l/зи - напряжение затвор-исток; ипд - напряжение исток-подложка; си макс - максимально допустимое напряжение сток-исток; эи «ак ~максимально допустимое напряжение затвор-исток; зс макс ~ максимально допустимое напряжение затвор-сток; бспд макс ~ максимально допустимое напряжение сток-подложка; 1/и пд чакс ~ эксимально допустимое напряжение исток-подложка;

зпл макс ~ максимально допустимое напряжение затвор-подложка;

f(ji32)Maitc ~ максимально допустимое напряжение между затворами;

бзи ~ напряжение отсечки полевого транзистора; 17311 „ор - пороговое напряжение полевого транзистора; зи! ~ 1314 I - разность напряжений затвор-исток сдвоенного полевого транзистора;

лт* ~ температурный уход разности напряжений затвор-исток сдвоенного полевого транзистора;

- шумовое напряжение полевого транзистора;

£ш - электродвижущая сила шума полевого транзистора; £„,„ -напряжение источника питания; £к - напряжение источника питания цепи коллектора;

- напряжение источника питания цепи базы; /к - постоянный ток коллектора;

/э - постоянный ток эмиттера;

7б - постоянный ток базы; /к и - импульсный ток коллектора; /э и - импульсный ток эмиттера; /б и - импульсный ток базы; /кБО - обратный ток коллектора; ЭБО ~ обратный ток эмиттера;

/«эо - обратный ГОК коллектор-эмиттер при разомкнутом выводе базы;

iv3R ~ обратный ток коллектор-эмиттер при заданном сопротивлении в цепи база-эмиттер; /«эк - обратный ток коллектор-эмнттер при короткозамкну-

тых выводах базы и эмиттера; кэх - обратный ток коллектор-эмиттер при заданном обратном напряжении база-эмиттер; постоянный ток коллектора в режиме насыщения; постоянный ток базы в режиме насыщения; критический ток бипотярного транзистора; в проб ~ ток вторичного пробоя; проб и ~ импульсный ток вторичного пробоя; к макс ~ максимально допустимый постоянный ток коллектора;

Н макс ~ максимально допустимый постоянный ток эмиттера; /б.макс ~максимально допустимый постоянный ток базы; к и макс - максимально допустимый импульсный ток коллектора;

к нас Бнас

/э и макс нас иакс ~

б нас макс

/с иакс ~

ВЫКЛ

fc нач С.нач1 нач2

максимально допустимый импульсный ток эмиттера, максимально допустимый постоянный ток коллектора в режиме насыщения;

максимально допустимый постоянный ток базы в режиме насыщения;

максимально допустимый постоянный ток стока; межбазовый ток однопереходного транзистора; ток включения однопереходного транзистора; ток выключения однопереходного транзистора; ток модуляции однопереходного транзистора; начальный ток стока;

- отношение начальных токов стока сдвоенного по-

левого транзистора; /с,ост ~ остаточный ток стока; Ij ут - ток утечки затвора;

/зсо - обратный ток затвор-сток при разомкнутом выводе истока;

/jHO - обратный ток затвор-исток при разомкнутом выводе стока;

/щ - шумовой ток полевого транзистора; з.ф маю ~" максимально допустимый прямой ток затвора; с.и.маю" максимально допустимый импульсный ток стока; Сэ - емкость змиттерного перехода; - емкость коллекторного перехода; С1 и-входная емкость полевого транзистора; QiH - выходная емкость полевого транзистора; Спя ~ проходная емкость полевого транзистора; Сзсо ~ емкость затвор-сток при отсоединенном выводе истока;

Сзт - емкость затвор-исток при отсоединенном выводе стока;

Ср - емкость генератора; / - частота;

/гр - граничная частота коэффициента передачи тока в

схеме с общим эмиттером; /гр - значение /гр в заданном режиме; Л21 - предельная частота коэффициента передачи тока биполярного транзистора; /макс - максимальная частота генерации биполярного транзистора;

11 и - активная составляющая входной проводимости полевого транзистора в схеме с общим истоком;

Siiu ~ активная составляющая выходной проводимости полевого транзистора в схеме с общим истоком;

Л]з -входное сопротивление биполярного транзистора в режиме малого сигнала в схеме с общим эмиттером;

Ацэ - входное сопротивление биполярного транзистора в режиме большого сигнала в схеме с общим эмиттером;

Л1б -

Й21,-Й21Э-

ai-g(A2i6) -

225 -

К\р -

ш ~ I-

п - N -Р-

входное сопротивление биполярного транзистора в режиме малого сигнала в схеме с общей базой, коэффициент обратной связи по напряжению биполярного транзистора в режиме малого сигнала в схеме с общим эмиттером;

коэффициент обратной связи по напряжению биполярного транзистора в режиме малого сигнала в схеме с общей базой;

коэффициент передачи тока биполярного транзистора в режиме малого сигнала в схеме с общим эмиттером ;

модуль коэффициента передачи тока биполярного транзистора в схеме с общим эмиттером на высокой частоте;

статический коэффициент передачи тока биполярного транзистора в схеме с общим эмиттером, фаза коэффициента передачи тока в схеме с общей базой;

выходная полная проводимость биполярного транзистора в режиме малого сигнала при холостом ходе в схеме с общим эмиттером; выходная полная проводимость биполярного транзистора в режиме малого сигнала при холостом ходе в схеме с общей базой;

коэффициент усиления по мощности биполярного (полевого) транзистора;

коэффициент усиления по мощности в режиме двух-тонового сигнала (отношение выходной мощности в пике огибающей ко входной мощности в пике огибающей);

коэффициент шума биполярного (полевого) транзистора,

значение в заданном режиме; коэффициент линейности; коэффициент насыщения;

коэффициент стоячей волны по напряжению, длина выводов;

коэффициенты комбинационных составляющих соответственно третьего и пятого порядка [отношение наибольшей амплитуды напряжения комбинационной составляющей третьего (пятого) порядка спектра выходного сигнала к амплитуде основного тона при подаче на вход транзистора двухтонового сигнала равных амплитуд]; число приборов в выборке, число приборов в партии;

постоянная рассеиваемая мощность биполярного (полевого) транзистора;

средняя рассеиваемая мощность биполярного (полевого) транзистора;