Общее тепловое сопротивление..........475 jyg,

Температура перехода............. 423 к

Температура окружающей среды......От 213 до 398 К

i 1,6

1о>8

1,4 1,3

1,2

0,9 0,8

5 10 15 20 251к,мА 213 243 273 303 333 363 Т,К

Зависимость относительного напряжения насыщения коллектор-эмиттер от тока коллектора.

Зависимость Относительного напряжения насыщения коллектор-эмиттер от температуры.

Ю 15 20 251к,мА

Зависимость относительного напряжения насыщения база-эмиттер от тока коллектора.

213 243 273 303 333 363 Т,К

Зависимость относительного напряжения насьш1ения база-эмиттер от температуры.

2Т307А-1, 2Т307Б-1, 2Т307В-1, 2Т307Г-1, КТ307А-1, КТ307Б-1, КТ307В-1, КТ307Г-1

Транзисторы кремниевые эпитаксиально-планарные п-р-п универсальные высокочастотные и СВЧ маломощные.

Предназначены для переключения и усиления сигналов высокой частоты.

Бескорпусные, без кристаллодержателя, с гибкими выводами и защитным покрытием на основе эпоксидной смолы. Вьшускаются в сопроводительной таре. Обозначение типа приводится на этикетке.

Масса транзистора не более 0,002 г.

База \ Змиттер Комектор

Электрические параметры

Граш1чная частота при (/«б =2 В, /э = 5 мА не менее

2Т307А-1, 2Т307Б-1, 2Т307В-1, 2Т307Г-1..... 300 МГц

KT307A-I, КТ307Б-1, КТ307В-1, КТ307Г-1..... 250 МГц

Время рассасьпзания при /к нас = 10 мА, /б1 = 1 мА, /б2 = 1,2 мА, Лк = 75 Ом не более

2Т307А-1, 2Т307Б-1, КТ307А-1, КТ307Б-1, КТ307В-1,

КТ307Г-1................ 30 нс

2Т307В-1................. 50 нс

Статический коэффициент передачи тока в схеме с общим эмиттером при £к = О, /«=10 мА не менее при Г = 298 К

2T307A-I, КТ307А-1............ 20

2Т307Б-1, 2Т307В-1, КТ307Б-1, КТ307В-1 .... 40

2Т307Г-1, КТ307Г-1............ 80

при Г= 213 К

2Т307А-1................ 10

2Т307Б-1, 2Т307В-1............ 20

2Т307Г-1................ 40

при Г= 358 К

2Т307А-1................ 20

2Т307Б-1, 2Т307В-1............ 40

2Т307Г-1................ 80

Граничное напряжение при /э = 1 мА не менее •

2Т307А-1, 2Т307Б-1, 2Т307В-1, 2Т307Г-1..... 10 В

KT307A-I, КТ307Б-1, KT307B-I, КТ307Г-1..... 5 В

"апряжение насыщения коллектор-эмиттер при /к =

= 20 мА, /б = 2 мА не более......... 0,4 В

/э = 2 мА не более............. 1,1 В

Обратный ток коллектора при (/«б = Ю В не более:

при Г= 298 К...............0,5 МКА

при Г= 358 К 2Т307А-1, 2Т307Б-1, 2Т307В-1, 2Т307Г-1.................10 МКД

Обратный ток эмиттера при Г = 298 К, [/эб = 4 В пе

более................... I мкА

Емкость коллекторного перехода при [/б = I В ие более:

2Т307А-1, 2Т307Б-1, 2Т307В-1, 2Т307Г-1..... 5 пФ

КТ307А-1, КТ307Б-1, KT307B-I, КТ307Г-1 .... 6 пФ

Емкость эмиттерного перехода при [/35 = 1 В не более 3 пФ

Предельные эксплуатационные данные

Постоянное напряжение коллектор-база....... 10 В

Постоянное напряжение коллектор-эмиттер при

ЛэБ < 3 кОм................ 10 В

Постоянное напряжение эмиттер-база........ 4 В

Постоянный ток коллектора.......... 20 мА

Импульсный ток коллектора при т„ < 10 мкс, Q > 10 50 мА Постоянная рассеиваемая мощность:

при Г= 213 328 К............ 15 мВт

при Г = 358 К............... 5 мВт

Общее тепловое сопротивление.......... 3 К/мВт

Температура окружающей среды......... От 213

до 358 К

Примечание. При эксплуатацаи транзисторов в составе микросхем должен быть обеспечен теплоотвод от кристалла с < 3 К/мВт.

1,05

0,95 * 0,90 0,85 0,80

1,2 1 1,0 0,9 0,8 0,7 0,8

8 12 16 201к,мА О Ч 8 12 16 201э,мА

Зависимость относительного статического коэффициента передачи тока в схеме с общим эмиттером от тока коллектора.

Зависимость относительной граничной частоты от тока эмиттера.