Коллектор

ТМ4А, ТМ4Б, TMitB,ТМ4Г, ТМ4Л, ТМЕ 5 г,В Ф2,75 Коллектор

Красная точка

База

МА,М4-Б, M43,M4Г,MЛ,M4E Электрические параметры

Граничное напряжение при [/5=12 В, /3 = 10 мА,

т„ = 100 мкс и Q > 10 не менее........

Статический коэффициент передачи тока в схеме с обшим эмиттером при [/«б = 1 В, /3 = 10 мА при Г = 298 К

ТМ4А, ТМ4Г, М4А. М4Г.........

ТМ4Б, ТМ4Д, М4Б, М4Д.........

ТМ4В, ТМ4Е, М4В, М4Е..........

при Г= 346 К

ТМ4А, ТМ4Г, М4А, М4Г.........

ТМ4Б, ТМ4Д, М4Б, М4Д.........

ТМ4В, ТМ4Е, М4В, М4Е.........

при Г =213 К

ТМ4А, ТМ4Г, М4А, М4Г.........

ТМ4Б, ТМ4Д, М4Б, М4Д.........

ТМ4В, ТМ4Е, М4В, М4Е.........

Постоянная времени цепи обратной связи при t/кБ = = 5 В, /к = 5 мА, /= 5 МГц не более

ТМ4А, ТМ4Б, ТМ4В, М4А, М4Б, М4В . . . . ТМ4Г, ТМ4Д, ТМ4Е, М4Г, М4Д, М4Е . . . . Модуль коэффициента передачи тока при t/кБ = 5 В,

Эмиттер

12 В

20-75 50- 120 90-200

10-330 35-660 50-850

10-100 20- 160 40-240

1500 ПС 500 ПС

/э = 5 А, /= 20 МГц не менее

ТМ4А, ТМ4Б, ТМ4В, М4А, М4Б, М4В .... 2,5 ТМ4Г, ТМ4Д, ТМ4Е, М4Г, М4Д, М4Е .... 4,0 Напряжение насыщения коллектор-эмиттер при /к = 10 мА,

/б = 1 мА не более............. 0,5 В

Напряжение насыщения база-эмиттер при /« = 10 мА,

/б = 1 мА не более............. 0,7 В

Время рассасывания при = 10 мА, [/«э = 25 В, /б = = 1,0 мА ТМ4А, ТМ4Г, М4А, М4Г, при 4 = = 0,4 мА ТМ4Б, ТМ4Д, М4Б, М4Д, при 4 = = 0,22 мА ТМ4В, ТМ4Е, М4В, М4Е не более ... 3,0 мкс Обратный ток коллектор-эмиттер при (/«э = 15 В, [/бэ = = 0,5 В не более

при Г= 298 К и Г= 213 К.........6,0 мкА

при Г = 346 К...............80 мкА

Обратный ток коллектора при [/б = 15 В не более ... 6,0 мкА Обратный tor эмиттера при (/эб = 1,5 В не более ... 30 мкА Емкость коллекторного перехода при (/«б = 5 В, / =

= 5 МГц не более.............8,5 пФ

1,0 0,8 0,6

0,4 О, г

"213

200 160 120 80 40

ТМ4В,ТМ4Е, -М4В,МЧ-Е.

ТМ46,ТМ4Д, М4Б,М4Д

-1-гМ4А,ТМ4Г;

1 = 10 м А

О 0,1 0,2 0,3 0,4 0,5 0ез,В

Входные характеристики

О 15 30 4 5 60 751з,мА

Зависимость статическою коэффициента передачи тока от тока эмиттера

293 303 313 323 333 J43T,K

Зависимость статического коэффициента передачи тока от температуры

ЧО- ю- 10° iORs3,kQm

Зависимость относительного про бивного напряжения коллектор-эмиттер от сопротивления база-эмиттер

гч-го 16

О Ч 8 1г 16 20Uks,B Зависимость емкости коллекторного перехода от напряжения коллектор-база

О 0,4 0,8 1,г 1,6 2,DU3s,B

Зависимость емкости эмиттерного перехода от напряжения эмиттер-база

ТМ5А, ТМ5Б, ТМ5В, ТМ5Г, ТМ5Д, М5А, М5Б, М5В, М5Г, М5Д

Транзисторы германиевые сплавные р-п-р >ниверсальные низкочастотные маломощные

Предназначены для применения в )силительных, импульсных и переключающих схемах низкой частоты в составе гибридных интегральных микросхем залитой и капсу лирова1гаой конструкций

Выпускаются в металлостеклянном корпусе на керамической Плате (ТМ5А, ТМ5Б, ТМ5В ТМ5Г, ТМ5Д) и с гибкими выводами (М5А, М5Б, М5В, М5Г, М5Д)

Обозначение типа приводится на корпусе

Масса транзистора на керамической плате не более 0,8 г, с гибкими выводами не более 0,5 г

Постоянное напряжение колтектор-эмиттер при напряжении база-эмиттер 0,5 В........... 15 В

Постоянное напряжение коллектор-база в схеме с общей

базой................... 15 В

Постоянное напряжение эмиттер-база....... 1,5 В

Постоянный ток колтектора при Г= 213 - 308 К . . . 40 мА Импульсный ток коллектора при т„ < 10 мкс и средней рассеиваемой мощности, не превышающей постоянную

предельную рассеиваем)ю мощность.......100 мА

Постоянная рассеиваемая мощность при Г=213-

- 298 К..................75 мВт

Тепловое сопротивление переход-среда.......0,8 К/мВт

Температура окружающей среды.......От 213 до 346 К

Примечания 1 При Г> 308 К максимально допустимый

ток коллектора, мА, рассчитывается по формуле к мак = 6 1/358 - Т 2 При Т > 298 К максимально допустимая постоянная рассеиваемая мощность коллектора, мВт, рассчитывается по формуле

Кмакс = (358 -