Z0£

273 293 313 333 353 Т К

213 253 293 333 373 Т,Н

Зависимость относительного обратного тока коллектора от температуры.

Зависимость относительного статического коэффициента передачи тока от температуры.

Зависимость статического коэффициента передачи тока от тока эмиттера.

"213

40 20

О 100 200 J00 1001,мА

КТ503А, КТ503Б, КТ503В, КТ503Г, КТ503Д,

КТ503Е

Транзисторы кремниевые эпнтаксиально-планарные п-р-п универсальные низкочастотные маломощные.

Предназначены для работы в усилителях НЧ, операционных и дифференциальных усилителях, преобразователях, импульсных схемах.

Выпускаются в пластмассовом корпусе с гибкими выводами Обозначение типа приводится на этикетке. Масса транзистора не более 0,3 г.

Предельные эксплуатационные данные

Постоянное напряжение коллектор-база

КТ503А, КТ503Б............. 40 В

КТ503В, КТ503Г............. 60 В

КТ503Д................. 80 В

КТ503Е................. 100 В

Постоянное напряжение база-эмиттер....... 5 В

Постоянный ток коллектора.......... 0,15 А

Импульсный ток коллектора при t„ < 10 мкс, Q > \00 0,35 А

Постоянный ток базы 0,1 А Постоянная рассеиваемая мощность коллектора при

Г = 233 - 298 К.............. 0,35 Вт

Температура перехода ............. 398 К

Температура окружающей среды......... От 233

до 358 К

Примечание Пайку выводов разрешается производить на расстоянии не менее 5 мм от корпуса При пайке жало паяльника должно быть заземлено Разрешается производить пайку путем погружения выводов не более чем на 3 с в расплавленный припой с температурой не выше 523 К

3* 67

Граничное напряжение при Ij = 10 мА, т„ < 30 мкс, скважности > 100 не менее

КТ503А, КТ503Б.............. 25 В

КТ503В, КТ503Г.............. 40 В

КТ503Д................. 60 В

КТ503Е................. 80 В

Напряжение насыщения коллектор-эмиттер при/ = ЮмА,

/б = 1 мА не более............. 0,6 В

типовое значение..............0,2 * В

Напряжение насыщения база-эмиттер при /к = Ю мА,

/б = I мА не более............. 1,2 В

типовое значение..............0,8* В

Статический коэффициент передачи тока в схеме с общим эмиттером при f/o =5 В, /э = Ю мА

КТ503А, КТ503В, КТ503Д, КТ503Е.......40-120

КТ503Б, КТ503Г.............. 80-240

Граничная частота коэффициента передачи тока в схеме с общим эмиттером при [/o =5 В, /э = 3 мА

не менее.................. 5 МГц

Емкость коллекторного перехода при [/б = 5 В, / =

= 465 кГц не более.............20 пФ

Обратный ток коллектора при U = U „акс более.................... 1 мкА

Изгиб выводов допускается производить на расстоянии не менее 5 мм от корпуса транзистора с радиусом закругления 1,5 - 2 мм, при этом должны приниматься меры, исключаюшие передачу усилий на корпус Изгиб в плоскости выводов не допускается

0,5 0,4

25j 273 J15 j55 J93T,K

Зависимость максимально допустимой постоянной мощности рассеивания козлектора от температуры

0,25 0,2

0,05 О

1 2 Ч S810 20 401к,мА

Зависимость напряжения насыщения колзектор-эмиттер от тока коллектора

0,85 0,8

0,65 0.6

Зависймость напряжения насыщения база-эмиттер от тока коллектора

о/л 0,04 0,1 0,20,40,512 ч £ 10 20 4060100 20шо

Зависимость статического коэф фициента передачи тока от тока эмиттера

р-п-р

Т1А, Т1Б, Т2А, Т2Б, Т2В, Т2К, ТЗА, ТЗБ

Транзисторы германиевые диффузионно-сплавные р-п-р универсальные низкочастотные маломощные

Предназначены дзя применения в усилительных, импульсных и переключающих каскадах низкой частоты в составе гибридных интегральных микросхем залитой конструкции

Выпускаются в металлостеклянном корпусе с гибкими выводами Обозначение типа приводится на корпусе

Масса транзистора не более 0,25 г