КТ210А, КТ210Б, КТ210В

Транзисторы кремниевые эпитаксиально-планарные р-п-р низкочастотные усилительные маломощные

Бескорпусные с твердыми выводами Обозначение типа приводится на таре

Масса транзистора не более 0,005 г

Зми.ттер Коллектор

Коллектор

0,25 й,ач

Электрические параметры

Граничная частота коэффициента передачи тока в схеме с общим эмиттером при [/«б = 5 В, /э = 1 мА не менее..................10 МГц

Статический коэффициент передачи тока в схеме с общим эмиттером при f/кБ = 5 В, /э = 1 мА

КТ210А, КТ210Б............. 80-240

KT2I0B................40-120

Напряжение насыщения коллектор-эмигтер при /к = = 10 мА, /б= I мА не более......... 0,5 В

Напряжение насыщения база-эмиттер при /к = 10 мА, /б = 1 мА не более............. IB

Обратный ток коллектор-эмиттер при бкэ = кэ макс, ЛэБ = 10 кОм не более............10 мкА

Обратный ток эмиттера при t/эБ = Ю В не более ... 5 мкА

Емкость коллекторного перехода при 1/кб = 5 В, /= = 3 МГц не более.............25 пФ

Емкость эмиттерного перехода при [/эб = 0,5 В, /= = 5 МГц не более............. 10 пФ

Предельные эксплуатационные даииые

Постоянное напряжение коллектор-база-

КТ210А................. 15 В

КТ210Б................. 30 В

КТ210В................. 60 В

Постоянное напряжение коллектор-эмиттер при Лэб < < 10 кОм:

КТ210А................. 15 в

КТ210Б................. 30 В

KT2I0B................. 60 В

Постоянное напряжение эмиттер-база....... 10 в

Постоянный ток коллектора.......... 20 мА

Импульсный ток коллектора.......... 40 мА

Постоянная рассеиваемая мошность коллектора при

Г = 308 К................. 25 мВт

Импульсная рассеиваемая мошность коллектора при

Г = 308 К................ 40 мВт

Тепловое сопротивление переход-среда...... 3 К/мВт

Температура перехода............. 398 к

Температура окружающей среды......... От 213

до 358 К

КТ211А-1, КТ211Б-1, КТ211В-1

Транзисторы кремниевые эпитаксиально-планарные р-п-р с нормированным коэффициентом шума.

Предназначены для применения во входных каскадах, ма-лошумяших усилителях, в герметизированной аппаратуре.

Бескорпусные, без кристаллодержателя, с защитным покрытием лаком, с гибкими выводами. Обозначение типа приводится на возвратной таре.

Масса транзистора не более 0,01 г.

Электрические параметры

Граничная частота коэффициента передачи тока в схеме с общим эмиттером при (/кб = 5 В, /к = I мА не

менее...................10 МГц

Статический коэффициент передачи тока в схеме с общим эмиттером при (/кб =1 В, /э = 40 мА: при Г = 298 К:

КТ211А-1...............40-120

КТ211Б-1 ................ 80-240

КТ211В-1 ................ 160-480

при Г = 398 К:

KT2I1A-1............... 40-200

КТ211Б-1................ 80 - 400

КТ211В-1 ................ 160-800

при Г= 213 К:

КТ211А-1...............20-120

КТ2ИБ-1................ 40-240

КТ2ПВ-1................ 80-480

Коэффициент шума при иъ = 5 В, /э = 40 мА, /=

1 кГц, Лг = 10 кОм не более........ 3 дБ

Обратный ток коллектора при [/«б = 15 В не более ... 10 мкА Емкость коллекторного перехода при [/кб = 5 В, / =

= 10 МГц не более............. 20 пФ

Емкость эмиттерного перехода при [/эб = 0,5 В, / =

= 10 МГц не более............. 15 пФ

Предельные эксплуатационные даииые

Постоянное напряжение коллектор-база....... 15 В

Постоянное напряжение эмиттер-база....... 5 В

Постоянный ток коллектора...........20 мА

Импульсный ток коллектора при t„ < Ю мкс, Q >

> 10...................50 мА

Постоянная рассеиваемая мощность коллектора:

при Г = 213 - 308 К............25 мВт

при Г = 398 К.............. 5 мВт

Импульсная рассеиваемая мощность коллектора при

х„ < 10 мкс, Q> 10.............50 мВт

Температура перехода ............. 423 К

Температура окружающей среды.........От 213

до 398 К

Примечание При монтаже транзисторов в микросхему должны быть приняты меры, исключающие нагрев кристалла более 423 К. При монтаже транзисторов не допускается изгиб выводов на расстоянии менее 0,5 мм от места выхода из защитного покрытия

Пайка и сварка выводов допускается на расстоянии более 1 мм от места выхода вывода из защитного покрытия

5 Ч-3 2 1

1 I I I Г КТ211А-1,КТ211Б-1,

KT21W-1-

1 = 40 мА.

г13 500

213 243 213 303 333 363 Т, К 213 243 213 303 333 363Т,К

Зона возможных положений зависимости коэффициента шума от температуры.

Зона возможных положений зависимости статического коэффициента передачи тока от температуры.