классификация биполярных транзисторов

1.1. КЛАССИФИКАЦИЯ И СИСТЕМА ОБОЗНАЧЕНИЙ

Классификация транзисторов по их назначению, физическим свой-;твам, основным электрическим параметрам, конструктивно-техно-югическим признакам, роду исходного полупроводникового материала 1а\одит свое отражение в системе условных обозначений их типов. } соответствии с возникновением новых классификационных групп транзисторов совершенствуется и система их условных обозначений, соторая на протяжении последних 15 лет трижды претерпевала 13менения.

Система обозначений современных типов транзисторов установле-и отраслевым стандартом ОСТ 11.336.919-81 и базируется на ряде слассификацнонных признаков.

В основу системы обозначения положен буквенно-цифровой код, 1ервый элемент которого обозначает исходный полупроводниковый материал, на основе которого изготовлен транзистор.

Второй элемент обозначения - буква, определяющая подкласс транзистора, третий - цифра, определяющая его основные функцио-1альные возможности (допустимое значение рассеиваемой мощности I граничную либо максимальную рабочую частоту).

Четвертый - число, обозначающее порядковый номер разработки технологического типа транзисторов (каждый технологический тип ножет включать в себя один или несколько типов, различающихся 10 своим параметрам).

Пятый элемент - буква, условно определяющая классификацию 10 параметрам транзисторов, изготовленных по единой технологии.

Стандарт предусматривает также введение в обозначение ряда вдполнительных знаков, отмечающих отдельные существенные кон-;труктивно-технологнческне особенности приборов.

Для обозначения исходного материала используются следующие :имволы (первый элемент обозначения):

Г или 1 - для германия или его соединений;

К или 2-для кремния или его соединений;

А или 3 - для соединений галлия (практически для арсенида аллия, используемого для создания полевых транзисторов);

И или 4 - для соединений индия (эти соединения для про-

изводства транзисторов пока в качестве исходного материала не используются)

Для обозначения подклассов транзисторов используется одна из двух букв (второй элемент обозначения) Т - для бипочярных транзисторов, П - для полевых транзисторов

Для обозначения наиболее характерных эксплуатационных признаков транзисторов (их функциональных возможностей) используются девять цифр (третий элемент обозначения), характеризующих подклассы биполярных и полевых транзисторов по значениям рассеиваемой мощности и граничной (для полевых транзисторов - максимальной рабочей) частоты

1 - транзисторы маломощные (Руыкс < О 3 Вт) низкочастотные (/< 3 МГц),

2 - транзисторы маломощные средней частоты (3 < / < 30 МГц),

3 - транзисторы маломощные высокочастотные и СВЧ (f> > 30 МГц),

4 - транзисторы средней мощности (0,3 Вт < Рмакс Вт) низкочастотные,

5 - транзисторы средней мощности средней частоты,

6 - транзисторы средней мощности высокочастотные и СВЧ,

7 - транзисторы большой мощности (макс > 1>5 Вт) низкочастотные ,

8 - транзисторы большой мощности средней частоты,

9 - транзисторы большой мощности высокочастотные и СВЧ Для обозначения порядкового номера разработки используются

числа от 01 до 999, в качестве классификационной литеры используются буквы русского алфавита от А до Я, за исключением сходных по начертанию с цифрами 3, О, Ч

В качестве дополнительных элементов обозначения используются следующие символы

буква С после второго элемента обозначения для наборов в общем корпусе однотипных транзисторов (транзисторные сборки), не соединенных, как правило, электрически,

цифра, написанная через дефис, после седьмого элемента обозначения для бескорпусных транзисторов, значение этой цифры соответствует следующим модификациям конструктивного исполнения

1 - с гибкими выводами без кристалле держателя (подложки),

2 -с гибки\ш выводами на кристалчодержателе (подложке),

3 - с жесткими выводами без кристаллодержателя (подложки),

4 - с жесткими выводами на кристаллодержателе (подложке),

5 - с контактными площадками без кристатлодержателя (подложки) и без выводов (кристалл),

6 - с контактными площадками на кристаллодержателе (подложке), но без выводов (кристалл на подложке)

Таким образом, современная система обозначений позволяет по наименованию типа по пучить значительный объем информации о свойствах транзистора

Призеры обозначений

ГТ101А - германиевый биполярный маломощный низкочастот-

.1Й, номер разработки 1, группа А.

2Т399А - кремниевый биполярный маломощный СВЧ, номер раз-160ТКИ 99, группа А.

2П904Б - кремниевый полевой мощный высокочастотный, номер [зработки 4, группа Б.

2Т399А-2 - аналогичен транзистору типа 2Т399А, но в бескорпус-)м исполнении с гибкими выводами на кристаллодержателе,

Поскольку ОСТ II 336.038-77 введен в действие в 1978 г., тя больщинства транзисторов, включенных в настоящий справочник, ;пользоваиы иные системы обозначений,

У биполярных транзисторов, разработанных до 1964 г, и выпекаемых до настоящего времени, условные обозначения типа со-гоят из двух или трех элементов.

Первый элемент обозначения - буква П, характеризующая класс 1полярных транзисторов, или две буквы МП для транзисторов корпусе, герметизируемом способом холодной сварки.

Второй элемент обозначения - одно-, двух- и трехзначное число, )торое определяет порядковый номер разработки и указывает на здкласс транзистора по роду исходного полупроводникового ма-!риала, значениям допустимой рассеиваемой мощности и гранич-эй (или предельной) частоты:

от 1 до 99 - германиевые маломощные низкочастотные тран-юторы;

от 101 до 199 - кремниевые маломощные низкочастотные тран-геторы;

от 201 до 299 - германиевые мощные низкочастотные транзисторы;

от 301 до 399 - кремниевые мощные низкочастотные транзисторы;

от 401 до 499 - германиевые высокочастотные и СВЧ маломощ-ые транзисторы;

от 501 до 599 - кремниевые высокочастотные и СВЧ мало-ощные транзисторы;

от 601 до 699 - германиевые высокочастотные и СВЧ мощные ранзисторы;

от 701 до 799 - кремниевые высокочастотные и СВЧ мощные ранзисторы.

Третий элемент обозначения (у некоторых типов он может тсутствовать) - буква, условно определяющая классификацию по араметрам транзисторов, изготовленных по единой технологии.

Причеры обозначения некоторых транзисторов:

П29А - германиевый маломощный низкочастотный транзистор, омер разработки 29, группа А.

МП102 - кремниевый маломощный низкочастотный транзистор в олодносварном корпусе, номер разработки 02.

Начиная с 1964 г. была введена новая система обозначений типов ранзисторов(ГОСТ 10862-64, ГОСТ 10862-72), действовавшая до 1978 г, >та система близка к системе обозначений, установленной ОСТ 1 336 919-81 и описанной ранее. Обозначения типов транзисторов огласно ГОСТ 10862 - 72, присвоены подавляющему большинству ипов транзисторов, вошедших в настоящий справочник.