КП202Д-1, КП202Е-1 при Г= 233- 358 К . . . 60 мВт

Температура окружающей среды:

2ПС202А-2, 2ПС202Б-2, 2ПС202В-2, 2ПС202Г-2,

2П202Д-1, 2П202Е-1............От 213 до

398 К

КПС202А-2, КПС202Б-2, КПС202В-2, КПС202Г-2 От 233 до

343 К

КП202Д-1, КП202Е-1...........От 233 до

358 К

Примечание. При монтаже транзисторов в гибридную микросхему не допускается использование материалов, вступающих в химическое н электрохимическое взаимодействие с защитным покрытием, а также должны быть приняты меры, исключающие возможность соприкосновения выводов с кристаллом (минимальное расстояние от места изгиба выводов до кристалла I мм, радиус закругления не менее 0,5 мм).

Тепловое сопротивление кристалл-корпус при монтаже в гибридную микросхему Сдвоенного транзистора должно быть не более 3 К/мВт, одиночного - не более 1,5 К/мВт.

При пайке (сварке) выводов (на расстоянии не менее 1 мм) и при заливке транзисторов компаундами нагрев кристалла не должен превышать Г = 398 К.

При извлечении транзисторов из сопроводительной тары (после отсоединения выводов от тары) и при монтаже транзисторов в микросхему должны применяться приспособления, не вызывающие повреждения кристалла и его защитного покрытия.

% =10 7-15 в

2пс2огв-2,гпсго2г-2

2П202Е-1, КПС2028-2:

кпсгогг-2,

<р;гРКПСг02Е-1-

0 -0,4-0,8-1,2 4,6-2,0 U3„,B 0 -0,1-0,2-0,3-0,4-0,5 03,8

2ПСг02В-2,2ПС202Г-2\ 7 0\-2П202Е-1, кпс2огв-г КПС202Г-2,КП202Е-1

\2,0

-- iiUCU

2ПС202В-2, 2Пг02Д-1, ПС202В-2 Л202Д-И

19 J гзз 273 313 353

4,0 3,0

\2,0 fl,0

-1,0 -2,0 -3,0

}висимость крутизны характеристики от температуры.

253 273 293

-313 333 Т,К

-2псгогв-г-

Л--200202 в-2 -2ПС202Г-г

Зависимость разности напряжения затвор-исток, приведенной к значению при Г = ЗОЗ К, от температуры.

КПС315А, КПС315Б

Транзисторы кремниевые эпитаксиально-планарные полевые с iTBOpoM на основе р-п перехода канатом л-типа сдвоенные.

Предназначены для применения во входных каскадах дифферен-{альных усилителей низкой частоты и постоянного тока с высоким .одным сопротивлением.

Выпускаются в металлостеклянном корпусе с гибкими выводами, бозначение типа приводится на боковой поверхности корпуса.

Масса транзистора не более 1,5 г.

Подложка общая)

SamBopi CmoKl Исток 1

К ПС 315

Исток2 Сток 2 Затбор 2

Электрические параметры

1ксимальная рабочая частота......... 60 МГц

)утизна характеристики при С/и = 5 В, 1/зи = О

КПС315А не менее............ 2,8 мА/В

КПС315Б................. 1-5МА/В

Разность напряжений затвор-нсток при t/си - 5 В, Iq = - 0,3 мА не более:

при Г = 298 К.............. 30 мВ

при Г = 373 К.............. 32,25 мВ

при 7= 213 К.............. 32,55 мВ

Температурный уход разности напряжений затвор-исток

при t/си = 5 В, /с = 0,3 мА не более..... 30 мкВ/К

Начальный ток стока при t/си = Ю В, t/зи = О . . . . 1 - 20 мА Напряжение отсечки при t/си = 5 В, [q = 10 мкА:

КПС315А................ 1,0- 5,0 В

КПС315Б................ 0,4-2,0 В

Ток утечки затвора при f/си = О, t/зи = - 5 В не более: при Г = 298 К

КПС315А................ 0,25 нА

КПС315Б................ 1,0 нА

при Г = 373 К КПС315А, КПС315Б..... 100 и А

Отношение начальных токов стока при t/си = Ю В,

t/зи = О не менее.............. 0,9

Отношение значений крутизны характеристики при t/си =

= 10 В, t/зи = О не менее.......... 0,9

Емкость входная при t/си = О В, t/зи = 0 не более ................... 8 пФ

Предельные эксплуатационные данные

Напряжение сток-исток............. 25 В

Напряжение затвор-сток............. 30 В

Напряжение затвор-исток............ 30 В

Напряжение сток-подложка прн напряжении затвор-подложка, равном нулю........... 30 В

Прямой ток затвора каждого транзистора..... 1 мА

Постоянная рассеиваемая мощность обоих транзисторов

при Г = 213 -=- 298 К............. 300 мВт

Температура окружающей среды......... От 213 до

373 К

Примечание. При Г = 298 + 373 К максимально допустимая постоянная рассеиваемая мощность, мВт, рассчитывается по формуле

ма«: = 300 - 2,6(Г- 298).