Напряжение насыщения эмиттер-база при = 100 мА,

/б = 20 мА не более............. 1 5 в

Емкость колзекторного перехода при t/кБ = 5 В, / =

= 465 кГц ие бозее............. "iO пф

ExiKocTb эмиттерного перехода при 6эб = 5 В, f =.

= 465 кГц не бозее............ 20 иф

Постоянная времени цени обратной связи при V\f, =

= 5 В, /э = 1 мА, / = 465 кГц не бозее...... 6 5 ис

Время рассасывания при 6ь=15 В, /к = 20 мА не более...................2 ь мкс

Граничное напряжение при /3 = 10 мА

1ТМ115А, 1ТМ115Б, 1Т115А, 1Т115Б...... В

1ТМ115В 1ТМ115Г, 1Т115В, 1Т115Г...... IS В

Обратный ток коззектора не бозее

при СкБ = 50 В, Г= 213 - 293 К 1ТМ115А 1ТМ115Б

1Т115А, 1Т115Б..............50 мкА

приС/кБ=70В / = 213 ~ 293 К 1TM1I5B 1ТМ115Г,

1Т115В, 1Т115Г.............so \,кА

Обратный ток эмит1ера при t/эБ = 50 В не бозее ... 50 мкА

Преде 1ьные эксплуатационные данные

Постоянное напряжение козлектор-база

ITM115A, 1ТМ115Б, IT1I5A, 1Т115Б...... 50 В

1ТМ115В, 1ТМ115Г, 1Т115В, 1Т115Г...... 70 В

Постоянное напряжение коззектор-эмиггер при Яэб < 500 Ом

1TMI15A, 1ТМ115Б, 1Т115А, 1Т115Б...... 40 В

ITM115B, 1ТМ115Г, 1Т115В 1Т115Г...... 55 В

Импу ibCHoe напряжение K03jieKTop-3MHTTep

1ТМ115А, 1ТМ115Б, 1Т115А, 1Т115В...... 50 В

1TMI15B, 1ТМ115Г, 1Т115В, 1Т115Г...... 70 В

Постоянное напряжение эмиттер-база........ О В

Постоянный ток козлектора.......... 100 vsA

Постоянный ток базы............. 20 мА

Постоянная рассеиваемая мощность коззектора

при Г = 213 - 328 К............ 50 мВт

при Г = 346 К.............. 20 мВг

Техшература перехода............. 358 К

Температура окружающей среды......... 1

10 346

1TM115B, ПМН5Г,

1T115B ,irmr

Ukb = 18,I3=Z5mA

213 253 293 333 T, К

Зона возможных положений зависимости коэффициента передачи тока в режиме малого сигнала от температуры

213 253 293 333 Т,К

Зона возможных потожений зависимости коэффициента передачи тока в режиме малого сигнала от температуры

1Т116А, 1Т116Б, 1Т116В, 1Т116Г

Транзисторы германиевые сплавные р-п-р перек (ючающие матомощные

Предназначены для работы в формирователях и усилителях импульсов, мультивибраторах и других переключающих схемах

Выпускаются в металлостеклянном корпусе с гибкими выводами Обозначение типа приводится на корпусе Масса транзистора не более 2 г ЦО в

Коллектор база

Змиттер t

Электрические параметры

Статический коэффициент передачи тока в схеме с общим эмиттером при [/кэ = 10 В, = 100 мА, т„ = 10 мкс, Q>50 при Г = 293 К

1Т116А, 1Т116Б, 1Т116Г.......... 15-65

IT116B................20-65

при Г = 213 К и Г = 343 К

1Т116А, 1Т116Б, 1Т116Г.......... 12-80

1Т116В................ 16-80

Ремя нарастания при [/кБ = 12,6 В, иэ = 0,3 В, \ =1,5-4 мкс, /= 30 кГц

при Лбэ=51 Ом 1Т116А, 1Т116Б 0,28-0,63 мкс при Кбэ = 0, 10, 27 Ом 1Т116В, 1Т116Г 0,28-0,63 мкс Время спада при U] = 12,6 В, С/бэ = 0,3 В, т„ = = 1,5 н- 4 мкс, /= 30 кГц:

при Лбэ = 51 Ом 1Т116А, 1Т116Б......0,6-2 мкс

при Лбэ = 0, 10, 27 Ом 1Т116В, 1Т116Г .... 0,6-2 мкс Граничная частота коэффициента передачи тока в схеме

с общей базой при Сб = 5 В, = 1 мА не менее ... 1 МГц Напряжение насыщения коллектор-эмиттер при =

= 150 мА, /б = 30 мА не более........0,25 В

Обратный ток коллектор-эмиттер при (/«э =15 В, [/бэ = 0,5 В не более:

при Г = 293 К..............30 мкА

прн Г = 343 К.............. 200 мкА

Предельные экеплуатациоиные данные

Постоянное напряжение коллектор-эмиттер при Лбэ <

< 550 Ом................. 15 В

Импульсное напряжение коллектор-эмиттер при Лбэ <

< 550 Ом, т„ < 5 мкс............ 30 В

Импульсное напряжение эмиттер-база при т„ < 5 мкс. . . 18 В Импульсный ток коллектора при т„ 5 мкс, Q > 6:

при Г= 213 293 К............. 300 мА

при Г = 333 К............... 250 мА

при Г = 343 К.............. 150 мА

Постоянный ток коллектора при Г = 293 К . . . . 50 мА

Постоянная рассеиваемая мощность коллектора:

при Г= 213 -f- 308 К............. 150 мВт

при Г = 343 К.............. 75 мВт

Температура перехода............. 358 К

Температура окружающей среды......... От 213 до

343 К

0,25

0,15

0,10

213 273 333 Т,К

Зона возможных положений зависимости напряжения насыщения коллектор-эмиттер от температуры.

110 100

90 Ч 80 * 70 60 50

213 273 233 Зона возможных положений зависимости входного сопротивления от температуры.