5 СТАБИЛИТРОНЫ (ОПОРНЫЕ ДИОДЫ) - . . ............. 78

о. I, Принцип действия и области гртпкипя 78

5.2. Завпсимость напряжения стабилизапин от температуры ..... ........ 82

5.3. Емкость стабилитронов .-.......,..... 85

5.4. Шумы и стабильность параметров........ 86

5.5. Технология изготовления и конструкции стабилитронов ..................... 87

5.6. Основные параметры и методы их измерения . 87

5.7. Особенности применения стабилитронов ... 92 Литература.................... 93

6. ВЫСОКОЧАСТОТНЫЕ ДИОДЫ................... 94

6.1. Особенности точечных диодов........94

6.2. Основные параметры высокочастотных диодов 95

6.3. Применение высокочастотных диодов . . 103 Л, и т е р а т у р а................. . 106

7 ВАРИКАПЫ..............-.................107

7.1. Принцип действия и области применения . . 107

7.2. Малосигнальная эквивалентная схема варикапа . 110

7.3. Особенности конструирования варикапов . .113

7.4. Параметры варикапов и методы их измерения... . 115

7.5. Функциональные зависимости параметров варикапов 119 Литература................... 122

8.ИМПУЛЬСНЫЕ диоды..................... 123

8.1. Типы импульсных диодов...........123

8.2. Работа полупроводникового диода в режиме переключения ..................127

8.3. Прохождение импульсов прямого тока через диод 136

8.4. Диоды с накоплением заряда . . 142 8.5. Электрические параметры импульсных диодов 147

8.6. Измерение параметров импульсных диодов . 150 оТ и т е р а т у р а . , . ..... . 155

9. ТИРИСТОРЫ (КРЕ.МНИЕВЫЕ УПРАВЛЯЕЛ1ЫЕ ВЕНТИЛИ) . 158

9.1. Устройство и принцип работы...... 158

9.2. Статическая вольтамперная характеристика 159

9.3. Параметры тиристоров........... 161

9.4. Управление тиристором и его динамические свойства 164

9.5. Зависимость параметров тиристоров от температуры 167

9.6. Технологические методы создания четырехслойной структуры............ 169

9.7. Методика измерения параметров тиристор/ов 170

9.8. Перспективы развития тиристоров 174 Литература...... 175

10. ДЕТЕКТОРНЫЕ И СЛ1ЕСИТЕЛЬНЫЕ ДИОДЫ..........177

10.1. Принцип действия и устройство........177

10.2. Выпрямительные параметры детекторных диодов 181

10.3. Частотно-Преобразовательные параметры смеси-

тельных диодов ... . . 185

10.4. Шумовые параметры детекторных и смеситель-

ных диодов............. . 188

10.5. Импедансные характеристики диодов......192

10.6. Измерение электрических параметров детекторных и смесительных диодов . . . . 193

10.7. Зависимость электрических параметров диодов

от режима работы...............196

10.8. Электрические перегрузки диодов, вызывающие

их отказ...................199

Литература................... .200

1. ПАРАМЕТРИЧЕСКИЕ и У.ЧТО-КНГеЛЬН jl Е ДИОДЫ .....202

11.1. Принцип действия и области применения . . 202

11.2. Конструкции диодов и способы их изготовления 207

11.3. Применение диодов с управляемой емкостью в па-заметрических усилителях...........210

П.4. Применение диодов с управляемой емкостью в умножителях частоты.............. 219

! £.5. Измерение параметров днодов с управляемой емкостью ................... 222

Литература . . ...............229

12. ПЕРЕКЛЮЧАТЕЛЬНЫЕ СВЧ ДИОДЫ ...............232

12.1. Назначение и области применения..... 232

12.2. Классификация переключательных СВЧ диодов 232

12.3. Диоды с р-п переходом . .... 233

12.4. Диоды с p-i-n структурой . . . . 242

12.5. Ограничительные диоды........... 248

12.6. Методы определения основных электрических параметров переключательных диодов ... 251

Литература .................252

1й ТУННЕЛЬНЫЕ и ОБРАЩЕННЫЕ ДИОДЫ ,...........255

13.1. Принцип работы туннельного дп().:Я 255

13.2. Технологические и конструктивные осооепности туннельных и обращенных диодов . . 258

13.3- Эквивалентная схема туннельного диода . 260

13.4. Переключательные туннельные дноды.....262

13.5. Генераторные туннельные диоды ...... 265

13.6. Усилительные туннельные диоды ...... 266

13.7. Обращогные диоды ............267

13.S. О критериях устойчивости туннельного диода 269

13.9. Измерение параметров туннельных диодов 273

13.10. Измерение сопротивления потерь .... 277

13.11. Измерение емкости iункйчьного лиода . . . 279

13.12. Собственная индукткг.иость туннельного диода и

ее измерение . . 280

;3.)3. Надежность туннельных диодов . .......28]

Литература ..... ...........282

11. полупроводниковглЕ источники СВНТЛ ........ 284

14.1. Принцип jeiiexBH!! 284

14.2. Основные параметры полупроводниковых источ НИКОЕ света................ 284

Литература ,............... 289

15. ОенОВНЫЕ ПРАВИЛА ПРИЛ1ЕНЕИИЯ диодов в РАДИО

ЭЛЕКТРОННЫХ СХЕЛ1АХ . .................... 290

15.1. Зависимость параметров диодов от температуры и режима.......... . . 290

15.2. Технологический разброс параметров, их временной дрейф н нестабильность . . . 292

15.3. Чувствительность к электрическим перегрузкам

и предельно допустимые режимы работы 294

15.4. Основные правила применения диодов 296 Ли т е р а т у р а ................. 300

ПОЛУПРОВОДНИКОВЫЕ диоды

ПАРАМЕТРЫ. МЕТОДЫ ИЗМЕРЕНИЙ И ИСПЫТАНИЙ

Под редакцией Н. Н. Горюнова и Ю. Р. Носова

Редактор Ю. И. Суханов Художественный редактор В. Т. Сидоренко Технический редактор В. В. Беляева Корректоры: Л. И Смирнова, Н, М. Кухтяева

Сдано в набор 16/Х 1967 г Подп. к печ i3/V 1968 г. Г05091 Формат 84Х 108/32. Бумага типографская А» 3 Объем 15,96 УЕЛ. п л Уч.-и.чд. 1.,629. Тираж 50 000 Цена 96 коп. Зак. 1758

Издательство «Советское радио», Москва Главпочтамт, п/я 693

Л1осковская типография № 4 Главполиграфпрома Комитета по печати при Совете Минпстров СССР Б. Переяславская, 46