при /к = 5 мА

2Т366Б-1, КТ366Б........... 10

2Т366Б1-1.............. 8

при /к= 10 мА 2Т366В-1, КТ366В...... 10

Постоянная времени цепи обратной связи при [/кэ = 2 В, /= 5 МГц не менее

при /э = 3 мА 2Т366А-1, КТ366А...... 60 не

при /э=5 мА 2Т366Б-1, 2Т366Б1-1, КТ366Б 50 нс

прн /э=10 мА 2T366B-I, КТ366В..... 40 нс

Время рассасывания не более

при /к = 3 мА, /б = 0,3 мА 2Т366А-1, КТ366А 50 нс при /к= 10 мА, /б= I мА 2Т366Б-1, 2Т366Б1-1,

КТ366Б................ 80 нс

при /к= 15 мА, /б= 1,5 мА 2Т366В-1, КТ366В 120 не

Коэффициент передачи тока в схеме с общим эмиттером при [/кэ = 1 В

при Г = 298 К 2Т366А-1, КТ366А при /э = 1 мА, 2Т366Б-1, 2Т366Б1-1, КТ366Б при /э = 5 мА,

2Т366В-1, КТ366В при /э = 15 мА...... 50-200

при Г =213 К 2Т366А-1 при /э = 1 мА, 2Т366Б-1, 2Т366Б1-1 при /э = 5 мА, 2T366B-I

при /э=15 мА............ 20-200

при Г = 358 К 2Т366А-1 при /э = 1 мА, 2Т366Б-1, 2Т366Б1-1 при /э = 5 мА, 2Т366В-1 при /э = 15 мА............. 50-300

Напряжение насыщения коллектор-эмиттер не более при /к = 3 мА, /б = 0,3 мА 2Т366А-1, КТ366А, при /к= 10 мА, /б= 1 мА 2Т366Б-1, 2Т366Б1-1, КТ366Б, при /к= 15 мА, /б= 1,5 мА 2T366B-I, КТ366В................ 0,25 В

Напряжение насыщения база-эмиттер

прн /к = 3 мА, /б = 0,3 мА 2T366A-I, КТ366А, при /к= 10 мА, /б= 1 мА 2Т366Б-1, 2Т366Б1-1,

КТ366Б................0,8-0,87 В

при /к =15 мА, /б =1,5 мА 2Т366В-1, КТ366В 0,78-0,85 В

Постоянное напряжение эмиттер-база при /э = 0,05 мА

не менее................ 0,57 В

Емкость колзекторного перехода при [/кб = 0,1 В, /= 5 МГц не более

2Т366А-1, КТ366А............ 1,1 пФ

2Т366Б-1, 2Т366Б1-1, КТ366Б........ 1,8 пФ

2Т366В-1, КТ366В ... . . 3 3 пФ

Емкость эмиттерного перехода при (/эб = 0,1 В, /= 5 МГц не более

2Т366А-1, КТ366А............ 0,8 пФ

2Т366Б-1, 2Т366Б1-1, КТ366В....... 1,8 пФ

2Т366В-1, КТ366В............ 3,5 пФ

т«ый ток коллектора при (/кб= 15 В не более

Обратные К............. 0,1 мкА

Sr 358 K............. 0,5 МКА

иьтй ток коллектор-эмиттер при (Уэ = Ю В

ОР; более................ 0,5 МКА

, ,тный то\ эмиттера при (Уэб = 4,5 В не более

° Спи Г= 298 К............. 0,1 мкА

п?и Г= 358 К............. 0,5 МКА

Предельные эксплуатационные данные

Постоянное напряжение коллектор-база....... 15 В

Постоянное напряжение коллектор-эмиттер...... 10 В

Постоянное напряжение эмиттер-база........ 4,5 В

Постоянный ток коллектора

2T366A-I, КТ366А............. 10 мА

2Т366Б-1, 2Т366Б1-1, КТ366Б.........20 мА

2Т366В-1 КТ366В.............45 мА

Импульсный ток колтектора при т„ < 10 мкс и длительности периода, равной 30 мкс

2T366A-I, КТ366А.............20 мА

2Т366Б-1, 2Т366Б1-1, КТ366Б.........40 мА

2Т366В-1, КТ366В.............70 мА

Постоянная рассеиваемая мощность

2Т366А-!, КТ366А при = 1 К/мВт

при Г = 343 К.............30 мВт

при Г = 358 К.............15 мВг

2Т366Б-1, 2Т366Б1-1 КТ366Б при Лт = 0,6 К/мВт

при Г < 343 К..............50 мВт

при Г = 358 К.............25 мВт

2T366B-I, КТ366В при Лг = 0,3 К/мВт

при Г« 343 К.............90 мВт

при Г = 358 К..............SO мВг

Импульсная рассеиваемая мощность при t„ < 10 мкс и длительности периода, равной 30 мкс

2Т366А-1, КТ366А.............25 мВт

2Т366Б-1, 2Т366Б1-1 КТ366Б.........40 мВт

2Т366В-1, КТ366В.............70 мВт

Температура перехода............. 373 К

Температ>ра окружающей среды.........От 2П

до 358 К

Примечание При монтаже допускается воздействие температуры 423 К в течение не более 2 ч

Выводы допускается изгибать с радиусом изгиба более О 3 мм, они должны закрепляться без натяжения

При монтаже не допускается исиотьзование материатов, вступающих в химическое и электрохимическое взаимодействие с защитным покрытием и другими элементами конструкции транзистора "качестве защитного покрытия транзистора используется эмать ЭП-91

12* 355

\hzis

О 5 10 15 го 251к,мА

го 16

-2Т336А~1-

Uk3 = 2B f = 100 МГц

гтзббв-1

JT3868~1

5 10 15 20 251,мА

Г„,пс 50

Зависимость статического коэффициента передачи тока от тока коллектора

Зависимость модуля коэффициента передачи тока от тока коллектора

Зависимость постоянной времени цепи обратной связи от тока эмиттера

О 5 10 15 20 25 Ц,мА

2Т368А, 2Т368Б, КТ368А, КТ368Б

Транзисторы кремниевые эпитаксиально-планарные n-p-ii СВЧ усилительные с ненормированным (2Т368Б, КТ368Б) и нормированным (2Т368А, КТ368А) коэффициентами шума на частоте 60 МГц

Предназначены для применения во входных и последующих каскадах усилителей высокой частоты

Выпускаются в металлостеклянном корпусе с гибкими выводами Обозначение типа приводится на боковой поверхности корпуса

Масса транзистора не более 1 г

Ваза, Коллектор

Корпус

Зниттер Ф1

Электрические параметры

Граничная частота при (/кб =5 В, /3=10 мА не менее................... 900 МГц

100 60