тивление диода, что приводит к улучшению воспроизведения диодом формы модулирующего импульса.

Применение смещения выгодно и в других отношениях. Поскольку выходное сопротивление диода уменьшается, относительная роль шунтирующей барьерной емкости снижается. Это уменьшает разброс величин полных сопротивлений диодов и облегчает широкополосное согласование диода. Такая величина сопротивления R

вых непосредственно

способствурт широкополосному согласованию благодаря

а/вт ет-/1 \

20 40 60 1о,мка с)

-\1 О

40 60 Ig, мка

Рис 10.10. Зависимость параметров детекторных диодов от тока положительного смещения

уменьшению различия между импедансами передающей линии и диода. Кроме того, с ростом тока смещения уменьшается зависимость электрических параметров от температуры (рис. 10. U).

Смесительные диоды. Зависимость параметров от величины мощности гетеродина. На рис. 10.12 показано изменение выпрямленного тока /, потерь преобразования L, выходного сопротивления Рвых, шумового отношения t и нормированного коэффициента шума F от величины мощности гетеродина для диодов типов Д405Б и Д408.

Такого же характера зависимости имеют место и для других типов смесительных диодов. Для большинства диодов оптимальная мощность гетеродина лежит в пределах 0,4 - 1 тт.-

Влияние смещения на параметры смесительных диодов.

Как правило, внешнее смещение на кремниевые смесительные диоды не подается. Отрицательное напряжение автосмещения, создаваемое нагрузкой диода по постоянному току, приводит к возрастанию шумового отношения, и поэ-

тому рекомендуется выбирать сопротивление нагрузки по постоянному току как можно меньшим (обычно 50 - 100 ом).

г- 10

- 100

15 та v 50 та 50 т.а Р 15 мка

50 мка Л 3 15 мка

15 мка • .50 мка

-50 О 50 100 t,X

-50 О 50 100 150 .t°Q б)

Рис. ICII. Зависимость параметров детекторных диодов от температуры при различных токах положительного смещения: а--зависимости чувствительности по току PQgq и сопротивления в рабочей точке Двых 6 -зависимости добротности М и шумового отношения t.

Зависимость параметров от температуры. В интервале температур -60 -f- +70° С зависимость коэффициента шумз

Рис. 10.12. Зависимость параметров смесительных диодов от мощности гетеродина: а-диод Д408; б-диод Д40Б

а следовательно, и чувствительности приемника от температуры незначительна. При температуре выше 100° G коэффициент шума начинает резко возрастать и при 150° С

изменение коэффициента шума может достигать 5 дб. При температуре ниже -60 ° С коэффициент шума также возрастает, что в основном объясняется увеличением уровня : избыточного шума [21].

10.8. ЭЛЕКТРИЧЕСКИЕ ПЕРЕГРУЗКИ ДИОДОВ, ВЫЗЫВАЮЩИЕ ИХ ОТКАЗ

Перегрузки из-за неосторожного обращения. К ним

. относится разряд статического электричества, накопленного на теле оператора, через диод при включении диода в схему. Таким перегрузкам способствует пониженная влажность воздуха, ношение резиновой обуви, одежды из легко электризующихся тканей и т. д. Соблюдение простейших мер предосторожности, таких, как предварительное касание рукой диодной камеры перед вставлением диода, исклю-

. чает подобные перегрузки. Кперегрузкам этого рода также относится случайное попадание на диод чрезмерно большой мощности СВЧ, мощности постоянного или переменного тока из-за неправильной регулировки схемы, отсутствия заземления и т. п.

Перегрузки из-за швдхой экранировки диода возникают при попадании на диод большой непрерывной или импульсной СВЧ мощности от близко расположенных генераторов. Чаще всего воздействию большой непрерывной мощности подвергаются диоды в допплеровских станциях непрерывного излучения.

Перегрузки из-за воздействия на дмод импульсной СВЧ мощности, просачивающейся через газовые резонансные разрядники защиты приемника [34]. Действие выбросов и плоской части просачивающихся рмпульсов на диод различно. Длительность выброса импульса меньше времени установления тепловых процессов в кристалле (времени . тепловой релаксации), равного, например, для кремния при-

мерно 10- сек [1 ]. Поэтому для импульсов с длительностью менее 10~® сек выделившееся в приконтактной области тепло не успевает отводиться, и температура контакта определяется полной энергией импульса. Для импульсов с длительностью значительно более 10- сек в кристалле успевает установиться стационарное распределение температуры, значение которой в приконтактной области определяется мощностью импульса. Соответственно разрядники характеризуются энергией пика (10-2 - 5-Ю- эрг) и мощностью плоской части (десятки милливатт).

f 199