эмиттерного перехода при (/35 = 0,3 В не емкость .................

типовое значение..............0,85* пФ

сть конструктивная между выводами эмиттера и

"корпуса*................. 0,5 пФ

ость конструктивная между выводами базы и корпуса*. .................. 0,5 пФ

Емкость конструктивная между выводами коллектора

" корпуса *................. 0,6 пФ

Предельные эксплуатационные даииые

Постоянное напряжение коллектор-база....... 10 В

Постоянное напряжение коллектор-эмнттер:

при Лэб = О................ 10 В

при Лэб = 1 "Ом.............. 5 В

при заданном (/бэ............. 10 В

Постоянное напряжение эмиттер-база:

IT34IA, ГТ341А, 1Т341Б, ГТ341Б....... 0,3 В

1T34IB, ГТ341В.............. 0,5 В

Напряжение коллектор-эмиттер в режиме усиления при

Лэб 1 кОм, / > 20 кГц............ 5,5 В

Постоянный ток коллектора........... 10 мА

Постоянная рассеиваемая мощность:

при Г < 333 К.............. 35 мВт

при Г= 343 К IT34IA, 1Т341Б, 1T34IB .... 25 мВт СВЧ мощность, падающая на вход транзистора *, при Г= 298 К:

в непрерывном режиме........... 50 мВт

в импульсном режиме при Ти < 25 мкс,/< 400 Гц . . . 250 мВт

Общее тепловое сопротивление..........0,8 К/мВт

Температура перехода, ГТ341А, ГТ341Б, ГТ341В . . . 358 К Температура окружающей среды:

IT34IA, 1Т341Б, IT34IB.........От 213 до 343 К

ГТ341А, ГТ341Б, ГТ341В.........От 233 до 333 К

8 101з,мА

51з,мА

Кур, дБ 5,5

3,5 3,0

0 1 2 3 4 51з,мА

Зависимость коэффициента усиления по мощности от тока эмиттера

1-1-г

1Т341А-1Т341В, >\ГТ341А-ГТ341В

3,8 3,7 3,6 3,5

3,4

293 303 313 323 333 343 Г,К

Зависимость коэффициента шу. ма от температуры

2Т354А-2, 2Т354Б-2, КТ354А, КТ354Б

Транзисторы кремниевые эпитаксиально-планарные п-р-п СВЧ усилительные

Предназначены для усиления сигналов высокой и сверхвысокой частот Бескорпусные, на никелевом кристаллодержателе, с гибкими золотыми выводами и с защитным покрытием, изготовленным на основе кремнийорганического лака

Масса транзистора не более 0,003 г

Электрические параметры

Статический коэффициент передачи тока в схеме с общим эмиттером при t/к = 2 В, /к = 5 мА при Г = 213 К

2Т354А-2................20-

2Т354Б-2................45-

при Г = 298 К

2Т354А-2, КТ354А............40-

2Т354Б-2, КТ354Б.............90-

при Г= 398 К

2Т354А-2................40-

2Т354Б-2................90-

Модуль коэффициента передачи тока при (/к = 2 В, /э = 5 м\, f = 100 МГц не менее

2Т354А-2, КТ354А.............

2Т354Б-2, КТ354Б.............

200 360

200 360

360 650

е сопротивление в схеме с общей базой в ре-малого сигнала при /= 50-1000 Гц, С/к = 2 В,

5 мА не более............. 10 Ом

пянная времени цепи обратной связи при 1/ = 2 В, "° !. 5 мА, /= 30 МГц не более:

2Т354А-2, КТ354А............. 25 пс

2Т354Б-2, КТ354Б............. 30 пс

Граничное напряжение при /э = 5 мА не менее .... Ю В Емкость коллекторного перехода при t/к = 5 В не

"более................... 1,3 пФ

Емкость эмиттерного перехода при t/э = О не более . . . 1,2 пФ Обратный ток коллектора при (/к = 10 В не более:

при Г = 298 К.............. 0,5 мкА

при Г = 398 К 2Т354А-2, 2Т354Б-2...... 5 мкА

Обратный ток эмиттера при Uj = 4 В не более ... 1 мкА

Предельные эксплуатационные даииые

Постоянное напряжение коллектор-база...... 10 В

Постоянное напряжение коллектор-эмиттер при Лбэ

<3 кОм................. 10 В

Постоянное напряжение эмиттер-база........ 4 В

Постоянный ток коллектора........... 10 мА

Импульсный ток коллектора при т„ < 10 мкс, Q > 2 . . . 20 мА

Постоянный ток эмиттера........... 10 мА

Импульсный ток эмиттера при т„ < 10 мкс, Q > 2 . . . 20 мА Постоянная рассеиваемая мощность:

при Г= 213-;- 348 К 2Т354А-2, 2Т354Б-2 .... 30 мВт

при Г = 398 К 2Т354А-2, 2Т354Б-2...... 10 мВт

при Г = 213 - 323 К КТ354А......... 30 мВт

при Г= 358 К.............. 16 мВт

Температура перехода КТ354А. КТ354Б...... 398 К

Температура окружающей среды:

2Т354А-2, 2Т354Б-2............. От 213

до 398 К

KT3S4A, КТ354Б.............. От 213

до 358 К

1 2 J Ч 5 61к,мА 347