Зависимость относительного напряжения насыщения коллектор! эмиттер от температуры.

213 243 213 303 333 363 Т, К

2Т325А, 2Т325Б, 2Т325В, КТ325А, КТ325Б,

КТ325В

Транзисторы кремниевые эпитаксиально-планарные п-р-п СВЧ усилительные с ненормированным коэффициентом шума.

Предназначены для усиления сигналов высокой частоты.

Выпускаются в металлостеклянном корпусе с гибкими выводами. Обозначение типа приводится на боковой поверхности корпуса.

Масса транзистора не более 1,2 г.

Коллектор

03,4

База, Змиттер

Электрические параметры

Граничная частота при (/кб = 5 В, /3 = 10 мА:

2Т325А, 2Т325Б, КТ325А, КТ325Б не менее .... 800 МГц 2Т325Л, 2Т325Б, КТ325А, КТ325Б, типовое значение ..................1000* МГц

2Т325В, КТ325В не менее..........1000 МГц

2Т325В, КТ325В, типовое значение.......1200* МГц

Постоянная времени цепи обратной связи при (/б =

= 5 В, /э = 10 мА, / = 10 МГц не более.....

типовое значение ..............

Статический коэффициент передачи тока в схеме с общим эмиттером при U = 5 В, = 10 мА: при Г= 298 К:

2Т325А, КТ325А.............

2Т325Б, КТ325Б.............

2Т325В, КТ325В.............

при Г= 213 К:

2Т325А................ 12-90

2Т325Б................28-210

2Т325В................ 64-400

125 пс 50* пс

30-90 70-210 160-400

-JtK".:.............. 3.-Г,.

2Т325Б................ 70-400

2T325B................ 160-700

ничное напряжение при /3 = 10 мА не менее ... 15 В

гаповое значение.............. 25* В

, „уй ток коллектора при (/кб = 15 В не более:

при Г = 298 К............... 0,5 мкА

j,p„ г = 398 К 2Т325А, 2Т325Б, 2Т325В.....5 мкА

Обратный ток эмиттера при Т = 298 К, (/эб = 4 В не более:

2Т325А, 2Т325Б, 2Т325В........... 1 мкА

КТ325А, КТ325Б, КТ325В........... 0,5 мкА

Емкость коллекторного перехода при (/кб = 5 В, /=

10 МГц не более............. 2,5 пФ

типовое значение.............. 2,0* пФ

Емкость эмиттерного перехода при (/эб = 4 В, /=

= 10 МГц не более............. 2,5 пФ

типовое значение.............. 2,0* пФ

Емкость конструктивная между выводами коллектора

и эмиттера*................ 0,35 пФ

Индуктивность выводов эмиттера и базы * при / =

= 3 мм.................. 7 нГн

Предельные эксплуатациоииые данные

Постоянное напряжение коллектор-база....... 15 В

Постоянное напряжение коллектор-эмиттер при Лэб *

<3 кОм................. 15 В

Постоянное напряжение эмиттер-база........ 4 В

Постоянный ток коллектора:

2Т325А, 2Т325Б, 2Т325В........... 60 мА

КТ325А, КТ325Б, КТ325В.......... 30 мА

Постоянный ток эмиттера:

2Т325А, 2Т325Б, 2Т325В........... 60 мА

КТ325А, КТ325Б, КТ325В.......... 30 мА

Импульсный ток коллектора при t„ < 10 мс, Q > 2

КТ325А, КТ325Б, КТ325В............ 60 мА

Импульсный ток эмиттера при t„ < 10 мс, Q> 2

КТ325А, КТ325Б, КТ325В........... 60 мА

Постоянная рассеиваемая мощность-

при Г= 213 358 К, р> 6650 Па....... 225 мВт

при Г= 213- 358 К, р = 665 Па....... 150 мВт

при Г = 398 К.............. 85 мВт

Общее тепловое сопротивление.......... 286 К/Вт

Температура перехода ............. 423 К

Температура окружающей среды......... От 213 до

398 К

о 10 20 30 40 50 I/(,ma

Зона возможных положений зависимости относительного статического коэффициента передачи тока от тока коллектора.

2,0 1,8

1,2 1,0

Ь1 1,0

-0,9

<0,8

о 5 10 15 20 25 1д,мА Зависимость относительной граничной частоты от тока эмиттера.

Зона возможных положений зависимости относительного статического коэффициента передачи тока от напряжения коллектор-база.

0,9 0,8

О 2,5 5 7,5 10 12,5 Uk,B

Зависимость относительной граничной частоты от напряжения коллектор-база.

1,0 0,9

n/N,% 120

1 2 5 10 20 50Из,к0м

Зависимость относительного максимально допустимого постоянного напряжения коллектор-эмнттер от сопротивления в цепи база-эмиттер.

О 1 2 3 4 5hjjj,K0M Интегральная кривая распределения входного сопротивления в схеме с общим эмиттером в режиме малого сигнала.