ет также емкость корпуса, зависимость емкости от напряжения более слабая.

Максимальное имкульсное прямое пздеиие напряжения f/np нмп макс-максимальное падение напряжения на диоде при заданной величине импульса прямого тока (см. рис. 8.5) У большинства типов импульсных диодов значение U„p „ми макс измеряется при амплитуде импульса прямого тока, равной 50 ма. Иногда в качестве производного параметра используется значение максимального импульсного сопротивления Ruun макс, равного отношснию максимального импульсного прямого напряжения на диоде к заданной величине импульсного прямого тока. Иногда для справок приводится еще и время установления прямого сопротивления диода (см. рис. 8.5).

Эксплуатационные возможности импульсных диодов характеризуются введением трех максимально допустимых режимов.

Максимально допустимое обратное напряжение

оорыакс - максимально допустимое напряжение на диоде любой формы и периодичности, при котором обеспечивается заданная надежность диода при его длительной работе Б течение оговоренного срока службы.

Иногда приводится и импульсное максимально допустимое обратное напряжение, превышающее Zygp макс-Максимальная разрешенная длительность импульса при этом не превышает десятков микросекунд.

Максимально допустимый прямой ток /„р - максимально допустимое значение постоянного или среднего прямого тока, при котором обеспечивается заданная надежность диода при длительной работе.

Максимально допустимый прямой импульсный ток /пр „.,п макс - максимально допустимый импульсный ток через диод с оговоренной максимальной длительностью импульса, при котором обеспечивается заданная надежность диода при длительной работе.

При расчете режима работы диода • необходимо следить за тем, чтобы не превышались значения /„р макс

и /прнмп макс-

Следует отметить, что система электрических параметров диодов с накоплением заряда не приобрела до настоящего времени такой же законченности, как у малоинерционных импульсных диодов. В качестве основных характеристик используют величины ti, t, Qn и Сд.

8.6. ИЗЛ\ЕРЕНИЕ ПАРАМЕТРОВ ИД\ПУЛЬСНЫХ ДИОДОВ

Методы измерения параметров Up и /обр, а также емкости Сд подробно описаны в гл..2. Здесь мы рассмотрим измерение лишь специфических параметров импульсных диодов.

Измерения Теосст и Туст- Стандартные блок-схемы измерения времени восстановления обратного сопротивления и максимального импульсно.го прямого напряжения изображены на рис. 8.9.

генератор

Измерительное устрой-стВо

Генератор ГЛ.

"х:

\\ид

Измерительное устрой-ство

в) е)

Рис. 8.9 Блок-схема измерения времени восстановления (с) и максимального прямого импульсного напряжения (б)

В схеме измерения Теосст генератор должен обеспечить протекание через диод заданного прямого тока и резкое переключение его на обратное напряжение. Конкретная величина длительности фронта переключения выбирается в зависимости от ожидаемого быстродействия измеряемого диода. По величине времени восстановления все дкоды можно подразделить на три группы: 1) диоды с Теосст = = 5 30 нсек (время переключения должно быть не более 2 - 3 нсек); 2) диоды с Теосст = 30 ч- 150 нсек (t = = 15 -f 20 нсек) иЗ) диоды с Теосст > 150 нсек (ф = 80 -f--f-100 нсек). Длительность при этом, в отличие от обще-.принятой методики, измеряется от уровня 0,7inp до уровня 0,9 «„мп- Выходное сопротивление генератора запирающих импульсов должно быть меньше, чем сопротивление нагрузки длода (рис. 8.9, а), равное сумме выходного сопротивле ния генератора и сопротивления нагрузки /?„. Величина сопротивления резистора Ra выбирается равной 150 ом (для первой группы), 300 ом (для второй группы) и 600 ом (для третьей). Во всех случаях точность установления величины

должна быть не хуже -f20%. В качестве измерительного устройства в схеме рис. 8.9, с применим осциллограф с соот-ветствующей полосой пропускания или любое другое устройство, позволяющее измерять требуемые временные интер-

валы на заданном уровне переходного обратного тока. В обоих случаях входная емкость измерительного устройства Свх должна быть настолько малой, чтобы для измеряемых

диодов выполнялось условие СвхНи < 0,2Твосст-

Аналогичные требования предъявляются и к схеме измерения максимального импульсного прямого напряжения (рис. 8.9, б), в которой генератор представляет собой генератор импульсов прямого тока. В этом случае диоды разделяются на те же три группы, только вместо величины Твосст

г енератор импульсов

к осциллографу

Рис. 8.10. Принципиальная схема измерения времени восстановления диодов среднего быстродействия

используют значения времени установления прямого сопротивления, а под понимают длительность переднего фронта импульса тока.

Принципиальная схема измерения параметров с индикацией по осциллографу. Простейшая и наиболее распространенная принципиальная схема измерения, использующая в качестве измерительного устройства осциллограф изображена на рис. 8.10.

Диоды д1 и Дг используются для разделения цепей токов прямого смещения измеряемого диода. Эти диоды должны быть более быстродействующими, чем измеряемый диод ЯД. В тех случаях, когда выброс переходного обратного тока намного превышает уровень отсчета, в схему вводят дополнительный ограничитель обратного тока.

При тщательном выполнении всех требований, предъявляемых к измерительным схемам, во всех осциллографичес-ких методах, удается получить точность измерения величины Твосст в пределах +30 и -15% и точность измерения fnp имп макс, равной ±20%.