Электрические параметры

ннчная частота коэффициента передачи тока в схеме (, общим эмиттером при (Укб = 5 В, /э = I мА не

*ГТ109А, ГТ109Б. т09В, ГТ109Г, ГТ109Ж,

ГТ109И................. 1 МГц

ГТ109Д................. 3 МГц

ГТ109Е................. 5 МГц

Коэффициент передачи тока в режиме малого сигнала прп С/кБ = 5 В, /э= 1 мА: при Г= 298 К:

ГТ109А, т09Ж............. 20-50

ГТ109Б................ 35-80

ГТ109В................ 60-130

ГТ109Г................ 110-250

ГТ109Д................ 20-70

ГТ109Е................ 50-100

ГТ109И................ 20-80

при Г= 328 К не менее:

т09А, ГТ109Д, т09Ж, ГТ109И...... 20

ГТ109Б................ 35

ГТ109В................ 60

то9г................ по

т09Е................ 50

при Г= 228 К:

ГТ109А, т09Ж............. 15-50

ГТ109Б................ 20-80

ГТ109В................ 40-130

ГТ109Г................ 70-250

т09Д................ 10-60

т09Е................ 30-100

ГТ109И................ 15-80

Обратный ток коллектора не более: при {/кБ = 5 В ГТ109А, ГТ109Б, т09В, ГТ109Г,

ГТ109И.................. 5 мкА

при t/кБ = -5 В,

ГТ109Д................. 2 мкА

т09Е, ГТ109Ж............. 1 мкА

Обратный ток эмиттера не более: при [/эБ = 5 В т09А, т09Б, ГТ109В, ГТ109Г,

ГТ109Ж, ГТ109И.............. 5 мкА

при (/эБ=1,5 В ГТ109Д........... 3 мкА

при t/3g= 1Д в т09Е........... 3 мкА

емкость коллекторного перехода при / = 465 кГц не более:

при С/кБ=5 В ГТ109А, ГТ109Б, ГТ109В, ГТ109Г,

ГТ109Ж, ГТ109И.............. 30 пФ

при [/5= 1,2 В ГТ109Д, ГТ109Е....... 40 пФ

•оэффициенг шума при С/кб=1,5 В, /э = 0,5 мА,

j~ кГц не более............. 12 дБ

ГТ115А, ГТ115Б, ГТ115В, ГТ115Г, ГТ115Д

Транзисторы германиевые сплавные р-п-р маломощные

Предназначены для работы в качестве усилительного элемента в радиолюбительских конструкциях

Выпускаются в металлостеклянном корпусе с гибкими выводами Обозначение типа приводится на корпусе

Масса транзистора не более 0,6 г

База -к Коллектор -Е Эмиттер -е

Электрические параметры

Граничная частота коэффициента передачи тока в схеме с общей базой при (/«б = 5 В, /э = 5 мА не более ... 1 МГц

Коэффициент передачи тока в режиме малого сигнала при Uf(e =1 В, /э = 25 мА, /= 270 Гц

ГТ115А, ГТ115Б..............20-80

ГТ115В, ГТ115Г..............60-150

ГТП5Д................. 125-250

Обратный ток коллектора не более

при [/кб = 20 в ГТП5А, mi5B, ГТ115Д .... 40 мкА при [/кб = 30 в mi5B, ГТ115Г.......40 мкА

Обратный ток эмиттера при (/эб = 20 В не более ... 40 мк

Постоянное напряжение коллектор-база....... Iq g

Импульсное напряжение коллектор-база при т„ <

< 10 мкс................. Ig g

Постоянное напряжение коллектор-эмиттер при Лэб <

< 200 кОм................. 6 в

Постоянный ток коллектора...........20 мА

Постоянная рассеиваемая мощность коллектора

при Г = 248 - 293 К............30 мВт

при Г = 328 К..............13,8 мВт

Температура перехода............. 353

Температура окружающей среды.........От 228

до 328 К

база

Змиттер

2 3 -\ г-

Холлектор M11SA,1TM1I56, 1TM115B,1TMVsr

База

Эмиттер Коллектор 1Т115А,1Т115Б, 1Т115В, 1Т115Г

Электрические параметры

Граничная частота коэффициента передачи тока в схеме с общей базой при [/кБ = 5 В,/э = 5 мА не менее . . . 1МГц оэффициент передачи тока в режиме малого сигнала при c/g =1 в, /э = 25 мА

1ТМ115А, 1ТМ115В, 1Т115А, 1Т115В..... 20-60

1ТМ115Б, 1ТМ115Г, 1Т115Б, 1Т115Г......50-150

пряжение насыщения коллектор-эмиттер при = = 100 мА, /б = 20 мА не более

ТМ115А, 1ТМ115В, 1Т115А, 1Т115В...... 200 мВ

ТМ115Б, 1ТМ115Г, 1Т115Б, 1Т115Г......150 мВ

тоянное напряжение коллектор-база

ГТ115А, ГТ115В, ГТ115Д.......... 20 В

ГТ115Б, ГТП5Г.............. 30 В

тоячное напряжение эмиттер-база........ 20 В

тояниая рассеиваемая мощность коллектора .... 50 мВт

П стоянный ток коллектора..........30 мА

Температура перехода............. 343 К

Температура окружающей среды.........От 253

до 318 К

1ТМ115А, 1ТМ115Б, 1ТМ115В, 1ТМ115Г, 1Т115А, 1Т115Б, 1Т115В, 1Т115Г

Транзисторы германиевые маломощные сплавные р-п-р

Предназначены для работы в усилительных и импутьсных микромодулях этажерочной конструкции

Выпускаются в металлостеклянном корпусе на керамической плате (1ТМ115А - 1ТМ115Г) и с гибкими выводами (1Т115А-1Т115Г) Обозначение типа приводится на корпусе транзистора

Масса транзистора на керамической плате не более 0,8 г, с гибкими выводами не более 0,5 г