в этом случае можно считать, что детектирование линейное и для определения прямого и обратного сопротивлений можно пользоваться кусочно-линейной аппроксимацией вольтамперных характеристик диодов (рис. 6.8, б).

Угол отсечки 6 тока через диод можно найти из следующего уравнения:

пр .

tge -G

(6.7)

6800

Я, 15 и

6600

5,1 к

К усилителю НЧ

«6-о

Рис 6.11. Схема

детектора амплитудно-модулирован-ных колебаний.

Для получения на выходе детектора напряжения, близкого к амплитуде входного сигнала (т. е. большого коэффициента передачи К), необходимы малые углы отсечки, так как

/С = cos е. (6.8)

Входное сопротивление детектора зависит от величины сопротивления нагрузки и обратного сопротивления диода Робр:

/?вх -

(6.9)

и.+ 2 обр

при расчете детектора следует учитывать значительные уменьшения Къу при увеличении температуры диода.

Если амплитуда высокочастотного сигнала, подводимого к диоду, уменьшается, то детектирование становится квадратичным. При этом значительно увеличиваются нелинейные искажения, падает входное сопротивление и коэффициент передачи. При детектировании сигнала с большой амплитудой диод фактически работает в импульсном режиме. Особенности работы диодов в таком режиме более подробно изложены в гл. 8.

Высокочастотные диоды можно также использовать в качестве нелинейного сопротивления в схемах автоматичес-

кой регулировки усиления (АРУ). Частотный диапазон регулировки делителя (рис. 6.12) при заданной неравномерности частотной характеристики определяется емкостью диода, поэтому необходимо, чтобы он имел минимальное значение. Для уменьшения потерь в цепи диода необходимо, чтобы достаточно малое сопротивление Rn достигалось при минимально возможных значениях прямого тока.

Вход 0-11-

Выход Ь-0

"Г X

Вход ЖДу ДгЖ. Выход

Д ! 0,05

=огр

Corp

Рис. 6.12. Схема APV.

Рис. 6.13. Схема двухстороннего ограничителя.

Испытание диодов различных типов в схеме регулируемого делителя (рис. 6.12) показало, что Диоды Д2 могут быть использованы до частот 150 Мгц. Недостатком их является значительный спад частотной характеристики, большие значения обратного тока и сильная зависимость от температуры, что снижает устойчивость работы схемы. Диоды типа Д9 из-за большого значения барьерной емкости (Cg як 1 пф) могут быть использованы лишь до частот 30 - 50 Мгц. Применение кремниевых точечных диодов Д104-Д106 ограничивается большой величиной прямого сопротивления. -1аиболее удобны для применения в схемах АРУ при частотах до 70 Мгц точечные диоды типов Д10 и Д18 и плоскостные типа Д311.

Наиболее полно нелинейные свойства высокочастотных диодов используются в ограничителях - устройствах, амплитуда выходного напряжения которых остается постоянной независимо от величины входного напряжения, если только входное напряжение выше или ниже определенного уровня, называемого порогом ограничения.

Одна из схем двухстороннего ограничителя с параллельным включением диодов показана на рис. 6.13. Наиболее жесткие требования к ограничителям предъявляются при

использовании их для подавления паразитной амплитудной модуляции в приемниках многока-нальных ЧМ линий связи. Эффект подавления амплитудной модуляции возрастает с ростом крутизны диода, равной S = 1/Рд.

Точечные диоды широко применяются для коммутации высокочастотных сигналов. Преимущества полупроводниковых коммутационных устройств по сравнению с аналогичными механическими газоразрядными и ферритовыми устройствами несомненны и заключаются в их большем быстродействии, меньших габаритах и значительно более высокой надежности.

Используемые в коммутаторах полупроводниковые диоды должны обладать малым прямым дифференциальным сопротивлением (для пропускания сигнала с минимальными потерями) и малой емкостью при обратном смещении Сд (для обеспечения хорошего запирания коммутатора). Этим требованиям хорошо удовлетворяют, например, диоды ГД402А,Б.

ЛИТЕРАТУРА

1. Иванов С. Н., П е н и и И. А., Скворцов а И. Е., Соколов Ю. Ф. .Физические основы работы юлупровоя-никовых СВЧ диодов. Изд-во «Советское радио», 1965.

2. «Кристаллические детекторы», ч. 1 и 2. Пер. с англ., под ред. Е. Я. Пумпера. Изд-во «Сове.токое радио», 1950.

3. К а л а ш н и к о в С. Г., П е н и н Н. А. Влияние частоты на выпрямительные свойства полупроводниковых диодов при малом переменном напряжении, ЖТФ, 1955, т. 25, № 6, стр. 1111

- 4. А д и р о в и ч Э. И. Проводимость и коэффициент передачи напряжения полупроводникового диода в нестационарном режиме. ФТТ, 1959, т. 1, № 7, стр. 1115.

5. П е н и н И. А. Влияние скорости рекомбинации у невыпряд1-ляющего электрода на частотные свойства р-п перехода для случая малых переменных напряжений. «Радиотехника и электроника», 1957, т. 2, № 8.

6. Е л к и н Н. А., Т о щ а к о в Л. Н. Детектирование на полупроводниковых приборах. Связьиздат, 1961

7. Гонеровский И. С. Основы радиотехники. Изд-во «Советское радио», 1957..

8. Гуткин Л. С, Лебедев В. Л., Сифоров В. И. Радиоприемные устройства, ч. II. Изд-во «Советское радио», 1963.

9. Носов Ю. Р. Расчет полупроводникового коммутатора высокочастотных сигналов. «Электросвязь», 1966, № 12, стр. 18-20.