Если перегрузки превышают значения, оговоренные для диода данного типа, может произойти «выгорание» диода, т. е. необратимое изменение его детекторных, преобразовательных, а также шумовых характеристик. Часто первым признаком выгорания является возрастание шумов диода, за которым через некоторое время следует общее ухудшение параметров диода. Иногда выгорание происходит как внезапное изменение параметров диода.

ЛИТЕРАТУРА

1. «Кристаллические детекторы». Под ред.- Е. Пумпера, т.-I и П. Изд-во «Советское радио», 1950.

2. и h 1 i г А. Характеристики полупроводниковых диодов для детектирования малых сигналов СВЧ. Microwave J., 1963, V. 6, № 7, p. 59-67.

3. Федотов Я. А. Основы физики полупроводниковых приборов, Изд-во «Советское радио». 1963.

4. Федорцев Л. М., Лещинский И. Ш. Кристаллические смесительные диоды. Воениздат, 1960.

5. М е S S е п g е г G. С, McCoy С. Теория и работа полупроводниковых диодов в качестве смесителей. Ргос. JRE, 1957, V. 45, № 9, р. 1269-1283.

6. S h U г m е г Н. Новые усовершенствования полупроводниковых диодов СВЧ. Ргос. IEE, 1964, v. Ill, № 8, p. 257-263.

7. Chacran Jay, Tenenholtz R. Новые достижения в области смесителей СВЧ. 1RE Intern. Conv. Rec., 1961, v 9.

. № 3, p. 139-146.

8. D e г о у Н., Monier P. Шумы полупроводниковых приборов с нелинейным сопротивлением, используемых на СВЧ как детекторы и смесители. Onde electr., 1965, v. 45, № 454, p. 87-100.

9. И в a н о в С. Н., П е н и н Н. А., С к в о р ц о в а Н. Е., Соколов Ю. Ф. Физические основы работы полупроводниковых диодов. Изд-во «Советское радио», 1965.

10. Л и в ш и ц В, В. Преобразование частоты на СВЧ с помощью полупроводниковых д,иодов. «Полупроводниковые приборы и их применение», под ред. Я. А. Федотова, Вып. 15, Изд-во «Советское радио», 1966.

И. Peterson L., Llevellyn Р. Параметры и методика, измерения смесителей с точки зрения теории линейных цепей Ргос. 1RE, 1945, V. 33, № 7, р. 458-485.

12. В а г о п С. Теория полупроводникового смесителя СВЧ. Ргос. IRE. 1958, В-105, № 4, р. 662-664, 672-673.

13. М а п 1 е у Y., R о w е Н. Некоторые общие свойства нелинейных элементов. Ргос. 1RE, 1956, v. 44, № 7, р. 904-913.

14. Л и в ш и ц- В. В. Об инвариантных свойствах преобразования плоскости комплексного коэффициента отражения при трансформации через реактивный четырехполюсник. «Радиотехника и электроника», 1964, т. IX, № 9, стр. 1611-1615.

15. Л и в ш и ц В. В. Теоретический предел широкополосного согласования импеданса выпрямляющего контакта полупровод-

никовых диодов СВЧ. «Радиотехника и электроника». 1964. т.. IX, № 9, стр. 1616-1621. 16 Lucas W., Barber P. Расчет проводимости полупроводникового диода. Electric and Radio Eng., 1957. v. 34, № 12, p. 454-458.

17. L u с a s W. Проводимость полупроводникового диода. Electronic Technology, 1962, v. 39, № 7, p. 261-263.

18. S t a n- i f о r t h A., Craven J. Расширение предела квадратичного детектирования диодов 1 N 23В 1RE Trans., 1960. V. МТТ-8, № 1, р. 111-115.

19. Стэнтон, Уцпо Полученпе требуемых свойств простей ШИМ методом. Trans. IRE, 1960, v. 50, № 2, 23А.

20. I s h i i K., В r a u 1 t A. Выходной шум и коэффициент шума миллиметровых детекторных диодов при подаче смещения. IRE, Trans., 1962. v. МТТ-10, № 4, p. 258-262.

21. Hendry A. Темпера.урнаи зависимость относительной шу- мовой температуры германиевых диодов. British Journ. Appl. Phys., 1958, V. 9, № 11, p. 458-460.

22. A n d e r s s о n L., Hendry A. Исследование свойств германиевых смесительных диодов при низких температурах 1RE Trans., 1958, v. МТТ-6, Ne 4, p. 393-398.

23. L о m b а г d i п i P., D о v i a к R. Временная и постоянная порча кремниевых СВЧ диодов Ргос. IRE. 1960, v. 48, № 1 p. 119-120.

24 Т е м к и н С. Е., К р о л е в е ц К. М. Эффект временного ухудшения детектирующих свойств кристаллических диодов при работе их на высокой частоте. «Радиотехника и электро ника», 1957, т. II, № 8, стр. 1062-1070.

25. J е п п у D. СВЧ диод на арсениде галлия. Ргос. IRE, 1958, V. 46, № 4, р. 717-722.

26. и h 1 1 г А. Применение техники интегральных схем на СВЧ Ргос. IEEE, 1964, V. 52, № 12, р. 1617-1623.

27. К а п g D., D А S а г о L. Высокочастотные диоды с выпря мляющим контактом золото-эпитаксиальный кремний. BSTJ 1964, V. 43, № 1, р. 225-232. .

28. О X 1 е у Т. Обращенные диоды как смесители на СВЧ. J. Electron Control, 1964, V. 17, № 1, p. 1-17.

29. Е п g S. Шумовые свойства обращенных СВЧ диодов. 1RE Trans., 1961, V. МТТ-9, № 5 р. 419-425.

30. S h U г гп е г Н. Обращенные диоды как СВЧ детекторы, Ргос. 1ЕЕ, 1964, № 9, р. 1511-1516.

31. Der о у Н., Leclerc Р. Характеристики и применение, обращенных диодов для детектировании на СВЧ. Ann. radi-oelectricite, 1964, v. 19, № 75, p. 21-29.

32 Еще более низкий уровень шума в смесительных диодах. Microwave J., 1965, V. 8, № 1, p. 53.

33 Обращенные диоды. Electronic Design, 1964, Dec. 28, p. 85.

34 «Антенные переключатели». Изд-во «Советское радио», 1950

35 Белоусов А. П. Расчет коэффициента шума радиоприем ников. Государственное изд-во оборонной промышленности 1959.

36 Гермен Ф., Петтит Дж. Измерительная техника в электронике. Изд-во иностранной литературы, 1955.

II. ПАРАМЕТРИЧЕСКИЕ И УМНОЖИТЕЛЬНЫЕ

ДИОДЫ

11.1. ПРИНЦИП ДЕЙСТВИЯ И ОБЛАСТИ ПРИМЕНЕНИЯ

Идея технического использования управляемой емкости смещенного в обратном направлении р-п перехода была высказана советским ученым Б. М. Вулом еще в 1953 г. Широкое проникновение диодов с управляемой емкостью в технику сверхвысоких частот началось в 1959 г., когда возникла потребность в разработке чрезвычайно малощумя-щего СВЧ усилителя и возродился интерес к параметрическим усилителям применительно к задаче малощумящего усиления.

Оказалось, что диоды при оптимальной их конструкции являются наиболее простыми и эффективными элементами с управляемой реактивностью на СВЧ, поэтому они практически вытеснили к настоящему времени все остальные управляемые элементы из техники параметрического усиления.

Другое применение диодов с управляемой емкостью на СВЧ, получивщее в настоящее время значительное развитие, связано с так называемыми умножителями частоты. Требо-Ёания к диодам для обеих применений оказываются сходными, хотя и не идентичными.

В § 1.4 было показано, что р-п переход обладает емкостью, связанной с наличием объемного заряда в обедненном слое. Для характеристики нелинейных свойств емкости р-п перехода обычно пользуются зависимостью дифференциальной емкости от напряжения смещения. Вид этой зависимости определяется законом распределения донорных и акцепторных примесей в области перехода.

Практическое значение имеют два варианта распределения примесей в области перехода - резкая граница между областями полупроводника р- и и-типа и плавное рас-