Температура окружающей среды: МП104, МП105, От 213 до МП106 .... 393 К МП 114, МП115, МП116 . . . . От 218 до 373 К

Зависимость относительного коэффициента передачи тока в режиме малого сигнала от тока эмиттера

2,0 1,8

.1,6

1,2 1,0 0,8

МП10Ч,МП105,МП10Б, МП11%МП115,МП11Б

Л 1-30.

Uks = 5 в

О 2 Ч Б 8 101з,мА

2ТМ104А, 2ТМ104Б, 2ТМ104В, 2ТМ104Г, 2Т104А, 2Т104Б, 2Т104В, 2Т104Г

Транзисторы кремниевые эпитакснально-планарные р-п-р маломощные

Предназначены для работы в усилительных и импульсных микромодулях залитой и капсулированной конструкции

Выпускаются в металлостеклянном корпусе на керамической плате (2ТМ104А - 2ТМ104Г) и с гибкими выводами (2TI04A - 2Т104Г) Обозначение типа приводится в корпусе транзистора

Масса транзистора на керамической плате не более 0,8 г, с шбкими выводами не более 0,5 г

База

Змиттер

Коллектор

.2,7

0 г, 75 Коллектор

- 1о

е.

база Змиттер

2ТМ104А,гтМ104Б,ггмЮ48,гтмЮГ 2Т10А,2Т10Б,гТ10В,гТ10Г

Электрические параметры

Граничная частота коэффициента передачи тока в схеме с общим эмиттером при 1/кб =5 В, /э = 1 мА не

менее.................. 5 МГц

Статический коэффициент передачи тока в схеме с общим эмиттером при t/кБ = В, /э = 10 мА

2ТМ104А, 2TI04A............ 7-40

2ТМ104Б, 2Т104Б............ 15-80

2ТМ104В, 2Т104В............ 19-160

2ТМ104Г, 2Т104Г............. 10-60

Напряжение насыщения коллектор-эмиттер при = 10 мА не более

при /б = 2 мА 2ТМ104А, 2Т104А....... О 5 ц

при /б = 1 мА 2ТМ104Б, 2ТМ104В, 2ТМ104Г, 2Т104Б,

2Т104В, 2Т104Г.............. 0,5 в

Напряжение насыщения эмиттер-база при /к = 10 мА не более

при /б = 2 мА 2ТМ104А, 2Т104А...... I В

при /ь = 1 мА 2ТМ104Б, 2TMI04B, 2ТМ104Г, 2Т104Б,

2Т104В 2Т104Г.............. 1 В

Емкость коллекторного перехода при [/б =5 В, / =

= 3 МГц не более............. 50 пФ

Емкость эмиттерного перехода при [/эб = 0,5 В,/ = 10 МГц

не более................. 10 пФ

Обратный ток коллектора при Г = 213 - 298 К не более

при f/кБ = 30 В 2TMI04A, 2ТМ104Г, 2Т104А, 2Т104Г 1 мкА при С/кБ=15 В 2ТМ104Б, 2TMI04B, 2Т104Б, 2Т104В I мкА Обратный ток эмиттера при (/дв = Ю В, Г=213-

- 298 К не более............. 1 мкА

Предельные эксплуатационные данные

Постоянное напряжение коллектор-база и коллектор-эмиттер при ЛэБ < О кОм или (/бэ = 0,5 В-при Г < 348 К

2ТМ104А, 2ТМ104Г, 2Т104А, 2Т104Г..... 30 В

2ТМ104Б, 2ТМ104В, 2Т104Б, 2Т104В..... 15 В

при Г= 398 К

2ТМ104А, 2ТМ104Г, 2Т104А, 2Т104Г..... 20 В

2ТМ104Б, 2TMI04B, 2Т104Б, 2Т104В..... 10 В

Постоянное напряжение эмиттер-база

при Г < 348 К.............. 10 В

при Г = 398 К.............. 5 В

Постоянный ток коллектора

при Г < 348 К.............. 50 мА

при Г = 398 К.............. 30 мА

Постоянная рассеиваемая мощность коллектора

при Г < 333 К.............. 150 мВт

при Г = 398 К.............. 41.6 мВт

Общее тепловое сопротивление.......... 0,6 К/мВт

Температура перехода............. 423 К

Температура окружающей среды......... От 213

до 398 К

Примечание Максимально допустимая постоянная рассеивае мая мощность коллектора, мВт, при Г = 333 - 398 К опредезяетс по форму зе

Ркмгкс = (423 - Г)/0,6

Зависимость коэффициента передачи тока в режиме малого сигнала от тока эмиттера

Зона возможных положений зависимости коэффициента пере дачи тока в режиме малого сигнала от температуры

40 20

335 Т. К

Зона возможных положений за-виси\1ости коэффициента передачи тока в режиме малого сигнала от температуры

10 233

373 Т,К

Зона возможных по южений зависимости коэффициента передачи тока в режиме малого сигнала от температуры

гтм104Б, гтм104г, -гттБ,2ттг

5 10 15 г01з,мА

Зона возможных положений зависимости входного сопротивления от тока эмиттера

КТ104А, КТ104Б, КТ104В, КТ104Г

Транзисторы кремниевые эпитаксиально-планарные р-п-р универсальные низкочастотные маломощные

Выпускаются в металлостеклянном корпусе с гибкими выводи Обозначение типа приводится на корпусе