1,8 14

-I-1-

1к = 5мА

HTJ54A, КТ35ЧБ,~ ,гТ354А-2,

гтз5ЧБ-г

%0,8 0,6

о г 4 6 в 10 Uif3,B о г

Зависимость относительного статического коэффициента передачи тока от напряжения коллектор-эмиттер.

а о 101з,мА

Зависимость относительного модуля коэффициента передачи тока от тока эмиттера.

КТ35ЧА,КТ354Б,

~гтз54А-г,гтз54Б-г

1 2 II

0 2 4 6 8 10Uk3,B 0 2 4 6 8 101з,мА

Зависимость относительного модуля коэффициента передачи тока от напряжения коллектор-эмиттер.

Зависимость относительной постоянной времени цепи обратной связи от тока эмиттера.

0 2 4 6 8 0цз,В

Зависимость относительной постоянной времени цепи обратной связи от напряжения коллектор-эмиттер.

0,8 Со

3 иэв>в

£ 0,9 0,8

§ 1

KTS54A,KT354S, 2Т354А-2,2Т354Б-2

03 = 100-

313 353 T,K

Чявисимостъ относительной ем-псти коллекторного перехода от напряжения коллектор-база.

t. 1,0

I 0,б[

213 293

313 Т,К

Зависимость относительного статического коэффициента передачи тока от температуры

Зависимость относительного обратного тока коллектора от температуры.

1 3 II

2 4 6 8 101з,мА

Зависимость относительного входного сопротивления от тока эмиттера

30 e.s

-Ж >

2Т355А, КТ355А

ф5 Корпус

Кшекто/ База

Эмиттер

Транзисторы кремниевые планарные п-р-п СВЧ усилительные.

Предназначены для усиления и генерирования электрических (..j, "алов в широком диапазоне частот. Выпускаются в металло-

ля(1ном корпусе с гибкими выводами. Обозначение типа приво-ится на корпусе.

lacca транзистора не более 1,2 г.

Статический коэффициент передачи тока в схеме с общим эмиттером в режиме ботьщого сигнала при (/кб = 5 в, /к = 10 мА

при Г = 298 К............. 80-300

при Г =213 К 2Т355А.......... 40-300

при Г= 398 К 2Т355А.......... 80-420

Входное сопротивление в схеме с общей базой в режиме мазого сигнала при (/кб = 5 В,

/э = 10 мА, /= 1 кГц не более....... 10 Ом

типовое значение............. 3,3* Ом

Модуль коэффициента передачи тока при (/кб = 5 В,

/э = 10 мА, /= 300 МГц не менее....... 5

типовое значение ............. 6*

Постоянная времени цепи обратной связи при

(/кб =5 В, /э = 10 мА, /=30 МГц не более 60 пс Емкость коллекторного перехода при (/кб = 5 В не

более................. 2 пф

типовое значение............. 1,4* пФ

Емкость эмиттерного перехода при (/эб = 4 В

не более................ 2 пФ

типовое значение............. 1,2* пФ

Обратный ток эмиттера при (/эб = 4 В не более

2Т355А................ 1 мкА

КТ355А................ 0,5 мкА

Обратный ток коллектора при (/кб = 15 В не более:

при Г = 298 К............. 0,5 мк А

при Г = 398 К 2Т355 А......... 5 мкА

Предельные эксплуатационные данные

Постоянное напряжение коллектор-база...... 15 В

Постоянное напряжение коллектор-эмиттер прн

Лбэ < 3 кОм............... 15 В

Постоянное напряжение эмиттер-база....... 4 В

Ток коллектора.............. 30 мА

Импульсный ток коллектора при Ти < 0,5 мс, Q > 2 60 мА

Ток эмиттера............... 30 мА

Импульсный ток эмиттера при Ти < 0,5 мс, Q > 2 60 мА Постоянная рассеиваемая мощность

при Г = 213 - 358 К........... 225 мВт

при Г = 398 К............. 85 мВт

Температура перехода............ 423 К

Температура окружающей средь......... От 213 до

398 К

1Т362А, ГТ362А, ГТ362Б

Транзисторы германиевые планарные п-р-п СВЧ усилительные с нормированным коэффициентом шума на частоте 2,25 ГГц. 35в