при г = 393 к..............100 мВт

при Г = 398 К............ . 87,5 мВт

Температура перехода ............. 423 К

Обшее тетовое сопротивление

при Г < 373 К...............0,8 К/мВт

при Г > 373 К...............0,4 К/мВт

Температура окружающей среды..........От 213

до 398 К

Примечание Пайка выводов допускается на расстоянии не менее 5 мм от корпуса транзистора Пайку производить паять-ииком при Г < 533 К в течение не ботее 10 с Необходимо осуществлять тетоотвол между корпусом и местом пайки Изгиб выводов допускается на расстоянии не менее 3 мм от корпуса, при этом должны быть приняты меры предосторожности, обеспечивающие неподвижность вывода между изгибом и стеклянным изолялором, чтобы не произошло нарушения спая выводов со стеклянным изолятором, ведущего к потере герметичности транзистора

Is,mA 1,0

О, г о

0,2 0,4 0,6 0,8 1,0 1,2Ugj,B Входные характеристики

100 80 60 40

20 40

60 1ц,мА

Зависимость коэффициента передачи тока от тока коллектора

100 80 60 40

20 О

273 293 313 333 353 373 Т,К

Зависимость коэффициента передачи тока от температуры

14 12

10 8 6 4

О г

8 10 1з,мА

Зависимость модуля коэффициента передачи тока от тока эмиттера

П 12 10 8 6

8 12 и,е,в

Зависимость емкости коллекторного перехода от напряжения коллектор-база

Завнсимость относительного максимально допустимого на пряжения коллектор-эмиттер от сопротивления база-эмиттер

ГТ404А, ГТ404Б, ГТ404В, ГТ404Г

Транзисторы германиевые сплавные п-р-п усититечьные низко частотные маломощные

Предназначены для применения в выходных каскадах усилителей низкой частоты

Выпускаются в металлостеклянном корпусе с гибкими выводами в двух вариантах Обозначение типа приводится на корпусе

Масса транзистора вариант 1 - не более 5 г, вариант 2 -не более 2 г

Вариант 1

База Коппектор Эмиттер

Вариант 2

Предельные эксплуатационные даииые

Постоянное напряжение котлектор-эмиттер при Йбэ = = 200 Ом

ГТ404А, ГТ404Б.............. 25 В

ГТ404В, ГТ404Г.............. 40 В

Постоянный ток коллектора.......... 0,5 А

Постоянная рассеиваемая мощность коллектора при Т = = 298 К

вариант 1................0,6 Вт

вариант 2................0,3 Вт

Температура перехода............. 358 К

Тепловое сопротивление переход-среда

вариант 1.................0,1 К/мВт

вариант 2.................0,15 К/мВт

Температура окружающей среды.........От 233 до

328 К

Примечания 1 Максимально допустимая постоянная рассеиваемая мощность коллектора, мВт, при Т = 298 н- 328 К определяется по формуле

К макс = (358 - Г)/Лгп.с

2 Допускается производить соединения выводов транзисторов с элементами схемы на расстоянии не менее 5 мм от корпуса транзистора любым способом (пайка, сварка и т п ) при условии соблюдения следующих требовании за все время соединения температура в любой точке корпуса транзистора не должна превышать максимально допустимую температуру окружающей среды Температура пайки не должна превышать 558 К

Изгиб выводов должен производиться на расстоянии не менее 3 мм от корпуса транзистора При включении транзистора в Электрическую цепь вывод коллектора должен присоединяться последним и отключаться первым

3 Пол>проводниковые приборы 65

Статический коэффициент передачи тока в схеме с

общим эмиттером при Us = В, /э = 3 мА

ГТ404А, ГТ404В..............30-80

ГТ404Б, ГТ404Г..............60-150

Коэффициент линейности К, =(/1213 при /3 = 3 мА)/(А213

при/э = 300мА)...............0,6-1,5

Граничная частота коэффициента передачи тока в схеме

с общим эмиттером при [/б =1 В, /3 = 3 мА не

менее...................1 МГц

Прямое падение напряжения на эмиттерном переходе

при отктюченном коллекторе, /3 = 2 мА не более ... 0,3 В Обратный ток коллектора при (Укб = Ю В, обратный ток

эмиттера при [/бз = 10 В не более.......25 мкА