ипература окружающей среды.........От 213

Т" до 343 К

Примечание. Минимальное расстояние от корпуса до места гиба выводов 3 мм. Минимальное расстояние от корпуса до " cjz пайки выводов 5 мм Пайку производить при температуре более 558 К в течение времени не более 5 с

2Т202А-1, 2Т202Б-1, 2Т202В-1, 2Т202Г-1, 2Т202Д-1, КТ202А, КТ202Б, КТ202В, КТ202Г, КТ202Д

Транзисторы кремниевые эпитаксиально-планарные р-п-р маломощные.

Предназначены для работы в усилительных и импульсных микромодулях в герметизированной аппаратуре Бескорпусные, без кристаллодержателя, с зашитным покрытием, с гибкими выводами Обозначение типа приводится на сопроводительной таре

Масса транзистора не более 0,01 г

ФО,ОЦ

Электрические параметры

Граничная частота коэффициента передачи по току в схеме с общей базой при 1/кб = 5 В, /э = 1 мА не менее.................5 МГц

Коэффициент передачи тока в режиме малого сигнала при С/кБ = 5 В, /э = 1 мА. при Г= 298 К-

2Т202А-1, 2Т202В-1, КТ202А, КТ202В .... 15-70

2Т202Б-1, 2Т202Г-1, КТ202Б, КТ202Г.....40-160

2Т202Д-1, КТ202Д............100-300

при Г= 358 К:

2Т202А-1, 2Т202В-1, КТ202А, КТ202В.....15-140

2Т202Б-1, 2Т202Г-1, КТ202Б, КТ202Г..... 40-320

2Т202Д-1, КТ202Д............100-500

при Г=213 К-

2Т202А-1, 2Т202В-1, КТ202А, КТ202В.....10-70

2Т202Б-1, 2Т202Г-1, КТ202Б, КТ202Г.....25-160

2Т202Д-1, КТ202Д............ 50-300

апряжение насыщения коллектор-эмиттер при /к = ~ 10 мА, /б = 1 мА не более........ 0,5 В

Напряжение насыщения база-эмиттер при /к = о мА,

/б = 1 мА не более............. I В

Емкость коллекторного перехода при 1/=3 В, / =3 МГц

не более.................25 пф

Емкость эмиттерного перехода при (/эб = 05 В, у=

= 10 МГц не более............. 10 пФ

Время рассасывания при /к = 5 мА, /б = 1 мА не более 1 мкс Входное сопротивление в режиме малого сигнала при

(Укэ =5 В, /э = 1 мА не более........100 Ом

Обратный ток коллектора при f/кБ = квмакс не более:

при Г < 298 К..............0,1 мкА

при Т= Г„а„<................10 мкА

Обратный ток коллектор-эмиттер при 1/кэ = t/кэмакс. ЛэБ = 10 Ом не более:

при Г = 298 К............... 1 МКА

при Г= Т,,..............10 мкА

Обратный ток эмиттера при t/эБ = 10 В не более:

при Т= 298 К...............0,1 мкД

при Г = Гмакс...............5 мкА

Предельные эксплуатационные данные

Постоянное напряжение коллектор-база:

при 7= 213 - 358 К:

2Т202А-1, 2Т202Б-1, 2Т202Д-1.....15 В

2Т202В-1, 2Т202Г-1........... 30 В

при Т= 213 -г 328 К:

КТ202А, КТ202Б, КТ202Д......... 15 В

КТ202В, КТ202Г............. 30 В

при Г= 358 К:

КТ202А, КТ202Б, КТ202Д........: . 10,5 В

КТ202В, КТ202Г............26,5 В

Постоянное напряжение коллектор-эмиттер:

при Г= 213 н- 358 К:

2Т202А-1, 2Т202Б-1, 2Т202Д-1.......15 В

2Т202В-1, 2Т202Г-1...........* 30 В

при Г= 213 328 К:

КТ202А, КТ202Б, КТ202Д........- 15 В

КТ202В, КТ202Г............. 30 В

при Г= 358 К:

КТ202А, КТ202Б, КТ202Д........ 10>5 В

КТ202В, КТ202Г............26,5 В

Постоянное напряжение эмиттер-база:

при Г= 213- 358 К 2Т202А-1, 2Т202Б-1, 2Т202В-1,

2Т202Г-1, 2Т202Д-1............ Ю В

при Г= 213 - 328 К КТ202А, КТ202Б, КТ202В,

КТ202Г, КТ202Д............. о В

при Г = 358 К КТ202А, КТ202Б, КТ202В, КТ202Г,

КТ202Д............... 5,5 В

Постоянный ток коллектора.......... 20 мА

Постоянная рассеиваемая мощность коллектора: при r=2t3-f 308 К:

2Т202А, 2Т202Б, 2Т202В, 2Т202Г...... 25 мВт

КТ202А, КТ202Б, КТ202В, КТ202Г...... 15 мВт

при Г = 358 К.............. 10 мВт

Импульсная рассеиваемая мощность коллектора при X <\0 мкс, Q> \0:

" 2T202A-I, 2Т202Б-1, 2Т202В-1, 2Т202Г-1, 2Т202Д-1 50 мВт

КТ202А, КТ202Б, КТ202В, КТ202Г, КТ202Д ... 25 мВт

Температура перехода ............. 398 К

Температура окружающей среды......... От 213

до 358 К

Зона возможных положений зависимости коэффициента передачи тока в режиме малого сигнала от тока эмиттера

Зона возможных положений зависимости коэффициента передачи тока в режиме малого сигнала от тока эмиттера

Зона возможных положений зависимости коэффициента передачи тока в режиме малого сигнала от тока эмиттера.

120 100 80 60 W

21э 125

О 0,5 1,0 1,51з,мА

2Т203А, 2Т203Б, 2Т203В, 2Т203Г, 2Т203Д, КТ203А, КТ203Б, КТ203В

Транзисторы кремниевые эпитаксиально-планарные р-п-р мало-Ощные.

Предназначены для работы в усилительных и импульсных схемах.