Предназначены для усиления и генерирования электричес сигналов.

Выпускаются в металлостеклянном корпусе, с гибкими полоск выми выводами. °"

Масса транзистора не более 2 г.

Электрические параметры

Статический коэффициент передачи тока в схеме с общим эмиттером при (/кб = 5 В, /д = 5 мА: при Г= 298 К:

1ТЗЗОА, 1Т330Б, 1ТЗЗОГ, ГТЗЗОЖ, ГТЗЗОД . . . . 30 - 400

1Т330В................. 80 - 400

ГТЗЗОИ................10-400

при Г=213 К........От 0,4 до 1,2 значения при

Г = 298 К

при Г = 343 К........От 0,5 до 2,5 значения при

Г= 298 К

Обратный ток коллектора, не более:

при (/кБ=10 В, Г=213 и 298 К ...... . 5 мкА

при (/кб = 5 В, Г = 343 К..........50 мкА

Модуль коэффициента передачи тока при (/кб = 5 В, /э = 5 мА, /= 100 МГц не менее:

1ТЗЗОА, 1ТЗЗОВ, ГТЗЗОЖ.......... 10

1ТЗЗОБ................. 15

1ТЗЗОГ................. 7

ГТЗЗОД, ГТЗЗОИ.............. 5

Коэффициент шума при (/кб =5 В, /э = 5 мА, / = = 400 МГц не более:

1ТЗЗОА................. 5 дБ

ГТЗЗОД, ГТЗЗОИ.............. 8 дБ

Обратный ток эмиттера прн (/эб = 1,5 В не более . . . 100 мкА

Постоянная времени цепи обратной связи при (/кб = = 5 В, /э = 5 мА, У = 30 МГц не более:

1ТЗЗОА................. 25 пс

1ТЗЗОБ................. 50 пс

1ТЗЗОВ, ГТЗЗОЖ.............. 100 пс

1ТЗЗОГ, ГТЗЗОД, ГТЗЗОИ........... 30 пс

Емкость коллекторного перехода при (/кб = 5 В не более:

1ТЗЗОА, 1ТЗЗОБ, 1ТЗЗОВ........... 2 пФ

1ТЗЗОГ, ГТЗЗОД, ГТЗЗОЖ, ГТЗЗОИ....... 3 пФ

Емкость эмиттерного перехода при (/эб = 0,5 В ие более................... 5 пФ

Напряжение насыщения коллектор-эмиттер при /к = 20 мА, /б = 2 мА 1ТЗЗОА, 1ТЗЗОГ, ГТЗЗОД, ГТЗЗОИ не более ................... 0,3 В

Напряжение насыщения база-эмиттер при /к = 20 мА, /б = 2 мА 1ТЗЗОА, 1ТЗЗОГ, ГТЗЗОД, ГТЗЗОИ не более.................... 0,7 В

50 нс

емя рассасывания при /к = 20 мА, 4 = 2 мА 1Т330А,

1Т330Г не более..............

Граничное напряжение при /э = 5 мА IT330A, 1Т330Г

не менее..................

Предельные эксплуатационные данные

Постоянное напряжение коллектор-база:

IT330A, 1Т330Б, 1Т330В, 1Т330Г....... 13 В

ГТЗЗОД, ГТЗЗОЖ, ГТЗЗОИ.......... 10 В

Импульсное напряжение коллектор-база: при Г= 213-318 К:

1ТЗЗОА, 1ТЗЗОБ, 1ТЗЗОВ.......... 20 В

1Т330Г................ 18 В

при Г= 228 328 К ГТЗЗОД, ГТЗЗОЖ, ГТЗЗОИ 20 В при Г = 343 К:

1ТЗЗОА, 1ТЗЗОБ, 1ТЗЗОВ.......... 15 В

1ТЗЗОГ................ 13 В

Постоянное напряжение эмиттер-база....... 1,5 В

Постоянное напряжение коллектор-эмиттер 1ТЗЗОА,

1ТЗЗОБ, 1Т330В, 1ТЗЗОГ............ 13 В

Постоянный ток коллектора........... 20 мА

Постоянная рассеиваемая мощность коллектора:

при Г= 213-318 К 1ТЗЗОА, 1ТЗЗОБ, 1Т330В,

1Т330Г................. 50 мВт

при Г = 228 - 318 К ГТЗЗОД, ГТЗЗОЖ, ГТЗЗОИ ... 50 мВт

при Г = 343 К 1Т330А, 1Т330Б, 1ТЗЗОВ, 1Т330Г ... 25 мВт

при Г = 328 К ГТЗЗОД, ГТЗЗОЖ, ГТЗЗОИ .... 40 мВт

Температура перехода:

IT330A, 1Т330Б, IT330B, 1Т330Г....... 368 К

ГТЗЗОД, ГТЗЗОЖ, ГТЗЗОИ.......... 333 к

Температура окружающей среды:

1Т330А, 1Т330Б, 1Т330В, 1Т330Г.....От 213 до 343 К

ГТЗЗОД, ГТЗЗОЖ, ГТЗЗОИ........От 228 до 328 К

Зо,1

0,01

г13 233 253 273 293 313 Т,К

Зона возможных положений зависимости обратного тока коллектора от температуры.

Зона возможных положений зависимости относительного пробивного напряжения коллектор-эмиттер от сопротивления база-эмиттер.

.ZlT330A-lTJ30r,.

тзод,гтззож,

-ГТ330И-

1,5\-П330А-1Т330Гу~ ГТ330Д,ГТЗЗОЖ, ГТЗЗОИ

1-I-I-1-

1Т330А-1Т330Г, ГТ330Д,ГТЗЗОЖ, ГТЗЗОИ

- 0,5

213 253 293 333 Т,К

Зона возможных положений зависимости относительного статического коэффициента передачи тока от температуры.

1з~5мА f= 100 МГц

О 2 Ч 6 8 lOUnfi

Зона возможных положений зависимости относительного модуля коэффициента передачи тока от напряжения коллектор-база.

Зона возможных положений зависимости относительного модуля коэффициента передачи тока от тока эмиттера

8 101э,мА

2Т331А-1, 2Т331Б-1, 2Т331В-1, 2Т331Г-1, 2Т331Д-1, КТ331А-1, КТ331Б-1, КТ331В-1, КТ331Г-1

Транзисторы кремниевые планарные п-р-п высокочастотные и СВЧ усилительные с нормированным коэффициентом шума на

частоте 100 МГц.

Предназначены для усиления и генерирования сигналов высокой частоты

Бескорпусные, без кристаллодержателя, с гибкими выводами и защитным покрытием эмалью Выпускаются в сопроводительной таре Обозначение типа приводится на этикетке. "Z э-ti-e- Масса транзистора не более

Эии,ттер Ноллентор q 003 j.