок в «-области;

L„ -средняя длина диффузии электронов в р-области;

0123 ... 99