кристаллы с четырехслойной структурой и омическими контактами подвергают травлению в смеси плавиковой и азотной кислот для очистки р-п переходов от загрязнения. Затем покрывают защитной эмалью (рис. 9.9, в), напаивают на медный кристаллодержатель и герметизируют.

Омичеснай у к контакт

П-! Рис. 9.10. Диффузионный метод

z изготовления четырехслойной

структуры

Более перспективным методом изготовления четырехслойной структуры является диффузионный метод (рис.9.10). В результате двухсторонней диффузии акцепторной примеси (бор, алюминий или галлий) образуются переходы Яг и Яз, и в диффузионную пленку р-типа производится локальная диффузия донорной примеси (фосфор) для образования перехода Ях- Указанный метод позволяет получить одновременно большое число кристаллов с четырехслойной структурой на пластине кремния и дает возможность использовать для защиты поверхности р-п переходов окисную пленку. Диффузионный метод нашел широкое применение при изготовлении мощных тиристоров [12], для которых требуются переходы большой площади и специальной конфигурации.

• 9:7. МЕТОДИКА ИЗМЕРЕНИЯ ПАРАМЕТРОВ ТИРИСТОРОВ

Статические параметры. Схема измерения прямого и обратного токов утечки такая же, как при снятии вольтамперных характеристик диодов (§ 2.3). Если тиристор применяется с шунтирующим резистором между управляющим электродом и катодом, то все параметры следует измерять при включенном шунте. При измерении остаточного напряжения и тока выключения (рис. 9.11) тиристор включают током управляющего электрода путем нажатия кнопки Кн, затем с помощью переменного резистора R устанавливают средний ток н определяют падение напряжения на тирис-

торе - остаточное напряжение. Затем уменьшают анодный ток до такого значения, когда дальнейшее уменьшение тока вызывает выключение тиристора. Это значение принимается за ток выключения.

-о о-Г Кн

Рис. 9.11 Схема установки для измерения остаточного напряжения и тока выключения тиристора.

Измерение включающего тока и включающего напряжения управляющего электрода производится на установке, схема которой изображена на рис. 9.12. На анод тиристора через резистор R„ подается постоянное напряжение, равное

Рис. 9.12. Схема для измерения включающих тока и напряжения управляющего электрода тиристора:

ИД -испытуемый тиристор: ГЯ-источник постоянного напряжения; ГГ-регулируемый источник тока; ИН,, ЯЯг-измерители напряжения (вольтметры;) ИТ - измеритель тока (миллиамперметр)

обычно 10 е. С помощью регулируемого источника тока ИТ плавно увеличивают ток в цепи управляющего электрода до тех пор, пока напряжение на аноде тиристора резко не упадет. При этом измеряют значения тока и напряжения на управляющем электроде, которые принимают соответственно за включающий ток и включающее напряжение управляющего электрода.

Измерения статических параметров тиристоров производятся обычно при крайних значениях рабочей температуры. Такие параметры, как остаточное напряжение, ток выключения, включающий ток и включаюш,ее напряжение управляюш,его электрода, измеряют в криостате при температуре -50 или -60° С, где значения этих параметров максимальны. Токи утечки, имеющие максимальное значение, а также ток выключения, включающий ток и напряжение управляющего электрода, имеюш,ие минимальное значение, измеряются в термостате при температуре+ 100

к осциллографу

±«4

-0 lynp

К осциллографу

Рис. 9.13 Схема измерения времени выключения маломощных тиристоров

Рис. 9.14. Схема измерения времени г!ключения тиристорор средней мощности.

ИЛИ +120° С В зав.чсимости от типов тиристоров. При всех этих видах измерения точность поддержания режима должна быть не хуже ±2%, точность измерения не хуже ±5%. В установке для измерения токов утечки должна быть предусмотрена блокировка на случай самопроизвольного включения тиристора.

Динамические параметры. Схема измерения времени выключения маломощных тиристоров изображена на рис. 9.13. На управляющий электрод тиристора подается положительный импульс тока с амплитудой, не меньшей включающего тока управляющего электрода, и длительностью, равной обычно времени включения. При этом анод-ный ток тиристора будет / E.R. Через время, значительно большее времени включения, на анод тиристора подается отрицательный импульс с амплитудой [Уобр и длительностью не меньше времени выключения, обеспечивающий выключение тиристора. Частота повторения импульсов выбирается обычно равной 1 кгц, а длительность включен-