1.г КЛАССИФИКАЦИЯ ТРАНЗИСТОРОВ ПО ФУНКЦИОНАЛЬНОМУ НАЗНАЧЕНИЮ

В настоящем справочнике, наряду с нашедшей отражение в системе условных обозначений типов транзисторов класснфика1шей по роду исходного полупроводникового материата, рассеиваемой мощности, граничной частоте, конструктивному исполнению, отображена также классификация по основному функцнонатьному назначению Биполярные транзисторы в соответствии с основными областями применения подраздетяются на 13 групп

усилитетьные низкочастотные (/ < 30 МГц) с нормированным коэффициентом шума,

усилите тьные низкочастотные с ненормированным коэффициентом шума,

усититетьные высокочастотные (30 МГц </ф < 300 МГц) с нормированным коэффициентом шума,

усилительные высокочастотные с ненормированным коэффициентом шума,

СВЧ усилительные (/гр > 300 МГц) с нормированным коэффициентом шума,

СВЧ усилительные с ненормированным коэффициентом шума,

усилительные мощные высоковотьтные,

высокочастотные генераторные,

СВЧ генераторные,

переключательные маломощные,

переключательные мощные высоковольтные,

импутьсные мощные высоковольтные,

универсальные

По своему основному назначению потевые транзисторы делятся на три группы усилительные, генераторные, переключательные

По виду затвора и способу управления проводимостью канала полевые транзисторы делятся на четыре группы

с затвором на основе р-п перехода,

с изолированным затвором (МДП-транзисторы), работающие в режиме обеднения,

с изолированным затвором, работающие в режиме обогащения Каждая из перечисленных выше групп характеризуется специфической системой параметров и справочных зависимостей, отражающих особенности применения транзисторов в радиоэлектронной аппаратуре Применительно к данной классификации транзисторов и расположен информационный материал в справочнике

1.3. УСЛОВНЫЕ ГРАФИЧЕСКИЕ ОБОЗНАЧЕНИЯ

В технической документации и специальной литературе следует применять условные графические обозначения полупроводниковых приборов в соответствии с ГОСТ 2 730-73

Графические обозначения полупроводниковых приборов, помещен-ых в данном справочнике, приведены в табл 1 1

а б л и ц а I 1 Графические обозначения полупроводниковых приборов

Наименование

Обозначение

Однопереходный транзистор с п- и р-базой

Транзистор типа p-it-p

Транзистор типа п-р-п с коллектором, электри-ески соединенным с корпусом

Лавинный транзистор типа п-р-п

Потевой транзистор с канатом п- и р-типа

Полевой транзистор с изолированным затво-юм с выводом от подложки обогащенного ипа с р-каналом и обедненного типа с -каналом

Полевой транзистор с изолированным затво-юм обогащенного типа с л-каналом и с внут->енним соединением подложки и истока

Полевой транзистор с двумя изолированными атворами обедненного типа с л-каналом и с шутренним соединением подложки и истока

(щ) ©

1.4. УСЛОВНЫЕ ОБОЗНАЧЕНИЯ ЭЛЕКТРИЧЕСКИХ ПАРАМЕТРОВ

t/кэ ~ напряжение коллектор-эмиттер, [/кэогр - граничное напряжение биполярного транзистора, кэо постоянное напряжение коллектор-эмиттер при ток»

базы, равном нулю, кэ« - постоянное напряжение коллектор-эмиттер при зт данном сопротивлении в цепи база-эмиттер.

кэк -кэх -

КЭЛн-КЭКи -КЭХ и " КЭОпроб КЭЯпроб КЭК проб

Проб КЭ чыкс

и макс

КЭ нас

КБи кво проб КБ макс

fKB и макс "

эъо по

эб -

At/бэ-

эб макс -

эб2 макс -

бэ нас -эб пл -Б1Б2-

б1Б2 макс -

[/ээ-

проб В проб и

постоянное напряжение коллектор-эмиттер при ко-роткозамкнутых выводах базы и эмиттера, постоянное напряжение коллектор-эмиттер при заданном обратном напряжении база-эмиттер, импульсное напряжение коллектор-эмнттер при заданном сопротивлении в пепи база-эмиттер, импульсное напряжение коллектор-эмиттер при ко-роткозамкнутых выводах базы и эмиттера, импульсное напряжение коллектор-эмиттер при заданном обратном напряжении база-эмиттер, пробивное напряжение коттектор-эмиттер при токе базы, равном нутю,

пробивное напряжение коллектор-эмиттер при заданном сопротивлении в цепи база-эмнттер, пробивное напряжение коллектор-эмиттер при ко-роткозамкнутых выводах базы и эмиттера, пробивное напряжение котлектор-эмиттер при заданном обратном напряжении база-эмиттер, максима.тьно допустимое постоянное напряжение коллектор-эмиттер,

максимально допустимое импульсное напряжение коллектор-эмиттер,

напряжение насыщения коллектор-эмиттер, постоянное напряжение коллектор-база, импульсное напряжение коллектор-база, пробивное напряжение коллектор-база, максимально допустимое постоянное напряжение коллектор-база.

максимально допустимое импульсное напряжение коллектор-база,

пробивное напряжение эмиттер-база, постоянное напряжение эмиттер-база, падение напряжения на участке база-эмиттер, максимально допустимое постоянное напряжение эмиттер-база,

максимально допустимое обратное напряжение эмиттер-база 2 однопереходного транзистора, напряжение насыщения база-эмиттер, плавающее напряжение эмнттер-база, межбазовое напряжение однопереходного транзистора,

максимально допустимое межбазовое напряжение однопереходного транзистора,

напряжение между эмиттерами двухэмиттерного транзистора,

напряжение управления двухэмиттерного транзистора,

напряжение вторичного пробоя, импульсное напряжение вторичного пробоя, напряжение сток-исток,