< 1,0

-,2\-МП1в,МП16А,. I МП IBS

213 233 253 273 293 313 T,K

Зависимость относительного 1татического коэффициента пе-едачи тока в схеме с общим эмиттером от температуры.

Зависимость относительного времени рассасывания от температуры.

Зависимость относительного напряжения насыщения база-эмиттер от температуры.

213 233 253 273 293 313 Т,К

1,8 1,8

0,8 0,6

213 233 253 273 293 313 Т,К

МП16Я1, МШбЯП

Транзисторы германиевые сплавные р-п-р переключательные низкочастотные маломощные.

Предназначены для применения в ферриттранзисторных ячейках.

Выпускаются в металлостеклянном корпусе с гибкими выводами. Обозначение типа приводится на боковой поверхности корпуса.

Масса транзистора не более 2 г.

Коппектор База

Эмиттер

Время включения при = 10 В, = 100 Ом, Uj = = 1,8 В

МП16Я1.................0,2-0,45 мкс

МП16ЯП................0,3-0,65 мкс

Статический коэффициент передачи тока в схеме с общим эмиттером при = 10 В, (/«э = В, /« = = 100 мА, Лк = 90 Ом, т„ = 10 мкс при Г= 293 К

МП16ЯГ................20-70

МП16Я1[................ 10-70

при Г= 213 К

МтбЯ1................ 18-75

МП16Я11................ 10-75

при Г = 343 К

МП16Я1................ 18-80

МП16Я11................ 9-80

Напряжение насыщения коллектор-эмиттер при =

= 150 мА, /б = 25 мА не более........ IB

Обратный ток коллектор-эмиттер при (/э =15 В не более

при Г = 293 К..............50 мкА

при Г = 343 К..............1,2 мА

Импульсный обратный ток коллектор-эмиттер при Т =

= 293 К, [/кэ и = 30 В не более........ 1 мА

Входное сопротивление в схеме с общим эмиттером в режиме малого сигнала при £, = 10 В, = = 100 Ом, [/бэи = 40 В, Лб = 1,8 кОм

МтбЯ1 ................. 30-100 Ом

МП16Я[[................ 30-200 Ом

Предельные эксплуатационные данные

Постоянное напряжение колтектор-эмиттер при Лэб <

< 100 Ом................. 15 В

Импульсное напряжение коллектор-эмиттер при Лэб

< 100 Ом, т„ < 5 мкс............ 30 В

Импульсное напряжение эмиттер-база при т„ < 5 мкс

при Г= 213 - 323 К............ 15 В

при Г = 323 - 343 К............ 10 В

Импульсный ток коллектора........... 300 мА

Импульсный ток эмиттера............ 300 мА

Постоянная рассеиваемая мощность

при Г = 213 - 328 К, р> 6666 Па....... 150 мВт

при Г= 213 - 328 К, р = 665 Па....... 100 мВт

при Г = 343 К.............. 75 мВт

Общее тепловое сопротивление.......... 200 К/Вт

Температура перехода ............. 358 К

Температура окружающей среды.......... От 213

до 343 К

273 283 293 303 313 323 J,K

Зависимость относительного обратного тока коллектор-эмиттер от температуры

1,20 1,15

а Ь10

1,00

0,95 0,9

213 233 253 273 293 313Т,К

Зависимость относительного статического коэффициента передачи тока в схеме с общим эмиттером от температуры

МП20, МП21, МП21А, МП21Б

Транзисторы германиевые сплавные р-п-р переключательные низкочастотные матомощные

Предназначены дтя применения в схемах переключения Выпускаются в металлостекчянном корпусе с гибкими выводами Обозначение типа приводится на боковой поверхности корпуса

Масса транзистора не более 2 г

Коппектор База /

- "в-. Эмиттер

Электрические параметры

Предельная частота коэффициента передачи тока при t/кБ = 5 В, /э = 5 мА не менее

МП20, МП21, МП21А...........1 МГц

МП21Б................465 кГц

Коэффициент передачи тока в режиме малого сигнала при [/кБ = 5 В, /э = 25 мА, /= 50 - 1000 Гц при Г= 293 К

МП20, МП21А..............50-150

МП21.................20-60

МП21Б................20-80