ТКЕ - температурный коэффициент емкости - относительное изменение емкости варикапа при заданном напряжении смещения при изменении температуры окружающей среды на 1° С в заданном интервале температур.

п - степень зависимости емкости от приложенного напряжения.

ТКД - температурный коэффициент добротности - относительное изменение добротности варикапа при заданном напряжении смещения при изменении температуры окружающей среды на Г С в заданном интервале температур.

kc - коэффициент перекрытия- отнощение максимальной емкости диода к минимальной.

Риакс - максимально допустимая мощность - максимальное значение мощности, рассеиваемой на варикапе, при котором обеспечивается заданная надежность при длительной работе.

Rt: - общее тепловое сопротивление - отнощение разности между температурой перехода и температурой окружающей среды к мощности, рассеиваемой на варикапе Б установившемся режиме.

Классификация варикапов производится, как правило, по следующим параметрам: величине номинальной емкости, величине добротности, максимально допустимому напряжению.

Рассмотрим методы измерения основных параметров варикапов - емкости и добротности. При измерении этих параметров основная трудность состоит в том, что требуются очень малые величины переменного сигнала из-за нелинейности вольтфарадной характеристики р-п перехода.

В настоящее время лучшим методом измерения емкости является метод емкостно-омического делителя (см. § 2.5).

Для измерения добротности варикапа используется резонансный метод.

Схемы измерения добротности варикапов с различной величиной добротности изображены на рис. 7.6 и 7.7. Погрешность измерения добротности варикапа по схеме рис. 7.6 не более ±15% (при отсутствии эталона добротности), а при наличии аттестованного эталона (последовательной iC-цепочки) - не более ±10%.

* Методика измерения указанных параметров варикапов была предложена Э. Н. Рубинштейн.

Добротность варикапа вычисляется по формуле

Q С,

где Сд - емкость варикапа, равная разности двух показаний конденсатора С; Ск - полная емкость контура, настроенного в резонанс при заданной частоте; Qk-собственная добротность контура без варикапа; Q -показа-

•0 0-

Рис. 7.6. Схема измерения добротности варикапа с величиной

<Зном > 50:

ГЯ1 - генератор синусоидальных напряжений; ЯД -испытуемый диод; СУ- линейный селективный усилитель; ИН - измеритель постоянного напряжения смещения Е (милливольтметр или вольтметр постоянного тока); ГН - генератор постоянного напряжения смещения Е; Я-электроизмерительный при бор, градуированный в единицах добротности.

ние шкалы измерителя Q, выраженное в долях от максимального значения шкалы, принимаемого за единицу. Индуктивность контура находят по формуле

L = 2,54-10* Ck мкгн;

сопротивление резистора R и емкость конденсаторов С, Cg и Сз выбирают из условий:

R < 0,01 /?д, Сз>100Ск;

CjCi>4YQjCRf, •

где /?вх - входное сопротивление усилителя на частоте измерения.

При добротности варикапов менее 50 используется схема измерения, изображенная на рис. 7.7.

Калибровка шкалы измерителя Q производится с помощью эталонных параллельной и последовательной RC-цепо-чек с величинами-емкости С и добротности Q, близкими к па-

Рис. 7.7. Схема измерения добротности варикапа с величиной

Qhom < 50:

iRi +i?2) -сопротивление нагрузки генератора напряжения (75 ом); индуктивность контура, настраиваемого конденсатором Cj. Обозначения остальных элементов такие же, как на рис, 7.6.

раметрам измеряемых варикапов. Элементы схеМы рис. 7.7 должны удовлетворять следующим условиям:

16/;,

2) пределы изменения индуктивности контура L при перестройке

резаке 40/2 С„„н

3) --f 2д7?2/С„„н< *

»0<2„акс

где Qi. - добротность катушки;

Qmbkc - максимальное значение измеряемой добротности варикапа.