Статический коэффициент передачи тока в схеме с обшим эмиттером при (/«б = 1 В, /« = 10 мА

при Г = 298 К.............. 30-240

при Г=213 К 2Т371А...........15-240

при Г= 398 К 2Т371А........... 30-400

Граничное напряжение при /э = 10 мА не менее .... 10 В

типовое значение 2Т371А........... 22* В

Обратный ток коллектора при [/кб=10 В не более

при Г = 298 К..............0,5 мкА

при Т= 398 К 2T37IA...........5 мкА

Обратный ток эмигтера при Г = 298 К, [/эб = 3 В

не более................. 1 мкА

Входное сопротивление в схеме с общей базой в режиме малого сигнала при [кб = 5 В, /3= 10 мА,

/ = 1 кГц не более............. 10 Ом

типовое значение 2Т371А...........4* Ом

Емкость коллекторного перехода при [/кб = 5 В не

более................... 1,2 пф

типовое значение 2Т371А...........0,7* пф

Емкость эмиттерного перехода при [/эб = 1 В не более 1,5 пФ

типовое значение 2Т371А...........0,9* пф

Емкость конструктивная между выводами коллектора

и эмиттера *................0,2 пФ

Индуктивность выводов эмиттера и базы*.....2,5 нГн

Коэффициент отражения входной цепи в схеме с общим эмиттером* при [/кб =5 В, /э = 10 мА Ry = 50 Ом при /= 400 МГц

модуль................ 0,32

фаза................. -56

при / = 1 ГГц

модуль................. 0.14

фаза................. -112"

Коэффициент обратной передачи напряжения в схеме с общим эмиттером* при [/кб = 5 В, /э = 10 мА, = 50 Ом при /= 400 МГц

модуль................ 0,09

фаза................. 71

при j = 1 ГГц

модуль................ 0,18

фаза................. 60°

Коэффициент прямой передачи напряжения в схеме с общим эмиттером* при (/кб = 5 В, /3 = 10 мА, = 50 Ом при /= 400 МГц

модуль................ 4,2

фаза................. 90°

при / = 1 ГГц

модуль................ 1,9

фаза................. 57°

ент отражения выходной цепи в схеме с об-КоэФФ""" „ттером при t/кБ = 5 В, = 10 мА, „ - 50 Ом

пи /= 400 МГц при / О (S4

модуль................ О.М

фаза.................

при = ГГЦ

модуль................ 0,>

фаза................. -52°

Предельные эксплуатационные данные

Постоянное напряжение коллектор-база....... 10 В

Постоянное напряжение коллектор-эмиттер при

/{gg < 3 кОм................ 10 В

Постоянное напряжение эмиттер-база....... 3 В

Постоянный ток коллектора.......... 20 мА

Постоянный ток эмиттера........... 20 мА

Импульсный ток коллектора при х„ < 10 мкс, Q > 2 40 мА

Импульсный ток эмиттера при т„ < 10 мкс, Q > 2 40 мА Постоянная рассеиваемая мощность

при Г= 213 - 338 К, р> 6650 Па....... 100 мВт

при Г= 213 - 338 К, р = 665 Па....... 65 мВт

при Г = 398 К.............. 30 мВт

Обшее тепловое сопротивление..........0,833 К/мВт

Температура перехода *............. 423 К

Температура окружающей среды......... От 213

до 398 К

5 1,4

1,2 1,1 1,0.

О 2 Ч 8 8 10Uk6,B

ависимость относительного „./"•некого коэффициента пе-н дачи тока от тока коллек -тора

Зависимость относительного статического коэффициента передачи тока от напряжения коллектор-база

•0,9

0,7 0,8

О 4 8 12 16 201э,мА Зависимость относительной граничной частоты от тока эмиттера

2,7 2,4 2,1

Зависимость относительной

гра-

ничной частоты от напряжения коллектор-база

1,2 0,9

Зависимость относительного коэффициента ш>ма от частоты

0 1 2 3 4 51з,мА 10- 10-1 1 10 10 10Г,МГц Зависимость относительного коэффициента шума от тока эмиттера

2Т372А, 2Т372Б, 2Т372В, КТ372А, КТ372Б,

КТ372В

Транзисторы кремниевые эпитаксиально-планарные п-р-п СВЧ усилительные с нормированным коэффициентом шума на частоте I ГГц

Предназначены для применения во входных и последующих каскадах усилителей сверхвысоких частот

Выпускаются в керамическом корпусе с гибкими полосковыми

выводами Обозначение типа приводится на ярзыке, находяшемся в индивидуальной упаковке На корпусе между базовым и эмиттер-ным выводами наносится усзов-ная маркировка цветными точками 2Т372А - одна зезеная, 2Т372Б -одна черная, 2Т372В - одна белая, К1372А-две зезеные, КТ372Б-две черные, КТ372В - две белые Масса транзистора не более 0,2 г

Коллептар