Мощность излучения определяется конструкцией прибора. Чем больший ток можно пропускать через прибор без существенного его разогрева, тем больше мощность излучения. При больших токах прибор начинает разогреваться из-за электрических потерь на омических сопротивлениях, и его эффективность резко падает.

Полупроводниковые источники света допускают работу в импульсном режиме. При этом через прибор можно пропускать значительно большие токи и, следовательно, получить в импульсе большую мощность излучения.

Отличительным свойством полупроводниковых источников света является их малая инерционность. Она составляет величину 10"- - 10-3 cg Благодаря малым временам жизни неосновных носителей в указанных полупроводниковых соединениях возможна работа их в импульсном режиме с достаточно большой частотой следования импульсов (до 100 Мгг). Так, например, на основе сплавного карбидо-кремниевого перехода создан излучатель наносекундных импульсов света с собственными фронтами нарастания и спада светового импульса порядка 3 нсек и стабильностью амплитуды световой вспышки во времени 1%.

Как и большинство полупроводниковых приборов, источники света имеют малые габаритные размеры.

В табл. 14.1 приведены параметры некоторых источников света из арсенида галлия, карбида кремния и фосфида галлия.

Несмотря на то что полупроводниковые источники света появились сравнительно недавно, уже наметился ряд областей их применения. Первые опыты по передаче радио- и телевизионных сигналов с помощью полупроводниковых источников света на расстояние нескольких десятков кило-. метров дали положительные результаты. Успешно применяются полупроводниковые источники света в ядерной радиоэлектронике. Представляется перспективным использование их в системах ночного видения, счетно-решающих быс- тродействующих устройствах, в системах автоматики и т. п.

Наконец, появление полупроводниковых источников света открывает широкие перспективы для конструирования интегральных и гибридных схем с оптическими связями. Улучшение параметров полупроводниковых источников света, изучение их свойств открывают более широкие перспективы их использования.

Параметры полупроводниковых источников света

Таблица 14.1

Мощность излучения 150 мвт (при температуре 77° К) и I mm при 300° К-

л и ТЕР л т V р а

1. D е Beer J., V а п G е е 1 W. С. Physica, 1935, № 2, р. 186.

2. М о t t N. F., G u г п е у R. W. Electronic Processes in ionic crystals, Oxford, 1955.

3. С M и T P Полупроводники. Изд-во иностр. литературы, 1962.

4. Patrick L. Journ. Appl. Phys., 1957 v. 28, p. 765.

5. Greebe F. Phil. Research Rpts. Supplements, 1963, № i.

6. Gershenzen M., M i к u 1 у a к R iM. Journ. Appl Phys.. 1961, V. 32, № 7.

7. Ш о к л H В. Теория электронных полупроводников. Изд-во иностранной литературы 1953.

8. R i t t п е г R N Phys. Rev., 1954. № 5. р 94 Hall R. N. Proc. IRE. 1952. v. 40. № 11. p. 1512. Hall R. N. Phys. Rev., 1951, V. 83. p. 228. V e b s t e r F. Proc. IRE. 1954. v. 42, № 6. H a r 1 e t A.. S p e n к e E. Ztschr Angew. Phys,, 1955. № 99. S репке E. Ztschr. Haturforsch, 1956. № ifg. Fletcher N. H. Proc. IRE. 1957, v. 25, № 6, p. 362, Рашба Э. И.. Носарь A. И. ЖТФ. 1957, т. XXVll, стр. 1431.

Рашба Э. И.. Толпыго К. Б. ЖТФ. 1956. т. XXVI. стр. 1419.

Ста фее Б В. И. ЖТФ, 1958. т. 28. стр. 1631. Иванов-Омский В. И., Коломиец Б. Г. ФТТ, 1959, № 1, стр. 913.

S р i t Z е г W. G.. Gershenzen М... F г о s с h, G i b b S D. F. Journ.. Phys. Chem. Solids, 1959, v. 11. p. 341. Oswald F.. Ztschr Naturforsch. 1955. № 10a, S. 927. Гросс E. Ф.. Ко Ч пев a И. С. Неузвецкий Д . С ДАН. 1964. т. 154. № 1, стр. 64.

Гросс Е. Ф.. Кочнева И. С. Неузвеп кий Д. С. ДАН. 1963. т. 153. Ns 3. стр. 574 Гросс Е. Ф., Пер моторов С А.. Раз б о р и н Б. С. ДАН, 1964, т. 154. № 6, стр. 1306. Гросс Е. Ф.. Неузвецкий Д С. ДАН, 1962, т. 146, стр. 1047.

Абогян А.. Субанев В К. ДАН, 1964. т. 156. № 4. стр. 763.

Gershenzen М., М i к и 1 у а к R.. М. Solid State Electron, 1962. № 5. p. 313.

Нас ледов Д. И.. Слободчиков С. В. ФТТ, 1962, т. 4, вып. 10, стр. 2755.

Нас ледов Д. И., Слободчиков С. В. ФТТ. т. 4, вып. 11.

Electrochemical Soc. 1962, v. 109. № 9, p. 205. Gershenzen. Mikulyak R. M. Journ. APPL Phys.. 1962 V. 32, № 7. p. 1338.

Logan R- A.. Chynoweth A. C. Journ. Appl, Phys. 1962. V. 33. Кя 5. p. 1694.

F el berth O. G., W e i s s H. Zs Naturforsch, 1955 № 100. S. 615.

К e с a T a H я fi P. П., К л о ш и н ы ш Э. 3.. Л о г у нов Г С НаследовД. И. ФТТ. 1964. т. 6, вып. 3