стоянное напряжение на закрытом ключе между эмиттерами при 1/упр = 0:

2Т118А-1................ ЗОВ

2Т118Б-1 ................ 15 В

Постоянное напряжение эмиттер-база транзисторной структуры-

2Т118А-1 ................ 31 В

2Т118Б-1 ................ 16 В

Постоянный ток каждого эмиттера........ 25 мА

Постоянный ток каждой базы......... 25 мА

Постоянный ток коллектора.......... 50 мА

Постоянная рассеиваемая мощность коллектора ... 30 мВт Импульсная рассеиваемая мощность коллектора при

х„ < 500 мкс, е > 2 и Г = 298 К........ 50 мВт

Температура окружающей среды......... От 213

до 358 К

Примечание Монтаж транзисторов осуществляется приклейкой к теплоотводящей поверхности Допускается пайка или сварка выводов на расстоянии не менее 2 мм от транзистора Температура припоя не должна превышать 533 К Допускается пайка выводов на расстоянии 0,5 мм от транзистора при температуре припоя не более 423 К Время пайки не более 2 с Не допускается прикладывать к выводам вращающих усилий Допускается изгиб выводов на расстоянии не менее 2 мм от транзистора с радиусом закругления 1,5 - 2 мм При изгибе необходимо обеспечить неподвижность участка вывода между местом изгиба и транзистором При монтаже допускается обрезать выводы на расстоянии не менее 2 мм от транзистора При обрезке усилие не должно передаваться на место приварки вывода к кристаллу

КТ119А, КТ119Б

Транзисторы кремниевые однопереходные с базой «-типа переключательные

Предназначены для работы 8 составе гибридных пленочных икросхем, модулей, узлов и "Юков радиоэлектронной герме-™зированной аппаратуры

Бескорпусные с гибкими выводами

Масса транзистора не более

5 Полупроводниковые приборы

База1 Ба-ial Змиттер

Предельные эксплуатационные данные

Амплитуда тока эмиттера при среднем токе не более

10 мА, Ти < 10 мкс............. 50 мА

Постоянный ток эмиттера в открытом состоянии ... 10 мА

Напряжение межбазовое любой формы и периодичности ................... 20 В

Обратное напряжение эмиттер-база......... 20 В

Постоянная рассеиваемая мощность коллектора

при Г = 308 К.............. 25 мВт

при Г = 353 К.............. 7 мВт

Общее тепловое сопротивление.......... 3 К/мВт

Примечание Монтаж транзистора в модуль должен осуществляться в условиях микроклимата при Г= 228 - 353 К Пайку выводов допускается производить на расстоянии не менее 1 мм от края защитного покрытия при температуре не более 373 К

О] о

600 500

% 300

200 100

10 20 30 Шакс.мА 228 273 318 Т,К

Зона возможных положений зависимости напряжения насыщения от максимального тока эмиттера

Зона возможных положении м висимости предельной частот генерации от температуры

Ток включения при [/б2Б1 = Ю В........

Межбазовое сопротивление при /б2Б1 = ..... 4-12 кОм

Максимальная частота генерации не менее..... 200 кГц

Напряжение насыщения при [/б2Б1 = О В,/э = 10 мА . . . 25 В Коэффициент передачи

КТ119А................. 0,5-0 65

КТ119Б................. 0,6-0,75

Обратный ток эмиттерного перехода при [/эб2 = 20 В не

более................... 0,001 мд

ггв 27Z S18 т,к

Зона возможных положений зависимости тока выключения от температуры

ггв г?J л в т,к

Зона возможных положений зависимости тока включения от температуры.

КТ120А, КТ120Б, КТ120В

Транзисторы кремниевые эпитаксиально-планарные р-п-р маломощные низкочастотные.

Предназначены для работы в усилительных и импульсных микромодулях и блоках герметизированной аппаратуры.

Бескорпусные, без кристаллодержателя, с защитным покрытием лаком, с гибкими выводами. Транзистор КТ120Б предназначен для диодного включения, поэтому допускается выпуск без эмиттерного вывода. Обозначение типа приводится на сопроводительной таре.

Масса транзистора не более 0,02 г

база Коллектор Зматтср

Электрические параметры

Граничная частота коэффициента передачи тока в схеме с общей базой при t/кБ = 5 В, /э = 1 мА КТ120А,

КТ120В не менее..............1 МГц

Коэффициент передачи тока в режиме малого сигнала при С/кБ = 5 В, /э= 1 мА-

при Г = 298 К КТ120А, КТ120В........ 20-200

при Г = 338 К КТ120А, КТ120В....... 20-480

при Г =263 К КТ120А, КТ120В.......10-200

спряжение насыщения коллектор-эмиттер при /б = 0,6 мА не более:

при /к = 10 мА КТ120А.......... 0,5 В

при /к= 17 мА КТ120В........... 2 В

5* 131