2Т316А, 2Т316Б, 2Т316В, 2Т316Г, 2Т316Д, КТ316А, КТ316Б, КТ316В, КТ316Г, КТ316Д

Транзисторы кремниевые эпитаксиально-планарные п-р-п переключательные маломощные и СВЧ усилительные с ненормированным коэффициентом шума.

Предназначены для переключения (2T3I6A, 2Т316Б, 2Т316В, KT3I6A КТ316Б. КТЗ 16В) и усиления сигналов высокой частоты (2Т31бК 2Т316Д, КТ316Г, КТ316Д).

Выпускаются в металлостеклянном корпусе с гибкими выводами. Обозначение типа приводится на боковой поверхности корпуса.

Масса транзистора не более 0,6 г.

0Z,S Коллектор

Электрические параметры

Граничная частота при С/кб = 5 В, /э = 10 мА:

2T3I6A, KT3I6A, 2Т316Г, КТ316Г не менее 600 МГц

типовое значение............1000* МГц

2Т316Б. КТ316Б, 2Т316В, КТЗ 16В, 2Т316Д,

КТ316Д не менее............ 800 МГц

типовое значение............ 1000* МГц

Постоянная времени цепи обратной связи при £/кБ = 5 В, /э = 10 мА, /= 10 МГц:

2Т316Г, КТ316Г, 2Т316Д, КТ316Д не более ... 150 пс

типовое значение............. 50 * пс

Время рассасывания при = 10 мА, /б1 = 1 мА, hi = 1,2 мА, Лк = 75 Ом: 2Т316А, КТ316А, 2Т316Б, КТ316Б не более 10 не

типовое значение............ 4* не

2T3I6B, КТЗ 16В не более......... 15 не

типовое значение............ 5* не

Статический коэффициент передачи тока в схеме с общим эмиттером при Як = О, 7э= О мА: при Г= 298 К:

2Т316А, КТ316А............ 20-60

2Т316Б, КТ316Б, 2Т316В, КТ316В..... 40-120

2Т316Г, КТ316Г............ 20-100

2Т316Д, КТ316Д............ 60-300

при r= 213 К:

2Т316А............... 10-60

2Т316Б, 2Т316В............ 20-120

2Т316Г............... 10-100

2Т316Д............... 30-300

при Г= 398 К:

2Т316А............... 20-120

2Т316Б, 2Т316В............ 40-240

2Т316Г............... 20-200

2Т316Д............... 60-600

Граничное напряжение при /э = 1 мА не менее 5 В

типовое значение ............. 10*В

Напряжение насыщения коллектор-эмнттер при

/к = 10 мА, /б = 1 мА не более...... 0,4 В

типовое значение............. 0,18* В

Напряжение насыщения база-эмиттер при = 10 мА,

/б = 1 мА не более............ 1,1В

типовое значение............. 0,8* В

Обратный ток коллектора при (/кб = Ю В не более:

при Г = 298 К............. 0,5 мкА

при Г = 398 К 2T3I6A, 2Т316Б, 2Т316В, 2Т316Г,

2Т316Д................ 5 мкА

Обратный ток эмиттера при Г = 298 К, С/эб = 4 В

не более................ 1 мкА

Емкость коллекторного перехода при (/«б = 5 В не

более................. 3 пФ

типовое значение............. 2* пФ

Емкость эмиттерного перехода при (/35 = о не более 2,5 пФ

типовое значение............. 1,2 * пФ

Емкость конструктивная между выводами коллектора

и эмиттера*............... 0,5 пФ

Индуктивность выводов эмиттера и базы * при

/= 3мм................. 6 нГн

Предельные эксплуатационные данные

Постоянное напряжение коллектор-база...... 10 В

Постоянное напряжение коллектор-эмиттер при

ЛэБ < 3 кОм............... 10В

Постоянное напряжение эмиттер-база....... 4 В

Постоянный ток коллектора 2T3I6A, 2Т316Б, 2Т316В,

2Т316Г, 2Т316Д.............. 30 мА

Постоянный ток коллектора КТ316А, КТ316Б, КТ316В,

КТ316Г, КТ316Д............. 50 мА

Постоянный ток эмиттера 2Т316А, 2Т316Б, 2Т316В,

2Т316Г, 2Т316Д.............. 30 мА

Постоянный ток эмиттера КТ316А, КТ316Б, КТ316В,

КТ316Г, КТ316Д............. 50 мА

Постоянный ток коллектора в режиме насыщения 50 мА

тиый ТОК эмиттера в режиме насыщения 50 мА °°1ыная рассеиваемая мощность Поет°" д 2Т316Б, 2T3I6B, 2Т316Г, 2Т316Д

7= 213 - 348 К, />> 6650 Па..... 150 мВт

JJL Г= 213 - 348 К, /:) = 665 Па...... 100 мВт

при Г = 398 К............ 60 мВт

1Т316А КТ316Б, КТ316В, КТ316Г, КТ316Д

при f= 213 - 363 К.......... 150 мВт

при Г = 398 К............ 60 мВт

Обшее тепловое сопротивление........ 556 К/Вт

Температура перехода . ........... Jl..

Температура окружающей среды........ 398 К

* 0,7

0,6 0,5

0,8 0,7

0,6 0,5

о 10 го 30 W 501э,мА о 5 10 15 гО г51э,мА

Зависимость относительного статического коэффициента передачи тока в схеме с общим эмиттером от тока эмиттера

Зависимость относительной граничной частоты от тока эмиттера

I Ь2

0,9 0,8 0,7

L 1,1

2 1,0 0,9 1о,8

гтз1бА-гтз1бд,

-КТ316А-КТ316Д-

г1з гчз г7з зоз ззз Збзт,к г13 гчз гтз зоз ззз збзт,к

Зависимость относительного напряжения насыщения база-эмиттер от температуры