Безосциллографические установки. Из-за низкой точности осциллографических методов, а главным образом из-за их низкой производительности и возможности субьек-тивных ошибок в производственных условиях все более широкое распространение находят безосщмлографические методы измеренртя Tbqcc-i пып макс-

Наибольшее распространение в заводской практике получили полуавтоматические установки, использующие амплитудный дискриминатор на туннельном диоде.

Принцип измерения времени восстановления обратного сопротивления заключается в том, что туннельный диод формирует из экспоненциально спадающего импульса переходного обратного тока измеряемого диода прямоугольный импульс с крутыми фронтами, по длительности равный Твосст от начала запирающего импульса до момента, когда обратный ток спадает до заданного отсчетного уровня. Длительность сформированного таким образом- импульса сравнивается с временем задержки запирающего импульса, прошедшего через калиброванную регулируемую линию задержки. •

Принцип измерения максимального импульсного напряжения основан на сравнении амплитуды выброса напряжения, возникающего на испытуемом диоде при подаче импульса прямого тока, с опорным напряжением Lou-Схема сравнения, как и при измерении времени восстановления, также построена на туннельном диоде. Если у измеряемого диода величина Упримпмакс меньше, чем оп f/пик, то переключения туннельного диода не произойдет; в противном случае туннельный диод переключается и сработает устройство световой индикации (рис. 8.П). Плавно изменяя величину Uon- и определяя порог срабатывания туннельного диода, мы тем самым находим величину Lnp нмп макс-

Измерение Тоосст в схеме на туннельном диоде. Одна из схем измерения времени восстановления безосциллографи-ческим методом показана на рис. 8.12. В этой схеме при протекании через испытуемый диод тока прямого смещения Inp рабочая точка туннельного диода находится в положении /. Ток туннельного диода при этом равен ii = inp + h, причем величина i-i определяется напряжением источника -£2 и сопротивлениями резисторов и R,.

После приложения к испытуемому диоду запирающего импульса напряжения рабочая точка туннельного диода

поднимается в положение ; величину тока выбирают такой, чтобы точка лежала ниже точки максимума, т. е. чтобы не происходило переключение туннельного диода. По мере уменьшения переходного обратного тока рабочая точка опускается по туннельной ветви, стремясь к положению /, в котором ts г» Ig.

Запирающий импульс, задержанный с помощью калиброванной линии задержки на некоторое время, подается через резистор Rs на туннельный диод. Параметры схемы выби-

Рис 8.11. Принцип измерения параметра t/jjp макс- ПОМОЩЬЮ туннельного диода

раются такими , что если обратный ток диода к этому времени не упал ниже заданного отсчетного значения, то туннельный диод переключится на диффузионную ветвь и сработает внешнее сигнальное устройство.

Таким образом, меняя длительность времени задержки импульса и находя порог срабатывания схемы, мы тем самым определяем время восстановления испытуелюго диода.

Благодаря высокой стабильности положения точки максимума на вольтайперной характеристике туннельного диода и высокой скорости его срабатывания на основе описанных принципов удается измерять время восстановления импульсных диодов от 30 до 150 нсек с точностью ±5 нсек и максимальное импульсное прямое напряжение в предалах от 0,5 до 5 е с точностью ±0,1 в.

6В. Зак. 1768 1БЗ

Измерение заряда переключения. Заряд переключения импульсных диодов измеряется главным образом в лабораторных условиях. Известно несколько способов определения Qn-

Иногда для измерения Qn используют осциллограмму переходного процесса переключения диода. Однако вычис-

Индцкатор-цо нов устрой- стВо

Рис. 8.12. Схема измерения време ни восстановления, использующая туннельный диод (а) и вольтамперная характеристика туннельного диода (б).

ление заряда переключения, численно равного площади, заключенной между нулевой токовой линией и кривой обр(0. крайне трудоемко и неточно.

Наиболее щирокое распространение получил безосцил-лографический метод определения Q„, использующий ту же схему, что при измерении Твосст (рис. 8.10, а), но с включением в качестве нагрузки интегрирующей цепочки, состоящей из микроамперметра, щунтированного емкостью.

Простейшая принципиальная схема устройства для измерения заряда переключения показана на рис. 8.13. Нетрудно показать, что при величине среднего тока микроамперметра ta и частоте следования запирающих импульсов /заряд переключения измеряемого диода равен

2обр

Q-Q4- Qc

(8.35)