тивлении диода, как это следует из эквивалентной схемы рис. 6.2, б, должна уменьшаться, и при неограниченном увеличении этого тока, когда Гд О, роль емкости Сдиф должна свестись к нулю. Полное сопротивление диода при больших прямых токах определяется главным образом сопротивлением базы г. Следует указать, что это сопротивление не является чисто активным, а содержит та1сже индуктивную составляющую, связанную с эффектом модуляции сопротивления базы. Из-за конечного времени распростра-

Рис. Й.З. Зависимость сопротивления /-д и емкости Сд„ф от частоты сигнала, полученная на оонованин формул (6.1) и (6.2),

нения дырок в базовой области (близкого к т,) изменение тока через нее отстает по фазе от изменения приложенного к базовой области напряжения (более подробно э(}эфект модуляции сопротивления базы рассмотрен в гл. 7).

Таким образом, для каждого диода можно найти такое значение прямого тока смещения, при котором изменяется характер его сопротивления. Такие зависимости, снятые при помощи измерителя полных сопротивлений Р2-3 (ИПСП-1), показаны на рис. 6.4. Эквивалентная схема диода представлялась в виде параллельного соединения активного, емкостного и индуктивного сопротивлений. Определяющим является то из сопротивлений Xt или Хс, величина которого меньше.

Для диодов типов Д10 и Д18 величина так называемого тока инверсии г„нв, при котором Xt ~ Хс, равна нескольким десяткам или сотням микроампер. Чем меньше абсолютная величина сопротивления базы Ге, тем больше для данного диода величина то;;а инверсии. У плоскостных

диодов ток инверсии обычно больше, причем наблюдается его сильная зависимость от частоты. Так, например, у диодов ДЗП « 0,8 ма при частоте / = 120 Мгц и возрастает до 3,5 ма при снижении частоты до 30 Мгц.

Зависимость полного прямого дифференциального сопротивления диода

Рд = Гд + Гб

от определяющих его величин (oi и /р) из-за неопределенности параметра rg можно найти опытным путем (рис 6.5; 6:6). Р1з графика рис. 6.5 видно, что величина Рд при боль-

Д1в /

пр >

Рис. 6.4. Экспериментальные зависимости индуктивной Л и емкостной Kq составляющих полного сопротивления диодов Д10 п Д18 от величины прямого тока.

Кривые /, 2, 3 сняты ссютветствеино при частотах 30; 70 и 120 Мгц.

ших значениях прямого тока оказывается меньшей у тех диодов, у которых больше площадь выпрямляющего контакта и больше время жизни дырок Тр. При прочих равных условиях меньшими значениями Рд обладают диоды, у которых на конец контактной иглы нанесена акцепторная примесь. При малых токах кривые R. = /(/пр) Дя всех диодов сближаются, так как при этом определяющим является

дифференциальное сопротивление р-п перехода, которое не зависит от радиуса контакта г, удельного сопротивления материала р и времени жизни неосновных носителей т

Рис. 6.5. Зависимость полного дифференциального прямого сопротивления диодов различных типов от прямого тока

Параметры диода при обратном смещении. При смещении диода в обратном направлении Сд„ф-» О, а Гдоо. В то же время величина Гу обычно много больше гп. Сле-

15 10 S

Рис. 6.6. Зависимость полного дифференциального прямого сопротивления диода от тока при частоте 1 кгц (кривая 1) и 70 Мгц (кривая 2)

5 10 15 го 1пр,ма

довательно, в этом случае Диод можно заменить эквивалентной схемой рис. 6 2, в. (При частоте сигнала, не превышающей наивысшую рабочую частоту точечного диода, влиянием индуктивности корпуса можно пренебречь.)