ЛИТЕРАТУРА

1. Б е р м а н Л. С. Нелинейная полупроводниковая емкость. Физматгиз, 1959.

2. J о п S о п Е. О. Simpliefild treatment of electric charge relations of a semuconductor surface. RCA Rev., 1957, v. XVIll, p. 525-555.

3. Кингстон, Нейштадтер. Вычисление пространственного заряда, электрического поля и концентрации свободных носителей тока на поверхности полупроводника. В сб. «Проблемы физики полупроводников» под ред. В. Л. Бонч-Бруе-вича. Изд-во иностранной литературы, 1957.

4. Pfann, Garret. Semiconductor varactors using surface space - charge, layers. Proc. IRE, 1959, t. 47, № 11,

p. 2011-2012.

5. M о 1 1 I. L. Variable capacitance with large capacity change. IRE - Wescon, 1959, v. 3, p. 32-36.

6. В у л Б. М. О емкости переходных слоев в полупроводниках. ДАН СССР, 1954, т. 96, № 2, стр. 257-259.

7. В у л Б. М. О диэлектрических свойствах переходных слоев в полупроводниках ЖТФ, 1956, т. 25, вып. 1, стр. 3-10.

8. В у л Б. М. О емкостных характеристиках р-п переходов. ФТТ, 1961, т. 3, вып. 1, стр. 204-205.

9. G i а с о 1 е t t о L. J., Junction capacitance and related characteristics using graded impurity semiconductors, IRE Trans., 1957, ED-4, № 3, p. .207-215.

10. С a M о Й л e H к о B. И. Особенности работы полупроводниковых диодов и триодов при больших напряжениях. Оборонгиз, 1959.

П. Frazier Н. D. Hypersensitive voltage variable capacitors. Semiconductor Products., 1960, March, p. 56-59.

12. S h t r a b 1 e F. Q. A voltage variable capacitor. Elect. Indust., 1958, v. 17, № 5, p. 69-73, № 7, p. 77-80.

13. С и Д о p о в Ю. И. Современные полупроводниковые конденсаторы переменной емкости. В трудах МАИ «Применение полупроводниковых приборов в авиационных радиотехнических устройствах», вып. 128, Оборонгиз, 1960.

14. Д е м и н В. П. Использование полупроводниковых элементов в схемах АПЧ. Известия- вузов. Радиотехника 1958, № 3.

15. С а м о й л е и к о В. И. Теория и расчет частотных модуляторов с применением полупроводниковых управляющих элементов. Радиотехника, 1958, т. 13, № 5.

16. Д е м и н В. П. Дискриминатор с переменной полосой пропускания. Радиотехника и электроника. Вып. 2, 1958.

17. Scott J. Applications of silicon p-n junction Capacitors. Radio and Electronics Components, 1961, v. 2, Ks 10, oct, p. 760-763.

18. Лабутин В. К. Частотно-избирательные цепи с электронной настройкой. Изд-во «Энергия», 1966.

8. ИМПУЛЬСНЫЕ ДИОДЫ

8.1. ТИПЫ ИМПУЛЬСНЫХ диодов

Импульсными называют такие полупроводниковые диоды, которые благодаря специально принятым конструктивно-технологическим мерам.могут работать в быстродействующих импульсных схемах с временами переключения 1 мксек и менее.

Основной причиной инерционности полупроводниковых диодов при работе их в режиме переключения является эффект накопления неравновесных носителей йаряда вблизи р-п перехода. Изучение основных физических закономерностей, связанных с этим эффектом, позволяет рассчитать инерционность диода в той или иной схеме и найти технологические пути, позволяющие уменьшить эффект накопления и повысить быстродействие диода. Кроме того, важную роль в инерционности диода играет барьерная емкость р-п перехода. Поскольку малое значение барьерной емкости типично и для высокочастотных диодов, в ряде случаев отдельные типы этих приборов с успехом используются в импульсных схемах. Известно, что роль эффекта накопления неравновесных носителей заряда ослабевает при уменьшении их времени жизни. Снижение величины барьерной емкости достигается главным образом уменьшением площади р-п перехода.

Таким образом, главные признаки, отличающие импульсные диоды от других диодов, -это малая площадь р-п перехода и малое время жизни неравновесных носителей заряда. =, По способу изготовления р-п перехода импульсные !диоды подразделяются на точечные, сплавные, сварные, диффузионные (меза и планарные). Схемы полупроводниковых структур импульсных диодов показаны на рис. 8.1. С одной стороны исходного кристалла создается р-п переход, обладающий выпрямляющими свойствами, с другой - невы

5В* 123

прямляющий омический контакт. Чаще всего омические контакты вплавные, полученные путем приплавления к кристаллу тонкой фольги из сплава, содерЗкащего донорную (для полупроводника п-типа) или акцепторную примесь.

Точечные диоды. В точечных диодах (рис. 8.1, а) выпрямляющий контакт получается путем прижима жесткой заостренной иглы из сплава вольфрама с молибденом к предварительно очищенной поверхности кристалла полупроводника электронной проводимости. Поскольку вольтамперная характеристика прижимного контакта нестабильна, после герметизации собранного диода производят электроформовку - пропускание через при- жимной контакт электрических импульсов большой мощности. Под действием этих импульсов приконтактная область полупроводника сильно нагревается, и непосредственно под острием иглы-образуется небольшая по размерам р-область.

В некоторых случаях для улучшения характеристик диода на острие контактной

510г иглы наносят примесь, обра-

Рис. 8.1. Убтройство р-п переходов точечных (а), сплавных (б), сварных (е), диффузионных меза-диодов (г) и пла-парных (5):

/-р-п переход; 2 -кристалл; S - омический контакт.

зующую акцепторные центры в германии и кремнии (обычно индий или алюминий). Такие диоды отличаются большими размерами р-области и значительно более высокой прямой проводимостью, чем чисто точечные диоды. Если предположить, что образующаяся в результате элект-