Здесь i2o6p - обратный ток диода Дг. Q и Q"-заряды переключения диодов Д- и Д2, Q -заряд паразитной емкости монтажа.

Заряд паразитной емкости Qc определяется величиной емкости в точке А по отношению к земле Са и прямым напряжением на диоде Д:

QcCaU„p.

Поскольку величины зарядов Q, Q" и Qc точно определить практически невозможно, желательно выбирать такие

Рис 8.13 Схема измерения заряда переключения

диоды д1 и Дг, заряды переключения которых по крайней мере на порядок меньше, чем у измеряемых приборов, а также сводить к минимуму паразитную емкость.

Если все эти условия выполнены и обратный ток диода Дг достаточно мал, что практически выполняется при использовании кремниевых диодов, то выражение (8.35) упрощается:

Qn = ta/-. •

Иногда ДЛЯ снижения паразитной емкости точки Л в качестве диода д1 используют вакуумный диод с малым значением проходной емкости.

ЛИТЕРАТУРА

1. Федотов Я. А. Основы физики полупроводниковых приборов. Изд-во «Советское радио», 1963.

2. П и к у с Г. Е. Основы теории полупроводниковых приборов. Изд-во «Наука», 1965.

3. Н о с о в Ю. Р. Полупроводниковые импульсные диоды. Изд-во «Советское радио», 1965.

4. Е р е м и н С. А., М о к е е в О. К., Носов Ю. Р. Полупроводниковые диоды с накоплением заряда и их применение. Изд-во «Советское радио», 1966.

5. Н о с о в Ю. Р. Переходные характеристики полупроводниковых диодов. В сб. «Полупроводниковые приборы и их применение», под ред. Я. А. Федотова, вып. 4. Изд-во «Советское, радио», 1960.

6. Н о с о в Ю. Р., Г у б ы р и н Л. В. Полупроводниковые импульсные диоды. В сб. «Полупроводниковые приборы и их применение», под ред. Я. А. Федотова, вып. 3, 12. Изд-во «Советское радио», 1964.

7. Kingston R. Н. Время переключения в плоскостных диодах и транзисторах. Ргос. IRE, 1954, v. 42, № 5, p. 829

8. L а X В., Neustadter S. F. Переходная характеристика p-n перехода. J. Appl. Phys., 1954, v. 25, № 9, p. 1148.

9. Henderson J.. G., Tillman J. Накопление неосновных носителей в полупроводниковых приборах. Ргос. 1RE, 1957, V. 104, № 15, р. 318.

10. А г m s t г о п g Н. L., М е t z Е. D., W е i m а п J. Характеристики резкого полусферического р-п перехода. IRE Trans., 1956, ED-3, № 2, p. 86.

И. Kohn G, Nonnenmacher W. Индуктивная характеристика p-n переходов в прямом направлении. Arch. Electr. Obertrag, 1954, Bd. 8, № 11. S. 561.

12. G u g gen b fi hi W. Теоретический анализ и физическое обоснование эквивалентной схемы полупроводникового диода при больших плотностях тока. Arch. Electr. Ubertrag, 1956, Bd. 10, № 11, S. 483.

13. С T e n a H e H к о И. П. Переходные характеристики полупроводникового плоскостного диода. «Известия вузов»; Радиотехника, 1961, т. 4, № 2, стр. 175.

14. М о 1 1 J. L. К г а к а W е г S. S h е п R. Плоскостные диоды с накоплением заряда. Ргос. IRE, 1962, v. 50, № 1, p. 61.

15. Kennedy D. R. Переходные характеристики плоскостных диодов, обусловленные накоплением неосновных носителей заряда. IRE Trans. 1962, ED-9-, № 2, p. Г74.

16. К u п о Н. J. Анализ переключающих характеристик плоскостного диода. Trans. IEEE, 1964, ED-11, № 11, p. 8.

17. F i г 1 e T. E., M с M a h о n M. E., Roach J. E. Измерение времени восстановления в точечно-контактных германиевых диодах. Ргос. IRE, 1955, v. 43, № 5, p. 603.

18. В л а с к и к Б. Т., Ш т е й н В. М. Измерение импульсных характеристик нелинейных четырехполюсников. «Электросвязь», 1960, № 9.

19. М а р а н ц В. Г. Применение стробоскопического метода для измерения переходных процессов полупроводниковых приборов. В сб. «Полупроводниковые приборы и их применение», под ред. Я. А., Федотова, вып. 8, Изд-во «Советское радио», 1962.

20. R о s е п h е i m D. .Е., А n d е г s о n А. G. Высокочастотная импульсная техника и логические цепи. Ргос. IRE.

.1957, V. 45, № 2, р. 212.

Будинский Я. Транзисторные переключающие схемы. Изд-во «Связь», 1965.

Штагер В. В. Полупроводниковые приборы в импульсных и коммутационных схемах. Госэнергоиздат, 1963. Н а с л э н П. Основы цифровой вычислительной техники. Госэнергоиздат, 1962.

Киреев Б. Б., Неупокоев Б. А. Полупроводниковые элементы ЭЦВМ. Изд-во «Советское радио», 1964. Sear В. Е. Наносекундная логическая схема, управляемая зарядом. Ргос. IEEE, 1963, v. 51, № 9, p. 1215. Krakauer S. Генерация гармоник на диоде с резким восстановлением обратного сопротивления. Ргос. IRE, 1962, V. 50, № 7, р. 1665.-

Ч ж о у (W. С h о W), Хьюберт (J S. С и b е г t).

Наносекундная переключательная схема на туннельных диодах и диодах с накоплением заряда «Электроника», 1963, V. 36, № 42, р. 25.