г,4 VP

1,05

О 10 го 30 40 501ц,мА

Зависимость относительного напряжения насышения колтектор-эмиттер от тока коллектора

1,00 0,95 0,90

Зависимость относительного напряжения насышения база-эмиттер от температуры

1Т311А, 1Т311Б, 1Т311Г, 1Т311Д, 1Т311К, 1Т311Л, ГТ311Е, ГТЗПЖ, ГТ311И

Транзисторы германиевые планарные п-р-п универсальные Предназначены для уси тения сигналов высокой и сверхвысокой частот и работы в схемах перек тючения

Выпускаются в металтостеклянном корпусе с гибкими выводами

Обозначение типа приводится на корпусе

Масса транзистора не более 2 г

18 ~ S ,2,

Эмиттер

Коллектор

Электрические параметры

Статический коэффициент передачи тока в схеме с обшим эмиттером при (/к = 3 В, /э = 15 мА при Г = 298 К

1T3I1A..............

1Т311Б..............

1Т311Г..............

1Т311Д, 1T3I1K...........

1тзпл..............

ГТ311Е..............

ГТЗНЖ..............

База

ГТЗИИ.............. 100-500

типовое значение*:

1T311A.............. 72

1Т311Б.............. 79

1Т311Г.............. 58

1Т311Д.............. 112

1Т311К.............. 114

1Т311Л.............. 223

при Г=213 К 1Т311А, 1Т311Б, 1Т311Г,

1Т311Д, 1Т311К, 1Т311Л не менее . . . . 10 и 0,35 значения

при Г = 298 к

при Г= 233 К:

ГТ311Е.............. 10-80

ГТЗПЖ.............. 25-200 ,

ГТЗ;1И.............. 50-300

при Г = 328 К:

ГТ311Е.............. 15-150

ГТЗПЖ.............. 50-350

ГТЗПИ.............. 100-500

при Г = 343 К не более:

1Т311А, 1Т311Б, 1Т311Г, 1Т311Д, 1Т311К 300 и 3 значения

при Г = 298 К

1Т311Л.............. 500 и 3 значения

при Г = 298 К

Граничная частота при 1/к = 5 В, /э = 5 мА:

1T3I1A, 1Т311Б........... 300-1000 МГц

1Т311Г, 1Т311К........... 450-1500 МГц

1Т311Д, 1Т311Л........... 600-1500 МГц

ГТЗ 11Е не менее........... 250 МГц

ГТЗПЖ не менее.......... 300 МГц

ГТЗПИ не менее.......... 450 МГц

типовое значение*:

1Т311А.............. 770 МГц

1ТЗПБ.............. 520 МГц

1Т311Г.............. 560 МГц

1Т311Д, 1Т311К........... 830 МГц

1Т311Л.............. 870 МГц

Постоянная времени цепи обратной связи при (/к = 5 В, /э = 5 мА, /= 5 МГц не более:

1ТЗПА.............. 50 ПС

1Т311Б, ГТЗПЖ, ГТЗПИ....... 100 ПС

1Т311Г, 1ТЗПД, 1ТЗПК, 1ТЗПЛ, ГТ311Е 75 пс типовое значение*:

1Т311А.............. 36 ПС

1Т311Б.............. 42 ПС

1Т311Г.............. 46 ПС

1Т311Д, 1Т311К, 1ТЗПЛ........ 58 ПС

Коэффициент шума при (/к = 5 В, /э = 5 мА,

/= 60 МГц, Лг = 75 Ом не более...... 8 дБ

типовое значение*:

IT311A.............. 4,7 дБ

,Т311Б.............. 5,1 дБ

1Т311Г, 1Т311Л........... 5,2 дБ

1т311Д.............. 5,9 дБ

1T31IK.............. 5,5 дБ

г- «гчгть коллекторного перехода при t/кБ = 5 В

lnPe ............ 2,5 пФ

не более • • • • •

типовое значение*.

IT311A 1ТЗПК, 1Т311Л........ 1,8 пФ

1Т311Б, 1Т311Г, 1Т311Д........ 1,5 пФ

PvKOCTb эмиттерного перехода при 1/эб = 0,25 В 1Т311А, 1Т311Б, 1Т311Г, 1Т311Д, 1Т311К,

1Т311Л не более............ 5 пФ

типовое значение*:

1Т311А.............. 4,1 пФ

1Т311Б.............. 4,2 пФ

1Т311Г.............. 3,9 пФ

1Т311Д, 1T31IK, 1Т311Л........ 4,0 пФ

Время рассасывания при /к = 20 мА 1Т311А, 1Т311Б, 1Т311Г, 1Т311Д, 1Т311К, 1Т311Л не

более...............• 50 не

Граничное напряжение при /э = 10 мА: при Г = 298 К не менее:

IT31IA.............. 10 в

1Т311Б, 1Т311Г, 1Т311Д, 1Т311К, 1Т311Л 8 в

типовое значение *:

IT3I1A.............. 12,8 в

1Т311Б.............. 12,6 в

1Т311Г, IT311K........... 12,2 в

1Т311Д, 1Т311Л........... 11,7 в

при Г= 343 К 1Т311А, 1Т311Б, 1Т311Г, 1Т311Д, 1Т311К, 1Т311Л не менее .... 5 в

Напряжение насыщения коллектор-эмиттер при

/к= 15 мА, /б = 1,5 мА не более...... 0,3 в

типовое значение* 1T3I1A, 1Т311Б, 1Т311Г,

1Т311Д, 1Т311К, 1Т311Л........ 0,15 в

Напряжение насыщения база-эмиттер при /к =

= 15 мА, /б= 1,5 мА не более...... 0,6 в

типовое значение* IT311A, 1Т311Б, 1Т311Г,

1Т311Д, 1T3I1K, 1Т311Л........ 0,43 в

Обратный ток коллектора не более:

при Г =213 и 298 К, (/кБ=12 в 1Т311А,

1Т311Б, 1Т311Г, 1Т311Д, 1Т311К, 1Т311Л 5 мкА

при Г= 233 и 298 К, f/кБ = 12 в ГТ311Е,

ГТЗПЖ.............. 10 мкА

при Г= 233 и 298 К, (/кб = Ю в ГТЗПИ 10 мкА при Г= 328 К, (/кб = 7 в ГТЗИЕ, ГТЗПЖ,

ГТЗПИ............... 60 мкА

при Г = 343 К, 1/кБ = 7 в 1Т311А, 1Т311Б,

1Т311Г, 1Т311Д, 1Т311К, 1Т311Л..... 30 мкА