КоАпектор

Эмиттер

М5А, М5Б, М5В, М5Г, М5Д Электрические параметры

Предельная частота коэффициента передачи тока при f/кБ = 5 В, /э = 1 мА не менее-ТМ5А, ТМ5Б, ТМ5Д, М5А, М5Б, МЗД ....

ТМ5В, М5В...............

ТМ5Г, М5Г...............

Постоянная времени цепи обратной связи при [/«б = = 5 В, /э = 1 мА, /= 5 МГц не более:

ТМ5А, ТМ5Д, М5А, МЗД..........

ТМЗБ, ТМЗВ, М5Б, МЗВ.........

ТМ5Г, МЗГ...............

Статический коэффициент передачи тока в схеме с общим эмиттером при [/«б = В, /э = 10 мА: при Г= 293 К:

ТМ5А, МЗА...............

ТМЗБ, М5Б...............

ТМЗВ, МЗВ...............

ТМЗГ, МЗГ..............

ТМЗД, МЗД..............

при Г= 213 К:

ТМЗА, МЗА...............

ТМЗБ, М5Б...............

ТМЗВ, МЗВ...............

1,0 МГц 2,0 МГц 3,0 МГц

2300 пс 3000 пс 3500 ПС

20-30 35-80 60-130 110-250 20-60

12-50 20-80 30-130

ТМЗГ, М5Г............... 60-250

ТМ5Д, М5Д.............. 12-60

при Г = 346 К

ТМ5А, М5А..............20-100

ТМ5Б, М5Б...............35-120

ТМ5В, М5В............... 60-250

ТМ5Г, М5Г...............110-320

ТМ5Д, М5Д...............20-60

Граничное напряжение при /д,, = 5 мА, [/кб=15 В,

Q> 10 не менее............... 15 В

Напряжение насыщения коллектор-эмиттер при = 10 мА,

/б = 1 мА не более.............0,15 В

Напряжение насыщения база-эмиттер при / = 10 мА,

/б = 1 мА не более............. 0,5 В

Время рассасывания при кэ = В, = 10 мА ТМ5А, ТМ5Д, М5А, М5Д при /б = 1,0 мА, ТМ5Б, ТМ5В, М5Б, М5В при /б = 0,5 мА, ТМ5Г, М5Г

при /б = 0,25 мА не более..........2,0 мкс

Обратный ток коллектор-эмиттер при {/бэ = 0,5 В не более

при Г = 293 К и Г = 213 К

при [/кэ=15 в ТМ5А, ТМ5Б, ТМ5В, ТМ5Г,

М5А, М5Б, М5В, М5Г..........20 мкА

при [/кэ = 25 В ТМ5Д, М5Д........25 мкА

при Г = 346 К

при [/кэ=15 В ТМ5А, ТМ5Б, ТМ5В, ТМ5Г,

М5А, М5Б, М5В, М5Г..........70 мкА

при [/кэ = 25 В ТМ5Д, М5Д........110 мкА

Обратный ток эмиттера при [/эб =10 В не более ... 20 мкА Емкость коплекторного перехода при [/б = 5 В, /=

= 5 МГц не более............. 30 пФ

Емкость эмиттерного перехода при [/эб = 0,5 В не более................... 45 пФ

Предельные эксплуатационные данные

Постоянное напряжение коллектор-эмиттер при напряжении база-эмиттер 0,5 В.......... 15 В

Постоянное напряжение коллектор-база

ТМ5А, ТМ5Б, ТМ5В, ТМ5Г, М5А, М5Б, М5В,

М5Г.................. 15 В

ТМ5Д, М5Д............... 25 В

Постоянное напряжение эмиттер-база........ Ю В

Постоянный ток коллектора при Г = 213 - 308 К . . . 70 мА Импульсный ток коллектора при Ти = Ю мкс и средней рассеиваемой мощности, не превышающей постоянную предельную рассеиваемую мощность.....150 мА

Постоянная рассеиваемая мощность коллектора при

Г = 213 - 298 К...............75 мВт

Тепловое сопротивление переход-среда.......0,8 К/мВт

Температура окружающей среды.........От 213

до 346 К

Примечания 1 При Т > 308 К ток коллектора, мА, рассчитывается ПО формуле

/к макс = 10 1/358

2 При Г = 298 - 346 К максимально допустимая постоянная рассеиваемая мощность котлектора, мВт, рассчитывается по формуле

мак. = ("8-П/Лгпс

0,5 0,V 0,3 0,2 0,1

о 0,1 0,2 0,3 0,4 C,5U3s,d Входная характеристика

ги 23S 253 273 293 313 333 ТК

Зависимость статического коэффициента передачи тока от температуры

>21Э 50

Зависимость статического коэффициента передачи тока от тока эмиттера

1,2 1,0

0,8 8

I mi I II

ТМ5А-ТМ5Д MSA - М5Д

0/ 2 4681 2 45810 2 46 1002квз,к0м

Зависимость относительного напряжения коллектор-эмиттер от сопротивления база-эмиттер

ТМИ, ТМП А, ТМ11Б

Транзисторы кремниевые диффузионные р-п-р универсальные низкочастотные мазомощные

Предназначены для применения в усилительных, импульсных н переключающих схемах низкой частоты в составе гибридных интегральных микросхем залитой и капсулиро ванной конструкций

Выпускаются в металлостеклянном корпусе на керамической плате Обозначение типа приводится на керамической плате

Масса транзистора не более 0,8 г