Пара метры сдвоенны \ транзисторов

Отношение статических коэффициентов передачи тока в схеме с общим эмиттером при Vs - В, /э = = 1 мА не менее при Г = 298 К

2TC393A-I КТС393А........... 0,9

• 2ТС393Б-1. КТС393Б........... 0,8

5При Г = 358 К и Г =213 К (Г = 228 К КТС393А, КТС393Б)

2TC393A-I КТС393А........... 0,8

2ТС393Б-1. КТС393Б........... 0,7

Модуль разности прямых напряжений эмиттер-базы при Ukb = 5 В, /э = I мА не более

2ТС393А-1, КТС393А............ 3 мВ

2ТС393Б-1, КТС393Б............ 5 мВ

Ток утечки между транзисторами не более

при Г = 298 К и 7-= 213 К (Г= 228 К КТС393А, КТС393Б)

2ТС393А-1, КТС393А (при г/к1К2 = Ю В) . . . . 0,1 мкА 2ТС393Б-1, КТС393Б (при (7к1К2 = 15 В) . . . . 0,2 мкА ри Г= 358 К..............5 мкА

Предельные эксплуатационные данные

Постоянное напряжение коллектор-база и коллектор-эмиттер при Лбэ < 5 кОм

2ТС393А-1, КТС393А............ 10 В

2ТС393Б-1, КТС393Б............ 15 В

Постоянное напряжение эмиттер-база....... 4 В

Постоянный ток коллектора........... 10 мА

Импуэьсный ток козлектора при т„ < 10 мкс Q > 2 . . . 20 мА Посзоянная рассеиваемая мощность коллектора (суммарная двух транзисторов)

при Г < 318 К..............20 мВт

при Г = 358 К..............10 мВт

Температура перехода ............. 398 К

Температура окружающей среды

2TC393A-I, 2ТС393Б-1...........От 213

до 358 К

FCTC393A, КТС393Б.............От 228

до 358 К

Примечания 1 Монтаж кристаллов на подЛожку микро-•хемы производить клеем холодного отвердения на основе смолы ЭД-5

Допускается изгиб выводов на расстоянии 0,5 мм, сварка не менее I мм от края кристалла. При длине выводов более 3 мм выводы должны быть дополнш-ельно закреплены лаком

2 Не рекомендуется эксплуатация транзисторных пар при р. бочих токах, соизмеримых с обратными неуправляемыми токами эмиттера и коллектора вочкем интервале температур.

При значениях Ятп-с отличающихсв» от значения 4 К/мВт максимально допустимая постоянная мощность рассеивания код. лектора должна быть не более 40.мВт и определяется по формуле

К макс = (398 - Г)/(0,2 + Лг„.с),

где Лт-п-с - тепловое сопротивление микросхемы на участке нижняя поверхность кристалла - окружающая среда.

0,8 0,6 0,4

О 0,г 0,4 0,6 0,8Ub3,B Входные характеристики.

\ 1/-

21 С393А-1, 21С393Е-1,-\ КТС393А, КТО393Б-

О 4 8 12 16 0кБ,В

Зависимость относительного статического коэффициента передачи тока от напряжения коллектор-база.

II /

С 0,8 0,7

о 4 8 12 161з,мА

Зависимость относительного статического коэффициента передачи тока от тока эмиттера.

I»:

1,2 1

0,8 0,6 0,4

0,2

10 10 10"* 10 10 Rs3,0m Зависимость относительного максимально допустимого напряжения коллектор-эмиттер от сопротивления база-эмиттер.

2TC393A-1,2TCS93B-1, -КТС393А,КТС393Б-

0 0,2 0,4 0,B 0,81з,мА

Зависимость модуля разности прямых падений напряжений база-эмиттер от тока эмиттера.

-:i 5 f .

о Ч 8 12 WUks,B

Зависимость модуля разности прямых падений напряжений база-эмиттер от напряжения коллектор-база.

0,9

21 213 253 293 333 373 Т,К

Зависимость модуля относительной разности прямых падений напряжений база-эмиттер от температуры.

Ск,пФ ЬВ 1,2 0,8

0 2 4 6 8UnB,B

Зависимость емкости коллекторного перехода от напряжения коллектор-база

Зависимость емкости эмиттер-К)го перехода от напряжения база-эмиттер.

Rr=900M

и = 6В,-6 = 6ШГи,

512 Ом

2520м

2ТС393А-1,2ТС393Б-1, КТС393А,КТС393Б I \ \ \

0,5 1 1,5 2 2,51з,мА

Зависимость коэффициента шума от тока эмиттера.