4. М а к i n t о s h J. М., Three terminal p-n-p-n transistor switches. IRE. Trans, on Electron. Devices, 1958, v. ED-5, № 1, p. 10. Русский перевод в сб. «Полупроводниковые приборы с отрицательным сопротивлением», под ред. С. А. Гаряинова, Госэнергоиздат, 1962.

5. Storm Herbert F. Introduction to turn - off silicon controlled rectifiers. IEEE Trans. Commun. Electron, 1963, № 67, p. 375-383.

6. Stasior Richard A. How to supress rate effect in p-n-p-n devices. Electronics, 1964, v. 37, № 2, p. 30-33.

7. R о о t С. D. Negative current bias and resistance bias for

preventing turn on by - of controlled rectifiers. Proc. IEEE, dt

1963, V. 51, № 1, p. 1672.

8. M i s a w a T. Turn-on transient oTp-n-p-n triodes. J. Electronics and Control, 1959, v. VIII, № 6, p. S23-533.

9. К у 3 ь M и H В. A. О времени выключения приборов со структурой р-п-р-п. «Радиотехника и электроника», 1964, № 8, стр. 1410-1415.

10. Stumpe August С. Das Schaltverhalten der steuerba-ren Silizum.zelle E. T. Z, 1962, Bd. 13, № 23, S. 291-298. (Русский перевод в сб. «Полупроводниковые управляемые вентили», под ред. В. Г. Комара и В. А. Лабунцова, Госэнергоиздат, 1962.

11. М о ч а л к и н а О. Р., С п и р о Н. Н. Тиристоры типов Д235 и Д238 на токи 2 и 10а. В сб. «Полупроводниковые управляемые вентили-тиристоры», под ред. М. Г. Чиликина, Изд-во «Энергия», 1964.

12. Грехов --И. В. и др. Тиристоры серии ВКДУ на токи 50-200 а. В сб. «Полупроводниковые управляемые вентили - тиристоры», под ред. М. Г. Чиликина, Изд-во «Энергия», 1964.

j3. Н а г u к i Н i г о m и. Construction and function of Fuji silicon controlled rectifiers cells. Fuji Denki Rev., 1963, v. 9, № 5, p. 133 - 139.

14. G u t z w i И e r F. W. Thyristor semiconductor componente today. IEEE. Trans on Ind. and Gen. Appl., 1965, v. 1, № 6, p. 403-409.

15. E. Keith Howell. Light-activated switch expands uses of silicon controlled rectifiers. Electronics, 1964, № 4, p. 53-61.

16. R о s s R. W., S к a 1 n i к J. G. An analisis and experimental investigation of the binistor. IRE Trans, 1962, March, ED-9, № 2, p. 153-161.

17. Z u s e h e r J., V о о r r i p s H. C. Silicon rectifier controls power in either direction. Electronics, 1963, v. 36, № 51, p. 63-65.

18. В er g m a n C. D. The gate triggered turn-on process in thi-ristors solid state. Electronics, 1965, v. 8, № 9, p. 757-765

10. ДЕТЕКТОРНЫЕ И СМЕСИТЕЛЬНЫЕ ДИОДЫ

10.1. принцип действия и устройство

Диоды, предназначенные для детектирования, называются детекторными, а устройство, в котором они осуществляют свою функцию, - детектором. Диоды, предназначенные для работы в схеме преобразования частоты, называются смесительными, а устройство в целом - преобразователем частоты или смесителем. Следует подчеркнуть различие между диодом и устройством, в котором диод работает. В то время как диод является по существу двухполюсным прибором, детектор или преобразователь частоты удобнее рассматривать как многополюсник, различные пары полюсов которого соответствуют сигналам различных частот. Разделение сигналов осуществляется системой фильтров, являющейся неотъемлемой частью детектора или смесителя.

Прижимной контакт. Нелинейное сопротивление в детекторных и смесительных диодах СВЧ в настоящее время создается почти исключительно с помощью прижимного контакта металл - полупроводник. Выпрямляющий контакт в этих приборах возникает при прижиме к поверхности полупроводника заостренной металлической проволоки (контактной пружины). Такой контакт в литературе называется точечным.

Вольтамперная характеристика. Физической основой выпрямляющего действия контакта металл - полупроводник является наличие под поверхностью полупроводника тонкого (толщиной порядка Ю- см) запирающего слоя. Свойства этого слоя как нелинейного сопротивления описы-

Применяемое иногда название этих диодов - видеодиоды или видеодетекторы - неточно отражает их назначение и пользоваться им не рекомендуется. •

7 Зак. 1758 177

ваются вольтамперной характеристикой (рис. 2.1), аналитическое выражение которой имеет вид [1]

/ = Л

e"-l) (10.1)

Коэффициент А определяется рядом физических характеристик контакта и его площадью.

Сопротивление растекания. Напряжение 6в выражении для вольтамперной характеристики представляет Собой напряжение на запирающем слое. Поскольку последовательно с этим слоем всегда включено сопротивление объема полупроводника г, называемое сопротивлением растекания, то полное напряжение на выпрямляющем контакте равно

и = и+ Ir.

Таким образом, уравнение вольтамперной характеристики диода принимает вид .

Ук = ln(-f l)-f /г. (10.2)

Если толщина полупроводникового кристалла значительно превышает диаметр контакта, а толщина запирающего слоя много меньше его, что обычно выполняется на практике, то последовательное сопротивление будет равно [1]

г=£. (10.3)

где d - диаметр контакта.

Вольтамперные характеристики реальных диодов отличаются от (10.1), (10.2). Они не вполне экспоненциальны, а коэффициент в показателе экспоненты обычно меньше qikT = 40 е-1 и составляет 20 - 35 в-. При отрицательных напряжениях ток через диод не постоянен, как это следует из (10.1), но возрастает с увеличением напряжения. Наконец, величина сопротивления г обычно в 3 - 4 раза превосходит ее расчетное значение (10.3). Практически для кремниевых диодов величина г составляет 10 - 50 ом. Коэффициент А имеет величину 10- - 10-а.