то активное сопротивление, шунтированное емкостью, является стабилизирующим двухполюсником при условиях

о о,г 0,4- 0,6 0,8 £j

Рис. 13.10. Зависимость коэффициентов

= + i -(кривая 7), Kt = F (В) (кривая 2),

(кривая 8)

ОТ величины отношения

Соотношения (13.3), (13.4) являются расчетными формулами для определения параметров стабилизирующей цепи. Их одновременное выполнение есть необходимое и достаточное условие устойчивости. Зависимость коэффициента

1 Ч- У 1 - j , который фигурирует в теореме 5,

на на рис. 13.10.

Правильно выбрать элементы стабилизирующего двух-•полюсника возможно только для заданного диода. Для диода с другими параметрами эта цепь уже не будет оптимальной и может обладать даже худшими стабилизирующими свой-

показа-

ствами, нежели просто активное сопротивление. Поэтому при разработке методов измерения на падающем участке характеристики, пригодных для широкого класса СВЧ туннельных диодов, используют стабилизацию активным сопротивлением рис. 13.8, заранее отказываясь от стабилизации диодов с р > 1. Анализ схемы рис. 13.8 был проведен в предположении, что емкость корпуса Ск равна нулю. Однако такое допущение не всегда оправдано. Для совре-

Рис. 13.11. Питание диода через простейший i?6 стабилизирующий двухполюсник.

менных СВЧ диодов паразитная емкость корпуса оказы вается одного порядка, а иногда даже несколько больше емкости р-п перехода.

Теорема 6. Если туннельный диод при отсутствии емкости Ск устойчив в схеме рис. 13.8 , то наличие паразит-ной емкости корпуса не может привести к неустойчивости, если

(13.5)

Ск<С

Коэффициент, стоящий при С, всегда больше единицы. Следовательно, наличие паразитной емкости, если она не больше емкости перехода, не приводит к генерации в схеме рис. 13.8. Выражение (13.5) может быть использовано для оценки допустимой величины паразитной емкости стабилизирующего сопротивления.

13.9. ИЗМЕРЕНИЕ ПАРАМЕТРОВ ТУННЕЛЬНЫХ ДИОДОВ

Большинство схем, используемых для измерения координат экстремальных точек диода на вольтамперной характеристике и напряжения раствора Up, основано на свойстве туннелыюго диода скачком переходить в высоковольтное состояние, когда плавно нарастающий ток через Диод пре-

10 Зак. 17*8 273

высит значения /р, и переключаться в низковольтное состояние, когда вслед за тем плавно уменьшаемый ток становится меньше Наиболее простая схема, позволяющая измерить эти параметры диода, показана на рис. 13.12. Переменным резистором увеличивают ток через испытуемый диод. В момент, когда ток становится равным 1р, вольтметр,- измеряющий падение напряжения на диоде, регистрирует скачок напряжения. Напряжение, предшествовавшее моменту переключения диода, есть Up-, ток, измеряемый миллиамперметром после переключения диода при соблюдении определенных требований, которые рассмотрены ниже, есть ток /р.

Рис. 13.12. Принципиальная схема измерения параметров вольтамперной характеристики туннельного диода.

Для того чтобы точнее зафиксировать величину тока и напряжения, при которых происходит переключение диода, вводится ключ Замьжание В2 возвращает диод на туннельную ветвь; замыкая и размыкая ключ В,, можно достаточно точно найти на потенциометре Ri то положение, при котором незначительное изменение величины сопротивления Ri вызывает переключение диода. Напряжение, измеряемое вольтметром после переключения диода, при токе, равном /р, есть напряжение раствора характеристики Up.

После измерения параметров /р, UpVi Up резистором Ri уменьшают ток через диод до тех пор, пока напряжение, измеряемое вольтметром, не уменьшится скачком, что соответствует переключению диода на туннельную ветвь. Напряжение, предшествовавшее моменту переключения диода в низковольтное состояние, есть а ток, измеряемый после переключения, весьма близок к току Для более точной фиксации значений и t/„ предусмотрен ключ Bi, замыкая который можно возвратить диод на диффузионную ветвь