Выпускаются в металлостеклянном корпусе на керамической плате (ТМ2А, ТМ2Б, ТМ2В, ТМ2Г, ТМ2Д) и с гибкими выводами (М2А, М2Б, М2В, М2Г, М2Д)

Обозначение типа приводится на корпусе

Масса транзистора на керамической плате не более 0,8 г, с гибкими выводами не более 0,5 г

Коллектор

База

Коллектор Эмиттер

ТМ2А,ТМ2Б, ТМ2В,ТмгД

02,75

Черная точка

мгА, мгБ, мгв, мгг, мгл

Электрические параметры

Предельная частота коэффициента передачи тока при (/кб =5 В, /э = 1 мА не менее

ТМ2А, ТМ2Б, М2А, М2Б.......... 3,0 МГц

ТМ2В, ТМ2Г М2В, М2Г.......... 9,0 МГц

ТМ2Д, М2Д............... 15,0 МГц

Постоянная времени цепи обратной связи при [/кб = = 5 В, /э = 1 мА, /= 5 МГц не более

ТМ2А, ТМ2Б, ТМ2В, М2А, М2Б, М2В..... 3000 пс

ТМ2Г, ТМ2Д, М2Г, М2Д.......... 4000 пс

Статический коэффициент передачи тока в схеме с

общим эмиттером при LVb =1 В, /э = 10 мА « при Г= 293 К

ТМ2А, М2А............... 20-60

ТМ2Б, М2Б............... 50-150

ТМ2В. М2В............... 30-90

ТМ2Г, М2Г............... 70-210

ТМ2Д,М2Д............... 80-250

при r=213 К

ТМ2А, М2А............... 12-60

ТМ2Б, М2Б............... 30-150

ТМ2В, М2В............... 15-90

ТМ2Г, М2Г............... 25-210

ТМ2Д, М2Д............... 40-250

при Г = 346 К

ТМ2А, М2А............... 20-120

ТМ2Б, М2Б............... 50-250

ТМ2В, М2В............... 30-200

ТМ2Г, М2Г............... 70-400

ТМ2ДМ2Д............... 80-450

Граничное напряжение при /эи = 3,5 мА не менее

ТМ2А, ТМ2Б, М2А, М2Б......... 15 В

ТМ2В, ТМ2Г, ТМ2Д, М2В, М2Г, М2Д .... 10 В Напряжение насыщения коллектор-эмиттер при / =

= 10 мА, /б = 1 мА не более.......... 0,15 В

Напряжение насыщения база-эмиттер при /« = 10 мА,

/б = 1 мА не более............. 0,5 В

Время рассасывания при / = 10 мА, = 50 - 1000 ТМ2А, М2А при [/кБ=15 В, 4=1 мА, ТМ2Б, М2Б при [/кБ= 15 В, /б = 0,5 мА, ТМ2В, М2В при [/кБ=10 В, /б = 0,5 мА, ТМ2Г, ТМ2Д, М2Г, М2Д

при [/кБ = 10 В, /б = 0,25 мА не более...... 2,0 мкс

Обратный ток коллектор-эмиттер при [/дБ = 0,5 В не более

при [/кБ= 15 В ТМ2А, ТМ2Б, М2А, М2Б

при Г= 293 К и Г= 213 К........ 20 мкА

при Г = 346 К............. 70 мкА

при Uke = 10 в ТМ2В, ТМ2Г, ТМ2Д, М2В, М2Г,

при Г= 293 К и Г= 213 К........ 15 мкА

при Г = 346 К............. 70 мкА

Обратный ток эмиттера при [/эб = Ю В не более

при Г= 293 К и Г= 213 К........ 20 мкА

при Г = 346 К............... 50 мкА

Емкость коллекторного перехода при [/«б = 5 В, / =

= 5 МГц не более.............. 25 пФ

Емкость эмиттерного перехода [/эб = 0,5 В, У= 10 МГц

ие более.................. 40 пФ

Предельные эксплуатационные данные

Постоянное напряжение коллектор-эмиттер при напряжении база-эмиттер 0,5 В

ТМ2А, ТМ2Б, М2А, М2Б.......... 15 В

ТМ2В, ТМ2Г, ТМ2Д, М2В, М2Г, М2Д..... 10 В

Постоянное напряжение коллектор-база

ТМ2А, ТМ2Б, М2А, М2Б.......... 15 В

ТМ2В, ТМ2Г, ТМ2Д, М2В, М2Г, М2Д..... 10 В

Постоянное напряжение эмиттер-база........ 10 В

Постоянный ток коллектора при Г= 213-г- 308 К . . . 50 мА Импульсный ток коллектора при Ти = Ю мкс и средней рассеиваемой мощности, не превышающей предельную ...................100 мА

Постоянная рассеиваемая мощность при Г=213-

298 К..................75 мВт

Тепловое сопротивление переход-среда.......0,8 К/мВт

Температура окружающей среды.........От 213

до 346 К

Примечания 1 При Г > 308 К ток коллектора, мА, рассчитывается по формуле

/к макс = 7 1/358 2 При Г > 298 К максимально допустимая постоянная рассеиваемая мощность коллектора, мВт. рассчитывается по формуле

макс = (358 - T)iRj „.

0,5 0,f 0,3 0,2 0,1

О 0,1 0,2 0,3 0,4 0,5Uj,В Входная характеристика

"213 70

293 303 313 323 333 343 Т, К

Зона возможных положений зависимости статического коэффициента передачи тока от температуры

ТМ4А, ТМ4Б, ТМ4В, ТМ4Г, ТМ4Д, ТМ4Е, М4А, М4Б, М4В, М4Г, М4Д, М4Е

Транзисторы германиевые диффузионно-сплавные р-п-р универсальные низкочастотные маломощные

Предназначены для применения в усилительных, импульсных и переключающих схемах низкой частоты в составе гибридных интегральных микросхем залитой и капсулнрованной конструкций

Выпускаются в металлостеклянном корпусе на керамической плате (ТМ4А, ТМ4Б, ТМ4В, ТМ4Г, ТМ4Д, ТМ4Е) и с гибкими выводами (М4А, М4Б, М4В, М4Г, М4Д, М4Е)

Обозначение типа приводится на корпусе Вывод эмиттера на корпусе транзисторов М4А, М4Б, М4В, М4Г, М4Д, М4Е маркируется красной точкой

Масса транзистора на керамической плате не более 0,8 г, с гибкими выводами 0,5 г