КП308А, КП308Б КПЗОЗВ, КП308Г, КП308Д . . . Or 213 до

358 К

Примечания 1 При Г> 298 К максимально допустимая пос1 оянная рассеиваемая мощность, мВт, рассчитывается по формуле макс = 60 - 0,5 (Г- 298)

2 Пайка выводов допускается на расстоянии не менее 1,0 мм от транзистора При заливке транзисторов компаундами температура кристалла не должна превыщать предельно допустимую температуру окружающей среды

2П310А, 2П310Б

Транзисторы кремниевые диффузионно-планарные полевые с изолированным затвором и каналом и-типа

Предназначены для применения в приемно-передающнх устройствах сверхвысокочастотного диапазона

Выпускаются в металлостеклянном корпусе с гибкими выводами На торцевую поверхность ба.злона каждого транзистора наносится красная точка

Масса транзистора не более 0,7 г

Затвор Сток •

<рг,5

Ьдмжка

Исток

Электрические параметры

Коэффициент щума на /= 1 ГГц при (/си = 5 В, /с = 5 мА

2П310А................5,0*-6,0 дБ

2П310Б................5,0*-7,0* дБ

Коэффициент усиления по мощности* на / = 1 ГГц

при (/си = 5 В, /с = 5 мА......... 5,0-7,0 дБ

типовое значение........... 5,5 дБ

Крутизна характеристики при Uqm = 5 В, /с = 5 мА, /= 50 - 1500 Гц

при Г = 298 К...........3,0-6,0* мА/В

типовое значение........... 4,0* мА/В

при Г = 213 К............1,5-6,0* мА/В

типовое значение........... 4,2* мА/В

при Г= 398 К...........1,5-4,7* мА/В

типовое значение........... 3,5* мА/В

Начальный ток стока при (/си = 5 В, U-щ = О

при г = 298 к........... 0,03*-5,0 мА

типовое значение........... 0,1* мА

при Г =213 К не более........ 15 мА

при Г = 398 К не более........ 8,0 мА

Остаточный ток стока при С/си = 5 В, С/зи =

= - 5 В............... 1*- 100 мкА

типовое значение............ 10* мкА

Ток утечки затвора при С/зи = - Ю В . . . . 1 10"* -3 нА

типовое значение............ 1* нА

Емкость входная при С/си = 5 В, С/зи = О,

/= 10 МГц.............. 1,4*-2,5 пФ

типовое значение............ 1,8* пФ

Емкость проходная при С/си = 5 В, С/зи = О,

/= 10 МГц.............. 0,2*-0,5 пФ

типовое значение............ 0,3* пФ

Емкость выходная при С/си = 5 В, С/зи = ~ В,

/= 10 МГц.............. 1,2*-2,0 пФ

типовое значение............ 1,4* пФ

Предельные эксплуатационные данные

Напряжение сток-исток............. 8,0 В

Напряжение затвор-сток............ 10 В

Напряжение затвор-исток............ 10 В

Ток стока.................20 мА

Постоянная рассеиваемая мощность при Г=213-

- 298 К..................80 мВт

Температура окружающей среды.........От 213 до

398 К

Примечания 1 При Г = 298 - 398 К максимально допустимая постоянная рассеиваемая мощность, мВт, рассчитывается по формуле

2 Пайка выводов транзисторов допускается на расстоянии не менее 3 мм от корпуса Пайку производить отключенным от сети паяльником мощностью не более 60 Вт В момент пайки все выводы должны быть закорочены

Минимальное расстояние места изгиба выводов от корпуса 3 мм, радиус изгиба не менее 1,5 мм

При работе с транзисторами необходимо учитывать возможность их самовозбуждения как высокочастотных элементов и принимать меры к его устранению, а также принимать меры защиты от статического электричества

5 изи,В

О 1 г

Зависимость тока стока от напряжения затвор-исток.

О 20 40 60 80 1001с,мА

Зависимость сопротивления сток-исток в открытом состоянии от тока стока

12 10 8

2 4 6 8 10изц,В О 5 10 15 20 251с,мА

Зависимость кр>1изны характеристики от напряжения затвор-исток

Зависимость крутизны характеристики от тока стока

0,4 0,3

0,2 0,1

0 2 4 6 8 10иси,В 0 2 4 6 8 10Ucy,,B