h2l3

SO 40

"B-bZTJisBi-b

-2731 BE-1 г

-KT318B-1

KT31SB-1, J гтз18Б-1,

-7гтз18д-1;

Ikt318E-1, КТ318Д-1

I I

-2T318A-1;

гтз18г~1,

KT318A-1; КТ318Г-1

213 253 293 333 373 T,K

Зависимость статического коэф-Аициента передачи тока от температуры

24 20 16 12

О 20 40 60 80МГц

Зависимость модуля коэффициента передачи тока от частоты.

213 253 293 333 3731,К

Зависимость обратного тока коллектора от температуры.

Зависимости емкостей коллекторного и эмиттерного переходов от напряжения коллектор-база и база-эмиттер.

2Т324А-1, 2Т324Б-1, 2Т324В-1, 2Т324Г-1, 2Т324Д-1, 2Т324Е-1, КТ324А-1, КТ324Б-1, КТ324В-1, КТ324Г-1, КТ324Д-1, КТ324Е-1

Транзисторы кремниевые эпитаксиально-нланарные п-р-п переключательные маломощные и СВЧ усилительные с ненормированным коэффициентом шума

КТ324Б-1, и усиления частоты КТ324Д.1,

кристалто-выводами

База

\ Эмиттер Kon/iemop

Предназначены для переключе ния (2Т324А I, 2Т324Б-1, 2Т324В l 2Т324Г-1, КТ324А-1, " KT324B-I, КТ324Г-1) сигналов высокой (2Т324Д-1, 2Т324Е-1, KT324E-I)

Бескорпусные, без держателя, с гибтсими и защитным покрытием на основе кремнийорганического лака Вьтус-каются в сопроводительной таре Обозначение типа приводится на этикетке

Масса транзистора не более 0,002 г

Электрические параметры

Граничная частота при (/кв = 2 В, /3 = 5 мА не менее

2Т324А-1, 2Т324Б-1, 2Т324В-1, КТ324А-1, КТ324Б-1,

КТ324В-1 ................ 800 МГц

2Т324Г-1, 2Т324Д-1, 2Т324Е-1, КТ324Г-1, КТ324Д-1,

КТ324Е-1................ 600 МГц

Постоянная времени цепи обратнрй связи при (/«в = = 2 В, /э=5 мА, /=10 МГц 2Т324Д-1, 2Т324Е-1,

КТ324Д-1, КТ324Е-1 не более.........180 пс

Время рассасывания при /к = 10 мА, /б = 1 мА, /б2 = 1,2 мА, Лк = 75 Ом не более 2Т324А-1, 2Т324Б-1, 2Т324В-1, КТ324А-1, КТ324Б-1,

КТ324В-1,................ 10 нс

2Т324Г-1, КТ324Г-1............. 15 не

Статический коэффициент передачи тока в схеме с общим эмиттером при Як = 0, /к = Ю мА при Г = 298 К

2Т324А-1, КТ324А-1............20-60

2Т324Б-1, 2Т324Г-1, КТ324Б-1, КТ324Г-1 .... 40-120

2Т324В-1, КТ324В-1 ............ 80-250

2Т324Д-1, КТ324Д-1............20-80

2Т324Е-1, КТ324Е-1 ............ 60-250

при Г= 213 К

2T324A-I................ 8-60

2Т324Б-1, 2Т324Г-1............16-120

2Т324В-1 ................ 32-250

2Т324Д-1................ 8-80

2Т324Е-1................ 24-250

при Г= 358 К

2Т324А-1................20-120

2Т324Б-1, 2Т324Г-1............ 40 - 240

2Т324В-1 ................ 80-500

2Т324Д-1................20-160

2T324E-I................ 60-500

г- «ичное напряжение при /э = 1 мА 2Т324А-!, 2Т324Б-1, 2Т324В-1, 2Т324Г-1, 2Т324Д-1, 2Т324Е-1 не менее . . . 5 В ояжениё насыщения коллектор-эмиттер при/« = ЮмА,

/ = 1 мА не более............. 0,3 В

Пряжение насыщения база-эмиттер при /к = Ю мА,

/ = 1 мА не более.............. 1,1 В

Обратный ток коллектора при (/кб = Ю В не более;

при Г = 298 К...............0,5 мкА

при г= 358 К2Т324А-1,2Т324Б-1,2Т324В-1,2Т324Г-1,

2Т324Д-1, 2Т324Е-1.............10 мкА

Обратный ток эмиттера при Г = 298 К, (/кб = 4 В не

более................... I мкА

Емкость коллекторного перехода при (/кб = 5 В не

более...................2,5 пФ

Емкость эмиттерного перехода при (/эб = О В не бо-

..................2,5 пФ

Предельные эксплуатационные данные

напряжение коллектор-база......

напряжение коллектор-эмиттер при Лэб <

10 В

10 В 4 В

Постоянное Постоянное

3 кОм.........

Постоянное напряжение эмиттер-база

Постоянный ток коллектора...........20 мА

Импульсный ток коллектора при т„ < 10 мкс, Q > 10 . . . 50 мА Постоянная рассеиваемая мощность:

при Г= 213- 328 К.............15 мВт

при Г = 358 К.............. 5 мВт

Общее тепловое сопротивление..........3 К/мВт

Температура перехода............. 373 К

Температура окружающей среды..........От 213

до 358 К

Примечание. При эксплуатации транзисторов в составе микросхем должен быть обеспечен теплоотвод от кристалла с Лт < 3 К/мВт.

S 1,0

l0,9 0>8 0,1 0,6 0.5,

•0,4 р.

•о,г

f 8 1г 16 го1к,мА

Зависимость относительного статического коэффициента передачи тока от тока коллектора.

О ц а 12 16 го1з,мА