\о,а

\0,7 0,6

I 3

О Ч 8 12 1В1з,мА 2- 213 253 293 333 373Т,К

Зависимость относительного статического коэффициента передачи тока от тока эмиттера.

Зависимость модуля относи-тельной разности прямых па тений напряжений база-эмипер от температуры

ЬЧ 1,2 1

0,8 0,6

С,,пФ

8U,s,B

Зависимость емкости коллекторного перехода от напряжения коллектор-база.

0,5 1 1,5 2Us3,B

Зависимость емкости эмиттерного перехода от напряжения база-эмнттер.

1ТС609А, 1ТС609Б, 1ТС609В, ГТС609А, ГТС609Б, ГТС609В

Транзисторные сборки, состоящие из четырех германиевых диффузионно-сплавных р-п-р переключательных высокочастотных маломощных транзисторов.

Предназначены для применения в переключательных схемах.

Выпускаются в металлостеклянном корпусе с гибкими выводами. Обозначение типа приводится на корпусе.

Масса сборки не более 4 г.

гч ?Jj

Обозначение 8ыВодп8: f,5,7, 11 -эмиттер; 3,4,9,10-6aw~ г, S, 8,11- ноллентор; J, Ж, Ш,Ш -единичный, транзистор

Электрические параметры

Граничное напряжение при /э = 0,5 А не менее ... 30 В

типовое значение.............. 40 * В

Напряжение насыщения коллектор-эмиттер при /к = 0,5 А, /б = 70 мА ITC609A, ГТС609А и при /б = 40 мА

1ТС609Б, 1ТС609В, ГТС609Б, ГТС609В не более ... 1,6 В

типовое значение.............. 0,74* В

Напряжение насыщения эмиттер-база при /«= 0,5 А, /б = 70 мА 1ТС609А, ГТС609А и при /б = 40 мА,

1ТС609Б, 1ТС609В, ГТС609Б, ГТС609В не более ... 1,1 В

типовое значение.............. 0,57 * В

Статический коэффициент передачи тока в схеме с общим эмиттером при [/«э = 3 В, /3 = 0,5 А: при Т= 298 К:

1ТС609А................ 33-100

ГТС609А................ 30-100

1ТС609Б................ 53-160

ГТС609Б................ 50-160

1ТС609В................ 40-120

ГТС609В................ 80-420

при Г= 343 К:

1ТС609А................ 16,5-200

1ТС609Б................ 26,5-310

1ТС609В................ 20-240

при Т= 333 К:

ГТС609А................ 15-200

ГТС609Б................ 25-320

ГТС609В................ 40-480

Статический коэффициент передачи тока в схеме с общим эмиттером: при t/кэ = 3 В, /з = 0,25 А 1ТС609В, ГТС609В

не менее................. 80

/аЗб Полупроводниковые приборы 801

при 1/кэ =5 В, /э = 0,7 А 1ТС609А, ГТС609А, 1ТС609Б, ГТС609Б не менее......... 15

Граничная частота коэффициента передачи тока в схеме с общим эмиттером при 1/кэ =3 В, /к = 0,5 А не менее...................60 МГц

Время включения при /к = 0,5 А, /= 2 кГц, = 70 мА 1ТС609А, ГТС609А при /б = 40 мА 1ТС609Б, ГТС609Б,

1ТС609В, ГТС609В не более.......... 0,1 мкс

типовое значение.............. 0,048* мкс

Время рассасывания при /к = 0,5 А, /= 1 кГц, /б = = 70 мА 1ТС609А, ГТС609А, при /б = 40 мА 1ТС609Б,

ГТС60ЭБ, 1ТС609В, ГТС609В не более......0,7 мкс

типовое значение.............. 0,343* мкс

Емкость коллекторного перехода при 1/кб = 10 В,

/= 5 МГц не более............. 50 пФ

типовое значение..............19,8* пФ

Емкость эмиттерного перехода при 1/кб = О, /= 2 МГц

не более................. 250 пФ

типовое значение..............111,6* пФ

Обратный ток коллектора при 1/кб = 30 В не более: при Г = 293 К:

1ТС609А, 1ТС609Б, 1ТС609В......... 30 мкА

ГТС609А, ГТС609Б, ГТС609В........ 40 мкА

при Г= 333 К ГТС609А, ГТС609Б, ГТС609В . . . . 600 мкА

при Г = 343 К 1ТС609А, 1ТС609Б, 1ТС609В ... 500 мкА

Обратный ток эмиттера при t/эБ = 2,5 В не более: при Г= 293 К:

ITC609A, 1ТС609Б, 1ТС609В......... 100 мкА

ГТС609А, ГТС609Б, ГТС609В........ 200 мк А

приГ=ЗЗЗКГТС609А, ГТС609Б, ГТС609В. . . . 1000 мк А

при Г= 343 К 1ТС609А, 1ТС609Б, 1ТС609В . . . . 500 мкА

Предельные эксплуатациоииые даииые

Постоянное напряжение коллектор-база и коллектор-эмнттер .................. 50 В

Постоянное напряжение эмиттер-база....... 2,5 В

Импульсное напряжение эмиттер-база при т < 10 мкс 3 В

Импульсный ток коллектора при < 10 мкс..... 0,7 А

Импульсный ток базы при < 10 мкс....... 0,1 А

Постоянная рассеиваемая мощность (для всей сборки)

при Г < 316 К............... 500 мВт