тивления р-п перехода. При больших токах дифференциальное сопротивление перехода мало и общее сопротивление определяется сопротивлением базы; зависимость тока от напряжения представляет собой линию, угол наклона которой пропорционален величине г.

Вовремя снятия вольтамперных характеристик и при больших значениях тока нельзя допускать повышения температуры диода. Нагрев диода сильно влияет на его характеристику в области прямых токов.

Рис. 2.1. Вольтамперные характеристики! 1-р-п перехода; 2-реального диода.

Из выражения (2.2) можно найти температурный коэффициент напряжения (ТКН), который определяется как изменение прямого падения напряжения на диоде, соответствующее изменению температуры на 1° G при постоянном токе диода, т. е.

ТКН = аТ,

(2.4)

(/=const)

На рис. 2.1 показаны вольтамперные характеристики идеализированного р-п перехода и реального диода. Обратный ток диода не имеет насыщения, а увеличивается с ростом обратного напряжения; он состоит из трех компонентов: теплового тока, образованного неосновными носителями.

возникающими за пределами перехода; тока термогенерации пар носителей в области перехода; и тока утечки (см. § 1.3).

Величина обратного тока сильно зависит от окружающей температуры (см. § 4.2).

На обратной ветви вольтамперной характеристики при больших обратных напряжениях имеется область быстрого нарастания обратного тока при незначительном увеличении обратного напряжения. Причиной этого является развитие одного из видов пробоя р-п перехода, описанных в § 1.5.

Учитывая перечисленные выше особенности вольтамперной характеристики, в технических условиях на диоды в качестве электрических параметров задают координаты ее точек на прямой и обратной ветвях.

Параметры диода, характеризующие прямую ветвь: inp - прямое падение напряжения на диоде при заданной величине постоянного прямого тока /пр. Напряжение f/np целесообразно измерять при двух различных значениях прямого тока: малом (0,001 - 1 ма) и большом (0,005 - 1 а).

- дифференциальное сопротивление - отношение приращения напряжения на диоде к вызвавшему его малому приращению тока через диод.

Обычно дифференциальное сопротивление измеряется при фиксированном значении постоянного прямого тока. Этот параметр проверяют у высокочастотных диодов, варикапов, а также у диодов, используемых главным образом для ограничения видео- и радиоимпульсов.

Параметры диода, характеризующие обратную ветвь:

io6p-постоянное обратное напряжение на диоде при заданной величине постоянного обратного тока, протекающего через диод;

/обр - постоянный обратный ток, протекающий через диод при подаче на него постоянного обратного напряжения t/ocp.

2.2. ЭКВИВАЛЕНТНАЯ СХЕМА ДИОДА

В общем случае диод может быть представлен эквивалентной схемой, изображенной на рис. 2.2. На схеме приняты обозначения:

Ск - емкость корпуса диода;

- индуктивность выводов и контактной пружины, соединяющей кристалл с одним из выводов;

Гп - сопротивление р-п перехода; Сп - емкость р-п перехода;

Гб - сопротивление базы, омического контакта и выводов диода.

Индуктивность составляет I - 20 нгн, поэтому ее имеет смысл учитывать только на частотах выше 100 Мгц, где сопротивление coL становится соизмеримым с прямым сопротивлением диода. Емкость корпуса Ск диодов обычно не превышает 0,3 пф. Сопротивление перехода Гп шунти-, руется емкостью Сп; в зависимости от напряжения, приложенного к диоду, меняются величины г„ и Сп. Когда

Рис. 2.2. Эквивалентная схема т»

диода

диод смещен в прямом направлении, Гп мало и представляет собой прямое сопротивление перехода; для малого сигнала Гп = ?д -Гб при заданном прямом токе. Величина сопротивления перехода не остается постоянной на разных частотах. Зависимость Гп от частоты для малого сигнала определяется выражением [4]

Гп (СО) = .- / =-. (2.5)

М/+ /о) К 1 + +

Емкость Сп при прямом смещении диода состоит из барьерной емкости Сб и диффузионной емкости Сдиф, обусловленной неосновными носителями в нейтральных областях диода.

Частотная зависимость барьерной емкости проявляется только на частотах, соизмеримых с частотой диэлектрической релаксации материала

: /-- • (2-)

Так, для германия с удельным сопротивлением 0,1 омсм частота/г да 10 гц. Поэтому на частотах вплоть до 10 гц емкость Сб можно считать постоянной. Величина барьерной.

2В Зак. 17Б8 25