Зматтер база

Электрические параметры

Предельная частота коэффициента передачи тока при

[/ig = 5 В, /к = 1 мА не менее

Т1А, Т2А................ 3,0 МГц

Т1Б,Т2Б................. 2,0 МГц

Т2В.................. 7,0 МГц

Т2К.................. 4,0 МГц

ТЗА, ТЗБ................ 1,0 МГц

Постоянная времени цепи обратной связи при f/кБ =

= 5 В, /э = 1 мА, / = 465 кГц не более..... 3000 пс

Статический коэффициент передачи тока в схеме с общим эмиттером при [/«б =1 В, = 10 мА при Г = 298 К

Т1А, Т2А................ 20-50

Т1Б, Т2Б................ 40-150

Т2В.................. 20-150

ТЗА.................. 10-40

ТЗБ.................. 30-150

при Г = 213 К..............От 1 до 0,5

значения при Г = 298 К

при Т = 343 К не более..........2 значения

приГ= 298К

Напряжение насыщения коллектор-эмиттер при /к = = 20 мА не более при /б = 2 мА

Т1А, Т1Б, Т2А, Т2Б, Т2В......... 0,2 В

ТЗБ.................. 0,4 В

при /б = 4 мА ТЗА............ 0,2 В

Напряжение насыщения база-эмиттер при /к = 20 мА не более

при /б = 2 мА

Т1А, Т1Б, Т2А, Т2Б, Т2В......... 0,5 В

ТЗБ.................. 0,8 В

при /б = 4 мА ТЗА............ 0,5 В

Плавающее напряжение эмиттер-база при (Укб = 10 В Т1А, Т1Б, при Ukb = 20 в Т2А, Т2Б, Т2В, Т2К, при

= 30 В ТЗА, ТЗБ не более........ 0,3 В

Остаточное напряжение при прямом смещении коллекторного перехода при = 7,5 мА Т2К не более.................... 5,0 мВ

Сопротивление насыщения открытого транзистора при

/к = 6 мА, /б = 7,5 мА Т2К не бозее...... 4,0 Ом

Время рассасывания при f/кБ = О = 0,5 мА, /к =

= 10 мА не более.............. 1,в мкс

Обратный ток коллектора не более при Г = 298 К.

при [/кБ = 10 В Т1А, Т1Б.......... 6,0 мкА

при [/кб = 20 в

Т2А, Т2Б, Т2В.............. 7,0 мкА

Т2К.................. 5,0 мкА

при [/кб = 30 в ТЗА, ТЗБ.......... 8,0 мкА

при Г= 343 К

при [/кб=10 в Т1А, Т1Б......... 50 мкА

при [/кб = 20 в

Т2А, Т2Б, Т2В.............. 55 мкА

Т2К.................. 40 мкА

при [/кб = 30 В ТЗА, ТЗБ.......... 60 мкА

Обратный ток эмиттера не бозее

при Г = 298 К

при [/эБ=5 В Т1А, Т1Б.......... 6,0 мкА

при [/эБ = 15 В

Т2А, Т2Б, Т2В.............. 7,0 мкА

Т2К.................. 5,0 мкА

ТЗА, ТЗБ................ 8.0 мкА

при Г= 343 К

при [/эБ=5 В Т1А, Т1Б.......... 50 мкА

при [/эБ = 15 в

Т2А, Т2Б, Т2В.............. 55 мкА

Т2К.................. 40 мкА

ТЗА, ТЗБ................ 60 мкА

Емкость козлекторного перехода при [/кб = 5 В, / =

= 465 кГц не более............. 18 пФ

Емкость эмиттерного перехода при (/эб = 5 В, / =

= 465 кГц не ботее............. 18 пФ

Предельные эксплуатапиоиные данные

Импульсное напряжение коллектор-эмиттер

Т1А, Т1Б................ 7,0 В

Т2А, Т2Б, Т2В.............. 15 В

ТЗА, ТЗБ................ 20 В

Постоянное напряжение коллектор-база

TIA, Т1Б................ 70В

Т2А, Т2Б, Т2В, Т2К, ТЗА, ТЗБ........ 14 В

Импульсное напряжение коллектор-база

TIA, Т1Б................ 10 В

Т2А, Т2Б, Т2В, Т2К............ 20 В

ТЗА, ТЗБ................. 30 В

Постоянное и импульсное напряжение эмиттер-база

Т1А, Т1Б................ 5,0 В

Т2А, Т2Б, Т2В, Т2К, ТЗА, ТЗБ........ 15 В

Постоянный ток коллектора...........50 мА

Импульсный ток коллектора...........150 мА

Постоянная рассеиваемая мощность при Г< 298 К . . . 100 мВт

Тепловое сопротивление переход-среда.......0,8 К/мВт

Температура р-п перехода........... 373 К

Температура окружающей среды.........От 213

до 343 К

Примечания 1 При 298 К максимально допустимая рассеиваемая мощность, мВт, рассчитывается по формуле

макс = (373 - Г)/Лгп-с

2 Изгиб выводов должен производиться на расстоянии не менее 2 мм от стеклоизотятора радиусом не менее 0,5 мм Число перегибов должно быть не более двух Пайка выводов транзисторов должна производиться на расстоянии не менее 3 мм от стеклоизоляторов припоем с температурой плавления (523+10) К.

Ск,пФ 25

О г 4 6 3 i0Uf(g,B

25 20 15 10

О г 4 6 8 10 0,8

Зависимость емкости коллекторного перехода от напряжения коллектор-база

Зависимость емкости змиттерного перехода от напряжения эмиттер-база

Зависимость постоянной времени цепи обратной связи от напряжения коллектор-база

6000 4500 3000 1500

0 2 4 6 8 lOUg,B

ТМ2А, ТМ2Б, ТМ2В, ТМ2Г, ТМ2Д, М2А, М2Б, М2В, М2Г, М2Д

Транзисторы германиевые сплавные р-п-р универсальные низкочастотные маломощные

Предназначены для применения в усилительных, импульсных и переключающих каскадах низкой частоты в составе гибридных интегральных микросхем залитой и капсулнрованной конструкций.