Напряжение насыщения коллектор-эмиттер при 4=1 А, 4 = 0,1 А не более

КТ943А, КТ943Б, КТ943В.......... 0,6 В

КТ943Г, КТ943Д.............. 12 В

Статический коэффициент передачи тока в схеме с общим эмиттером при [/э = 2 в, 4 = 0,15 А при Т = 298 К

КТ943А................ 40 - 200

КТ943Б................40-160

КТ943В................40 - Ро

КТ943Г................20-60

КТ943Д................30-100

при Г= 358 К

КТ943А................ 40 - 400

КТ943Б................ 40 - 320

КТ943В................ 40 - 250

КТ943Г................ 20 - 200

КТ943Д................ 30 - 300

при Г = 228 К не менее

КТ943А, КТ943Б, КТ943В......... 15

КТ943Г, КТ943Д............. 5

Модуль коэффициента передачи тока при /=10 МГц,

=10 в, 4 = 0,25 А не менее....... 3

Обратный ток котлектора при t/кБ = 45 в КТ943А, при [/кб = 60 в КТ943Б, при f/кБ = 100 в КТ943В, КТ943Г, КТ943Д не более при Г = 298 К и Г = 228 К

КТ943А, КТ943Б, КТ943В.........0,1 мА

КТ943Г, КТ943Д............ 1 мА

при Г= 358 К

КТ943А, КТ943Б, КТ943В.........0,3 мА

КТ943Г, КТ943Д............. 3 мА

Обратный ток эмиттера при [бэ = 5 В не более

КТ943А, КТ943Б, КТ943В......... 1 мА

КТ943Г, КТ943Д............. 5 мА

Предельные эксплуатационные данные

Постоянное напряжение котлектор-база

КТ943А................. 45 В

Кт943Б........~......... 60 В

КТ943В, КТ943Г, КТ943Д.......... 100 В

Постоянное напряжение коллектор-эмиттер при Лбэ = = 10 Ом - 1 кОм, С/бэ = 0,5 В

КТ943А................. 45 В

КТ943Б, КТ943Д.............. 60 В

КТ943В, КТ943Г.............. 80 В

Импутьсное напряжение коллектор-эмнттер при Лбэ = = 10 Ом

КТ943А................. 50 В

КТ943Б................. 75 В

Т943В, КТ943Г.............. 100 В

КТ943Д................. 80 В

оянное напряжение эмиттер-база........ 5 В

ппстоянньш ток колчектора.......... 2 А

импульсный ток коллектора при g > 50, т„ < 1 мс . . . 6 А

Постоянный ток базы............. О 1 А

п стоянная рассеиваемая мощность коллектора при

Г, < 298 .................. 25 Вт

Температура перехода ............. 423 К

Температура окружающей среды......... От 228 до

Г = 358 К

Примечания 1 Разрешается использование транзисторов в схемах кадровой развертки телевизоров при Q = 2, т„ = 10 мс и /к„ < ЗА Максима зьно допустимая постоянная рассеиваемая мощность коллектора, Вт, при = 298 - 358 К рассчитывается по формуле

ik макс = (423 - Г,) / 5

2 Допускается пайка выводов на расстоянии не менее 5 мм от корпуса транзистора При пайке температура корпуса не должна превышать 398 К При эксплуатации транзистора следует учитывать возможность ето самовозбуждения за счет паразитных обратных связей монтажа

Is,mA 25

10 5 О

0,4 0,5 0,6 0,7 0,8Us3,B

г1э 100

60 50

о 0,5 1 1,5 г1к,А

Зависимость статического коэффициента передачи тока от тока коллектора

15 201,11,

Зависимость напряжения насыщения коллектор-эмиттер от 1к1к

213 253 293 333 373 Т,,/

о 1

1 ивэ,В

50 40 30 20 10

о 20 40 60 80Ukb,B

Зависимость максимально допустимой мощности рассеивания коллектора от температуры корпуса

Зависимость емкости эмиттерного перехода от напряжения база-эмиттер