Р, - импупьсная рассеиваемая мощность биполярного

(потевого) транзистора, Рк - постоянная рассеиваемая мощность котлектора, Рк ср ~ средняя рассеиваемая мощность колтектора. Р - входная мощность бипочярного (потевого) транзистора

Рд„х выходная мощность биполярного (потевого) транзистора,

Рв\(по) ~ входная мощность в пике огибающей (средняя мощность однотонового сигнача с амплитудой, равной амплитуде двухтонового сигнала в пике огибающей),

Рвых (по) ~ выходная мощность в пике огибающей (средняя мощность однотонового сигнала с амплитудой, равной амплитуде двухтонового сигнала в пике огибающей),

отр ~ мощность отраженной волны СВЧ сигната, Рпад ~ мощность падающей волны СВЧ сигнала, макс ~ максимально допустимая постоянная рассеиваемая мощность биполярного (полевого) транзистора, Л] макс ~ максимально допустимая импульсная рассеиваемая мощность биполярного (полевого) транзистора макс - максимально допустимая постоянная рассеиваемая мощность коллектора, ср макс - максимально допустимая средняя рассеиваемая мощность копектора, р - атмосферное давление, Q - скважность, Rk - сопротивление в цепи коллектор-источник питания, Лбэ ~ сопротивление в цепи база-эмиттер, Б1Б2 ~ межбазовое сопротивление однопереходного транзистора,

Лб - сопротивтение в цепи база-источник питания, Леи отк ~ сопротивление сток-исток в открытом состоянии потевого транзистора. Лих - входное сопротивление, Лцых - выходное сопротивление, Лц, - шумовое сопротивление полевого транзистора, R„ - сопротивление нагрузки,

Лг - выходное сопротивление генератора при измерениях, Rj - тепловое сопротивление, Лг п к - тепловое сопротивление переход-корпус, Гипк - импульсное тепловое сопротивление переход-корпус, п с - тепловое сопротивление переход-среда, 116 - коэффициент отражения входной цепи соответственно в схеме с общей базой и с общим эмиттером ,

52б - коэффициент обратной передачи напряжения в схеме с общей базой,

1 Si261 ~ модуль коэффициента обратной передачи напряжения в схеме с общей базой, S21-, - коэффициент прямой передачи напряжения в схеме

с общим эмиттером, 226 ~ коэффициент отражения выходной цепи в схеме с общей базой, 5 - крутизна характеристики полевого транзистора, - крутизна характеристики по подложке, вк1 ~ время вктючения биполярного (потевого) транзистора,

выкт ~ время выктючения бипотярного (полевого) транзистора ,

/л - время задержки дтя биполярного транзистора, lip ~ время нарастания для биполярного (полевого) транзистора,

рас ~ время рассасывания дня биполярного транзистора; сп ~ время спада дтя биполярного (полевого) транзистора,

эд ВК1 - время задержки вктючения потевого транзистора, зд ВЫК1 ~" время задержки выключения полевого транзистора, Г - температура окружающей среды, Г, - температура корпуса, для бескорпусиых транзисторов - кристаллодержатетя (подложки), Т„ - температура р-п перехода, Г1к - коэффициент потезного действия коллектора, т) - коэффициент передачи однопереходного транзистора, Фн - фаза коэффициента отражения от нагрузки, ф - фаза S-параметра,

Ти - постоянная времени цепи обратной связи на высокой частоте биполярного транзистора, Ти - длительность импульса, Тф - длительность фронта

Примечание

Знаком далее в тексте отмечены параметры или их значения, приеденные в справочных данных ТУ При производстве полупроводниковых риборов они могут не контротироватыгя Значения экстуатационных дан-1ых, приведенные без указания температурного диапазона, справедливы во сем интервале температур окружающей среды для данного типа транзистора

1.5. ОСНОВНЫЕ СТАНДАРТЫ НА БИПОЛЯРНЫЕ И ПОЛЕВЫЕ ТРАНЗИСТОРЫ

"ОСТ 15133-77 Приборы полупроводниковые Термины и

определения

ЭСТ И 336 919-81 Приборы полупроводниковые Система обо-

значений

ГОСТ 2 730-73 ЕСКД Обозначения условные графические

в схемах Приборы полупроводниковые

~ОСТ 18472-82 Приборы полупроводниковые Корпуса Га-

баритные и присоединительные размеры

гост 20003-74

ГОСТ 19095-73

ГОСТ 18604 0-74 ГОСТ 18604 1-80

ГОСТ 18604 2-80 ГОСТ 18604 3-80

ГОСТ 18604 4-74 ГОСТ 18604 5-74 ГОСТ 18604 6-74 ГОСТ 18604 7-74 ГОСТ 18604 8 74 ГОСТ 18604 9-75

ГОСТ 18604 10-76 ГОСТ 18604 11-76 ГОСТ 18604 12-78

ГОСТ 18604 13-76

ГОСТ 18604 14-76

ГОСТ 18604 15-76 ГОСТ 18604 16-78

Транзисторы биполярные Электрические параметры Термины определения и буквенные обозначения

Транзисторы полевые Электрические параметры Термины, опреде тения и буквенные обозначения

Транзисторы Методы измерения этектриче-ских параметров Общие потожения Транзисторы биполярные Метод измерения постоянной времени цепи обратной связи на высокой частоте

Транзисторы биполярные Метод измерения статического коэффщщента передачи тока Транзисторы биполярные Метод измерении емкостей коллекторного п змиттерного пе реходов

Транзисторы Методы измерения обратного тока коллектора

Транзисторы Метод измерения начального тока коллектора

Транзисторы Метод измерения обратного тока эмиттера

Транзисторы Метод измерения коэффициен та передачи тока

Транзисторы Метод измерении выходной проводимости

Транзисторы биполярные Методы определения граничной и предельной частот коэффициента передачи тока Транзисторы бипотярные входного со против тения Транзисторы биполярные коэффициента шума

Транзисторы биполярные СВЧ генераторные Методы определения граничной частоты коэффициента передачи тока Транзисторы биполярные СВЧ генераторные Метод измерения выходной мощности и опредечения коэффициента усиления по мощности и коэффициента потезного действия

Транзисторы биполярные СВЧ генераторные Метод измерения модуля коэффициента обратной передачи

Транзисторы биполярные СВЧ генераторные Методы измерения критического тока Транзисторы биполярные Метод измерения коэффициента обратной связи по напряжению в режиме малого сигнала

Метод измерения Метод измерения