2Т117А, 2Т117Б, 2Т117В, 2Т117Г, КТ117А, КТ117Б, КТ117В, КТ117Г

Транзисторы кремниевые танарные однопереходные с «-базой

Предназначены для работы в маломощных генераторах Выпускаются в металлостеклянном корпусе с гибкими выводами Обозначение типа приводится на корпусе Масса транзистора ие ботее 0,45 г

1-змиттер 1-5аза 1 3-5азаг -fe

13,5

ф5,& ф2,5

Электрические параметры

Коэффициент передачи напряжения при {/б1Б2 = Ю В при Г = 298 К

2T1I7A, 2Т117В, KTI17A, KT1I7B...... 0,5-0,7

2Т117Б, 2Т117Г............. 0,65-0,85

КТ117Б, КТ117Г............. 0,65-0,90

при Г = 343 К

2TI17A, 2Т117В, KTI17A, КТ117В...... 0,45-0,7

2Т117Б................ 0,6-0,85

2Т117Г................ 0,6-0,8

КТ117Б, КТ117Г............. 0,6-0,9

при Г= 213 К

2Т117А, 2T1I7B, КТ117А, KT1I7B...... 0,5-0,8

2Т117Б, 2Т117Г............. 0,65-0,9

КТ117Б, КТ117Г............. 0,65-0,95

Ток включения эмиттера при {/б1Б2 =10 В не более ................... 20 мкА

Ток выключения эмиттера при {/б1Б2 = 20 В не менее ................... I мА

Остаточное напряжение эмиттер-база не более

при Г= 213 - 298 К............ 5 В

при Г= 343 К, /э=10 мА 2T1I7A, 2Т117Б, 2TI17B,

2Т117Г................. 4 В

при Г = 343 К, /э=50 мА КТ117А, КТ117Е,

КТ117В, КТ117Г.............. 4 В

Межбазовое сопротивление: при Г= 298 К:

2ТИ7А, 2ТП7Б.............4-75 кО

2T1I7B, 2Т117Г.............6-9 к(Х

КТП7А, КТ117Б.............4-9 кО

КТ117В, КТ117Г.............8-12 ко

при Г= 343 К:

2Т117В, 2Т117Г.............6-15 КОм

КТ117В, КТ117Г.............6-18 кОм

при Г=213 К:

2TI17B, 2ТП7Г.............3-8,5 кОм

КТ117В, КТ117Г.............4-12 кОм

Температурный коэффициент межбазового сопротивления ...................0,1-0,9 УК

Наибольшая частота генерации......... 200 кГц

Обратный ток эмиттера при (/6152 = 30 В не более:

при Г = 298 К.............. I мкА

при Г = 398 К..............10 мкА

Ток модуляции не менее............ 10 мА

Предельные эксплуатационные данные

Постоянное межбазовое напряжение........ 30 В

Постоянное напряжение база 2-эмиттер....... 30 В

Постоянный ток эмиттера........... 50 мА

Импульсный ток эмиттера при < 10 мкс, Q > 200 ... I А Постоянная рассеиваемая мошность эмиттера:

при Г = 213 + 308 К............. 300 мВт

при Г = 398 К............... 15 мВт

Температура перехода............. 403 К

Температура окружающей среды......... От 213

до 398 К

2Т117А - 2Т117Г, - КТ117А-НТ117Г-

213 253 293 333 373 f13 Т,К

Зона возможных положений зависимости напряжения насыщения база-эмиттер от температуры.

Зона возможных положении з висимости тока модуляции температуры.

12 10

2Т117А-гТ117Г, I KT117A--

КТ117Г

Овигюв,

Ig=50 mA

I 10

n-i-I-

Ub182 = 10B, I г) = 50мА

2Ti17A2T117r

""v КТША-КГН7Г \

21S 253 293 333 373 413 T,K 213 253 293 333 373 413 T,K

Зона возможных положений зависимости тока включения от температуры.

Зона возможных положений зависимости тока выключения от температуры.

2Т118А, 2Т118Б, 2Т118В, КТ118А, КТ118Б, КТ118В

Транзисторы кремниевые эпитаксиально-планарные двухэмиттер-ные р-п-р переключательные маломощные.

Предназначены для работы в схемах модуляторов.

Выпускаются в металлостеклянном корпусе с гибкими выводами. Обозначение типа приводится на боковой поверхности корпуса.

Масса транзистора не более 0,5 г.

Эмиттер Z

Баэа1

База 2

Эмиттер1 Коппектор

Электрические параметры

Падение напряжения на открытом ключе: при 4 = 0,5 мА не более: при Г = 298 К:

2T1I8A, 2Т118Б, KTI18A, КТ118Б...... 0,2 мВ

2Т118В, KTI18B............. 0,15 мВ

при Г= 213 К:

2Т118А, 2Т118Б, КТ118А, КТ118Б....... 0,4 мВ

2Т118В, КТ118В............. 0,3 мВ

при Г = 398 К.............. 0,6 мВ